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반도체 소자 및 무선주파수 소자의 제조방법

기술번호 : KST2014047080
담당센터 : 대전기술혁신센터
전화번호 : 042-610-2279

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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	반도체 소자 및 무선주파수 소자의 제조방법이 제공된다. 반도체 소자의 제조방법에 따르면, 바디, 상기 바디 상의 매몰 절연층 및 상기 매몰 절연층 상의 반도체층의 적층 구조를 갖는 복합 기판을 제공한다. 상기 매몰 절연층 및 상기 반도체층을 식각하여 적어도 하나의 트렌치를 형성한다. 상기 적어도 하나의 트렌치 내의 상기 바디 상에 인버젼 방지층을 형성한다. 상기 적어도 하나의 트렌치를 채우도록 상기 인버젼 방지층 상에 매립 보호층을 형성한다. 상기 적어도 하나의 트렌치 밖의 상기 반도체층 상의 상기 인버젼 방지층의 제 1 부분은 제거되고, 상기 적어도 하나의 트렌치 내의 상기 인버젼 방지층의 제 2 부분은 상기 매립 보호층에 의해서 보호되도록, 상기 매립 보호층 및 상기 인버젼 방지층을 평탄화한다.
Int. CL	H01L 21/76 (2006.01) H01L 27/08 (2006.01)
CPC	H01L 21/76251(2013.01) H01L 21/76251(2013.01)
출원번호/일자	1020100115846 (2010.11.19)
출원인	한국과학기술원
등록번호/일자	10-1186978-0000 (2012.09.24)
공개번호/일자	10-2012-0054459 (2012.05.30) 문서열기
공고번호/일자	(20120928) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	소멸
심사진행상태	수리
심판사항
구분	신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2010.11.19)
심사청구항수	14

출원인

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번호	이름	국적	주소
1	한국과학기술원	대한민국	대전광역시 유성구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	이기성	대한민국	대전광역시 서구
2	임부택	대한민국	대전광역시 서구
3	유동은	대한민국	대전광역시 서구
4	이동욱	대한민국	대전광역시 유성구
5	김한흥	대한민국	경기도 부천시 원미구
6	홍대원	대한민국	대전광역시 유성구
7	황욱증	대한민국	대전광역시 유성구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	김남식	대한민국	서울특별시 서초구 남부순환로**길 -, 층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소)
2	한윤호	대한민국	서울특별시 강남구 테헤란로길 (삼성동) 명지빌딩, *층(선정국제특허법률사무소)
3	박기원	대한민국	서울 강남구 언주로 길 , 층, 층, 층, *층(도곡동, 대림아크로텔)(리앤목특허법인)
4	양기혁	대한민국	서울특별시 강남구 테헤란로길 (삼성동) 명지빌딩, *층(선정국제특허법률사무소)
5	이인행	대한민국	서울특별시 서초구 남부순환로**길 -, 층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
1	한국과학기술원		대전광역시 유성구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2010.11.19	수리 (Accepted)	1-1-2010-0758967-74
2	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2011.06.14	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2011.07.15	수리 (Accepted)	9-1-2011-0061534-58
4	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2012.01.19	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2012-0039612-88
5	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2012.03.19	수리 (Accepted)	1-1-2012-0222373-62
6	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2012.03.19	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2012-0222374-18
7	등록결정서 Decision to grant	2012.08.20	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2012-0480162-66
8	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2013.02.01	수리 (Accepted)	4-1-2013-5019983-17
9	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2014.12.24	수리 (Accepted)	4-1-2014-5158129-58
10	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2014.12.24	수리 (Accepted)	4-1-2014-5157968-69
11	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2014.12.24	수리 (Accepted)	4-1-2014-5157993-01
12	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2019.04.24	수리 (Accepted)	4-1-2019-5081392-49
13	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2020.05.15	수리 (Accepted)	4-1-2020-5108396-12
14	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2020.06.12	수리 (Accepted)	4-1-2020-5131486-63

