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기판;상기 기판의 일부 영역 상에 위치하고 그라핀을 포함하는 그라핀 채널층;상기 그라핀 채널층의 제1 영역 상에 위치하는 제1 전극;상기 그라핀 채널층의 상기 제1 영역과 이격된 제2 영역 상에 위치하는 개재층(interlayer);상기 개재층 상에 위치하는 제2 전극;상기 그라핀 채널층, 상기 제1 전극, 상기 제2 전극 상에 위치하는 게이트 절연층; 및상기 게이트 절연층 상에 위치하는 게이트 전극;을 포함하는 그라핀 채널층을 가지는 전계 효과 트랜지스터
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제 1 항에 있어서, 상기 그라핀은, 밴드 갭을 가지지 않고, 상기 게이트 전극에 인가된 전압에 의하여 페르미면의 레벨이 변화되는 반금속(semi-metal) 그라핀인 것을 특징으로 하는 그라핀 채널층을 가지는 전계 효과 트랜지스터
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제 1 항에 있어서, 상기 제2 전극은 상기 개재층을 사이에 두고 상기 그라핀 채널층과 중첩(overlap)되어 위치하는 것을 특징으로 하는 그라핀 채널층을 가지는 전계 효과 트랜지스터
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제 1 항에 있어서, 상기 개재층은 절연층을 포함하는 것을 특징으로 하는 그라핀 채널층을 가지는 전계 효과 트랜지스터
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제 1 항에 있어서, 상기 제2 전극은 상기 개재층 상의 전체 혹은 일부 영역 상에 위치하고, 상기 개재층은 절연층을 포함하는 것을 특징으로 하는 그라핀 채널층을 가지는 전계 효과 트랜지스터
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제 1 항에 있어서, 상기 개재층은, 상기 그라핀 채널층과 상기 제2 전극 사이에 터널링 효과(tunneling effect)를 발생할 수 있는 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 그라핀 채널층을 가지는 전계 효과 트랜지스터
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제 1 항에 있어서, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극은 각각 소스 전극 및 드레인 전극 중 하나인 것을 특징으로 하는 그라핀 채널층을 가지는 전계 효과 트랜지스터
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8
기판;상기 기판의 일부 영역 상에 위치하고 그라핀을 포함하는 그라핀 채널층;상기 그라핀 채널층의 제1 영역 상에 위치하는 제1 전극;상기 그라핀 채널층의 상기 제1 영역과 이격된 제2 영역 상에 위치하는 개재층;상기 개재층의 일부 영역 상에 위치하는 제2 전극;상기 그라핀 채널층, 상기 제1 전극, 상기 제2 전극 상에 위치하는 게이트 절연층; 및상기 게이트 절연층 상에 위치하는 게이트 전극;을 포함하는 그라핀 채널층을 가지는 전계 효과 트랜지스터
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제 8 항에 있어서, 상기 그라핀은, 밴드 갭을 가지지 않고, 상기 게이트 전극에 인가된 전압에 의하여 페르미면의 레벨이 변화되는 반금속 그라핀인 것을 특징으로 하는 그라핀 채널층을 가지는 전계 효과 트랜지스터
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제 8 항에 있어서, 상기 제2 전극은 상기 개재층을 사이에 두고 상기 그라핀 채널층과 중첩되지 않은 영역을 포함하도록 이격되어 위치하는 것을 특징으로 하는 그라핀 채널층을 가지는 전계 효과 트랜지스터
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11
제 8 항에 있어서, 상기 개재층은, 상기 게이트 전극에 인가된 전압에 의하여 전계효과가 발생되는 크기의 밴드 갭을 가지는 반도체를 포함하는 것을 특징으로 하는 그라핀 채널층을 가지는 전계 효과 트랜지스터
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제 8 항에 있어서, 상기 개재층은, 상기 그라핀 채널층과 상기 제2 전극 사이에 터널링 효과를 발생할 수 있는 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 그라핀 채널층을 가지는 전계 효과 트랜지스터
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제 8 항에 있어서, 상기 개재층은, 반도체 그라핀 또는 그라핀 산화물을 포함하는 것을 특징으로 하는 그라핀 채널층을 가지는 전계 효과 트랜지스터
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14
기판;상기 기판의 일부 영역 상에 위치하고 그라핀을 포함하는 그라핀 채널층;상기 그라핀 채널층의 제1 영역과 상기 제1 영역과 이격된 제2 영역 상에 각각 위치하는 개재층;상기 제1 영역 상의 상기 개재층 상에 위치하는 제1 전극;상기 제2 영역 상의 상기 개재층 상에 위치하는 제2 전극;상기 그라핀 채널층, 상기 제1 전극, 상기 제2 전극 상에 위치하는 게이트 절연층;상기 게이트 절연층 상에 위치하는 게이트 전극;을 포함하는 그라핀 채널층을 가지는 전계 효과 트랜지스터
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15
제 14 항에 있어서, 상기 그라핀은, 밴드 갭을 가지는 반도체 그라핀인 것을 특징으로 하는 그라핀 채널층을 가지는 전계 효과 트랜지스터
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16
제 14 항에 있어서, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극은 각각 상기 개재층을 사이에 두고 상기 그라핀 채널층과 중첩되어 위치하는 것을 특징으로 하는 그라핀 채널층을 가지는 전계 효과 트랜지스터
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제 14 항에 있어서, 상기 개재층은, 불순물이 도핑된 반도체층인 것을 특징으로 하는 그라핀 채널층을 가지는 전계 효과 트랜지스터
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18
제 17 항에 있어서, 상기 개재층과 상기 그라핀 채널층은 서로 반도체 접합을 형성하고, 상기 반도체 접합에 대하여 역방향으로 인가된 전압에 대하여 공핍층을 형성하도록 서로 접합되어 있는 것을 특징으로 하는 그라핀 채널층을 가지는 전계 효과 트랜지스터
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