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형광 염료가 혼합된 광가교형 포토레지스트의 형광패턴

  • 기술번호 : KST2014046565
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 형광패턴 형성방법에 있어서,a)기재 상에 가교반응형 폴리머 광산발생제, 형광체 및 유기용매로 이루어진 화학증폭형포토레지스트 조성물을 코팅하고 패턴된 포토마스크를 올린 후 노광하는 단계;b)상기 노광한 후 후열반응(postbaking)으로 형광패턴을 형성하는 단계;를 포함하는 형광패턴 형성방법에 관한 것이다.또한 본 발명은 형광패턴 형성방법에 있어서, 기재 상에 광민감성 가교형 폴리머, 형광체 및 유기용매로 이루어진 비화학증폭형 포토레지스트 조성물을 코팅하고 패턴된 포토마스크를 올린 후 노광하는 단계를 포함하는 형광패턴형성방법에 관한 것이다.
Int. CL G03F 7/40 (2006.01) G03F 7/00 (2006.01) C09K 11/00 (2006.01) G03F 7/20 (2006.01)
CPC G03F 7/0045(2013.01) G03F 7/0045(2013.01) G03F 7/0045(2013.01) G03F 7/0045(2013.01) G03F 7/0045(2013.01) G03F 7/0045(2013.01)
출원번호/일자 1020120023674 (2012.03.07)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-1210904-0000 (2012.12.05)
공개번호/일자 10-2012-0039589 (2012.04.25) 문서열기
공고번호/일자 (20121211) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자 10-2010-0046392 (2010.05.18)
관련 출원번호 1020100046392
심사청구여부/일자 Y (2012.03.07)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이효철 대한민국 대전 유성구
2 김장배 대한민국 대전 유성구
3 윤제문 대한민국 대전 유성구
4 왕기영 대한민국 대전 유성구
5 김진백 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김종관 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)
2 박창희 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)
3 권오식 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application
2012.03.07 수리 (Accepted) 1-1-2012-0187387-34
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.05.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0272639-64
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.07.06 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0541461-20
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.07.06 수리 (Accepted) 1-1-2012-0541487-17
5 등록결정서
Decision to grant
2012.11.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0720974-86
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
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번호 청구항
1 1
형광패턴 형성방법에 있어서,a)기재 상에 에폭시기를 포함하는 가교반응형 폴리머, 광산발생제, 형광체 및 유기용매로 이루어진 화학증폭형 포토레지스트 조성물을 코팅 및 소프트베이킹(soft-baking)하고 패턴된 포토마스크를 올린 후 노광하는 단계;b)상기 노광한 후 후열반응(postbaking)으로 형광패턴을 형성하는 단계;를 포함하는 복제방지용 형광패턴 형성방법
2 2
제1항에 있어서,상기 b)단계에서 후열반응은 90~120℃에서 2~8분 처리하는 복제방지용 형광패턴 형성방법
3 3
제1항에 있어서,상기 a)단계에서 광산발생제는 포토레지스트 전체 조성물에 대하여 0
4 4
제1항에 있어서,상기 a)단계에서 광산발생제는 트리페닐설포늄 헥사플루오로 안티모네이트(triphenylsulfonium hexafluoro antimonite), 트리페닐설포늄 트리플레이트(triphenylsulfonium triflate)로부터 선택되는 것인 복제방지용 형광패턴 형성방법
5 5
삭제
6 6
삭제
7 7
제1항에 있어서,상기 형광체는 파장이 다른 둘이상의 형광염료인 복제방지용 형광패턴 형성방법
8 8
제1항에 있어서,상기 형광체는 플루오레세인이소티오시아나이트(FITC(Fluorescein isothiocyanate)), 로데민비-이소티오시아나이트(RITC(Rhodamine B-isothiocyanate))로부터 하나이상 선택되는 복제방지용 형광패턴 형성방법
9 9
삭제
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN102696062 CN 중국 FAMILY
2 KR101113035 KR 대한민국 FAMILY
3 KR101180640 KR 대한민국 FAMILY
4 WO2011145881 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY
5 WO2011145881 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN102696062 CN 중국 DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 한국과학기술원 창의적 연구진흥 사업 극고속 시간분해 회절을 이용한 반응중간체의 3차원 분자구조 분석 연구