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 바디, 상기 바디 상의 매몰 절연층 및 상기 매몰 절연층 상의 반도체층의 적층 구조를 갖는 복합 기판을 제공하는 단계;상기 반도체층 상에 패드 절연층을 형성하는 단계;상기 패드 절연층, 상기 반도체층 및 상기 매몰 절연층을 식각하여 적어도 하나의 트렌치를 형성하는 단계;상기 적어도 하나의 트렌치 내의 상기 바디 상에 인버젼 방지층을 형성하는 단계;상기 적어도 하나의 트렌치를 채우도록 상기 인버젼 방지층 상에 매립 보호층을 형성하는 단계; 및상기 적어도 하나의 트렌치 밖의 상기 반도체층 상의 상기 인버젼 방지층의 제 1 부분은 제거되고, 상기 적어도 하나의 트렌치 내의 상기 인버젼 방지층의 제 2 부분은 상기 매립 보호층에 의해서 보호되도록, 상기 매립 보호층 및 상기 인버젼 방지층을 평탄화하는 단계를 포함하고,상기 매립 보호층 및 상기 인버젼 방지층을 평탄화하는 단계는 상기 패드 절연층을 보호막으로 이용하는, 반도체 소자의 제조방법
2	2 삭제
3	3 제 1 항에 있어서, 상기 매립 보호층을 형성하는 단계는 스핀 코팅 방법을 이용하여 평탄하게 형성하는, 반도체 소자의 제조방법
4	4 제 3 항에 있어서, 상기 매립 보호층은 스핀-온-글래스(SOG), 스핀-온-유전체(SOD) 또는 포토레지스트를 포함하는, 반도체 소자의 제조방법
5	5 제 4 항에 있어서, 상기 평탄화하는 단계는 에치백(etch-back)법을 이용하는, 반도체 소자의 제조방법
6	6 제 1 항에 있어서, 상기 평탄화하는 단계는 화학기계적연마법을 이용하고, 상기 매립 보호층은 상기 적어도 하나의 트렌치의 패턴 밀도에 따른 디싱(dishing)을 방지하기 위한 보호막으로 이용되는, 반도체 소자의 제조방법
7	7 제 1 항에 있어서, 상기 인버젼 방지층은 폴리실리콘을 포함하는, 반도체 소자의 제조방법
8	8 제 1 항 및 제 3 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 복합 기판은 실리콘-온-절연체(SOI) 기판을 포함하는, 반도체 소자의 제조방법
9	9 바디, 상기 바디 상의 매몰 절연층 및 상기 매몰 절연층 상의 반도체층의 적층 구조를 갖는 복합 기판을 제공하는 단계;상기 반도체층 상에 패드 절연층을 형성하는 단계;상기 패드 절연층, 상기 반도체층 및 상기 매몰 절연층을 식각하여 적어도 하나의 트렌치를 형성하는 단계;상기 적어도 하나의 트렌치 내의 상기 바디 상에 인버젼 방지층을 형성하는 단계;상기 적어도 하나의 트렌치를 채우도록 상기 인버젼 방지층 상에 매립 보호층을 형성하는 단계; 및상기 인버전 방지층을 각 트렌치 내로 한정하도록, 상기 패드 절연층을 정지층으로 이용하여, 상기 매립 보호층 및 상기 인버젼 방지층을 평탄화하는 단계를 포함하는, 반도체 소자의 제조방법
10	10 제 9 항에 있어서, 상기 평탄화하는 단계 후, 상기 매립 보호층을 제거하는 단계를 더 포함하는, 반도체 소자의 제조방법
11	11 바디, 상기 바디 상의 매몰 절연층 및 상기 매몰 절연층 상의 반도체층의 적층 구조를 갖는 복합 기판을 제공하는 단계;상기 반도체층 상에 패드 절연층을 형성하는 단계;상기 패드 절연층, 상기 반도체층 및 상기 매몰 절연층을 식각하여 적어도 하나의 제 1 트렌치를 형성하는 단계;상기 적어도 하나의 제 1 트렌치 내의 상기 바디 상에 인버젼 방지층을 형성하는 단계;상기 적어도 하나의 제 1 트렌치를 채우도록 상기 인버젼 방지층 상에 매립 보호층을 형성하는 단계; 및상기 적어도 하나의 제 1 트렌치 밖의 상기 반도체층 상의 상기 인버젼 방지층의 제 1 부분은 제거되고, 상기 적어도 하나의 제 1 트렌치 내의 상기 인버젼 방지층의 제 2 부분은 상기 매립 보호층에 의해서 보호되도록, 상기 패드 절연층을 정지층으로 이용하여, 상기 매립 보호층 및 상기 인버젼 방지층을 평탄화하는 단계;활성영역을 한정하도록, 상기 반도체 기판을 식각하여 상기 적어도 하나의 제 1 트렌치를 포함하는 제 2 트렌치를 형성하는 단계; 및상기 제 2 트렌치 내에 필드 절연층을 형성하는 단계를 포함하는, 무선주파수 소자의 제조방법
12	12 제 11 항에 있어서, 상기 평탄화하는 단계 후, 상기 매립 보호층을 제거하는 단계를 더 포함하는, 무선주파수 소자의 제조방법
13	13 제 11 항에 있어서, 상기 제 2 트렌치를 형성하는 단계에서, 상기 매립 보호층의 일부분을 잔류시키는, 무선주파수 소자의 제조방법
14	14 제 11 항에 있어서, 상기 필드 절연층을 형성하는 단계 후 상기 패드 절연층을 제거하는 단계를 더 포함하는, 무선주파수 소자의 제조방법
15	15 제 14 항에 있어서, 상기 패드 절연층은 상기 평탄화하는 단계에서 보호막으로 이용되고, 상기 제 2 트렌치를 형성하는 단계에서 마스크층으로 이용되는, 무선주파수 소자의 제조방법

