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집속 이온빔을 이용한 폭이 제어된 그래핀 나노리본의 합성

  • 기술번호 : KST2014044871
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 그래핀 나노 리본의 형성 방법에 있어서, 기판 상에 페난트렌 박막을 형성한다. 이후 상기 기판 상에 탄소 공급 가스를 공급하면서 상기 기판을 가열함으로써 상기 페난트렌 박막 상에 그래핀 박막을 형성한다. 이로써 그래핀 나노 리본이 기판 상에 직접 형성될 수 있다.
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) C01B 31/02 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01) H01L 21/335 (2006.01)
CPC C01B 32/184(2013.01) C01B 32/184(2013.01) C01B 32/184(2013.01) C01B 32/184(2013.01) C01B 32/184(2013.01)
출원번호/일자 1020110078853 (2011.08.09)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1218925-0000 (2012.12.28)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20130121) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.08.09)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박종윤 대한민국 경기도 군포시 산본로***번길 **, LG 백합 아파트 **
2 송우석 대한민국 경기도 용인시 수지구
3 김수연 대한민국 경기도 시흥시 비둘기공원*길 *

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 남건필 대한민국 서울특별시 영등포구 경인로 ***, *동 ***호(엔씨 국제특허법률사무소)
2 박종수 대한민국 서울특별시 영등포구 경인로 ***, *동 ***호(엔씨 국제특허법률사무소)
3 차상윤 대한민국 서울특별시 영등포구 경인로 ***, *동 ***호(엔씨 국제특허법률사무소)
4 한상민 대한민국 광주 북구 첨단과기로***번길**-**, A동***-***호(특허법인지원(광주분사무소))

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 경기도 수원시 장안구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.08.09 수리 (Accepted) 1-1-2011-0612697-07
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090770-53
3 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2012.05.02 무효 (Invalidation) 1-1-2012-0350494-02
4 보정요구서
Request for Amendment		 2012.05.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2012-0053628-83
5 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2012.05.08 무효 (Invalidation) 1-1-2012-0365904-71
6 무효처분통지서
Notice for Disposition of Invalidation		 2012.05.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2012-0057003-51
7 보정요구서
Request for Amendment		 2012.05.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2012-0067422-57
8 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2012.06.01 수리 (Accepted) 1-1-2012-0439109-58
9 무효처분통지서
Notice for Disposition of Invalidation		 2012.06.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2012-0069589-19
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.20 수리 (Accepted) 4-1-2012-5131828-19
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.27 수리 (Accepted) 4-1-2012-5137236-29
12 등록결정서
Decision to grant		 2012.12.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0772352-50
13 [대리인해임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Dismissal of Sub-agent] Report on Agent (Representative)		 2014.03.24 수리 (Accepted) 1-1-2014-0280609-60
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 페난트렌 박막을 형성하는 단계; 및상기 기판 상에 탄소 공급 가스를 공급하면서 상기 기판을 가열함으로써 상기 페난트렌 박막 상에 그래핀 박막을 형성하는 단계를 포함하는 그래핀 나노 리본의 형성 방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 페난트렌 박막은 집속 이온빔 공정을 통하여 형성되는 것을 특징으로 하는 그래핀 나노 리본의 형성 방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 탄소 공급 가스는 일산화탄소, 메탄, 에탄, 에틸렌, 에탄올, 아세틸렌, 프로판, 프로필렌, 부탄, 부타디엔, 펜탄, 펜텐, 사이클로펜타디엔, 헥산, 사이클로헥산, 벤젠 및 톨루엔으로 이루어진 탄소화합물 군으로부터 선택된 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 그래핀 나노 리본의 형성 방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 그래핀 박막을 형성하는 단계는,상기 페난트렌 박막을 포함하는 기판을 불활성 가스 분위기에 가열하여 상기 기판의 온도를 안정화 시키는 단계; 및상기 가열된 기판 상에 불활성 가스 및 상기 탄소 공급 가스를 공급하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀 나노 리본의 형성 방법
5 5
제4항에 있어서, 상기 기판의 온도를 안정화시키는 단계는 300 내지 1200℃ 온도 범위에서 수행되는 것을 특징으로 하는 그래핀 나노 리본의 형성 방법
6 6
기판 상에 페난트렌 박막을 형성하는 단계; 상기 기판 상에 탄소 공급 가스를 공급하면서 상기 기판을 가열함으로써 상기 페난트렌 박막 상에 그래핀 박막으로 이루어진 반도체층을 형성하는 단계; 상기 반도체층의 상부에 소스/드레인을 형성하는 단계;상기 반도체층을 덮도록 유전층을 형성하는 단계; 및상기 유전층 상에 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함하는 트랜지스터의 제조 방법
7 7
제6항에 있어서, 상기 페난트렌 박막은 집속 이온빔 공정을 통하여 형성되는 것을 특징으로 하는 트랜지스터의 제조 방법
8 8
제6항에 있어서, 상기 반도체층을 형성하는 단계는,상기 페난트렌 박막을 포함하는 기판을 불활성 가스 분위기에서 가열하여 상기 기판의 온도를 안정화 시키는 단계; 및상기 가열된 기판 상에 불활성 가스 및 상기 탄소 공급 가스를 공급하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 트랜지스터의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.