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법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.

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특허 등록번호	10-1186978-0000

권리란

표시번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 권리란 표입니다.
표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20101119 출원 번호 : 1020100115846 공고 연월일 : 20120928 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20120820 청구범위의 항수 : 14 유별 : H01L 21/76 발명의 명칭 : 반도체 소자 및 무선주파수 소자의 제조방법 존속기간(예정)만료일 : 20170925

특허권자란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허권자란 표입니다.
순위번호	사항
1	(권리자) 한국과학기술원 대전광역시 유성구...

등록료란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 등록료란 표입니다.
제 1 - 3 년분	금 액	295,500 원	2012년 09월 25일	납입
제 4 년분	금 액	243,600 원	2015년 06월 01일	납입
제 5 년분	금 액	243,600 원	2016년 06월 07일	납입

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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2010.11.19	수리 (Accepted)	1-1-2010-0758967-74
2	선행기술조사의뢰서	2011.06.14	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서	2011.07.15	수리 (Accepted)	9-1-2011-0061534-58
4	의견제출통지서	2012.01.19	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2012-0039612-88
5	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2012.03.19	수리 (Accepted)	1-1-2012-0222373-62
6	[명세서등 보정]보정서	2012.03.19	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2012-0222374-18
7	등록결정서	2012.08.20	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2012-0480162-66
8	출원인정보변경(경정)신고서	2013.02.01	수리 (Accepted)	4-1-2013-5019983-17
9	출원인정보변경(경정)신고서	2014.12.24	수리 (Accepted)	4-1-2014-5158129-58
10	출원인정보변경(경정)신고서	2014.12.24	수리 (Accepted)	4-1-2014-5157968-69
11	출원인정보변경(경정)신고서	2014.12.24	수리 (Accepted)	4-1-2014-5157993-01
12	출원인정보변경(경정)신고서	2019.04.24	수리 (Accepted)	4-1-2019-5081392-49
13	출원인정보변경(경정)신고서	2020.05.15	수리 (Accepted)	4-1-2020-5108396-12
14	출원인정보변경(경정)신고서	2020.06.12	수리 (Accepted)	4-1-2020-5131486-63


기술번호	KST2014047080
자료제공기관	NTB
기술공급기관	한국과학기술원
기술명	반도체 소자 및 무선주파수 소자의 제조방법
기술개요	반도체 소자 및 무선주파수 소자의 제조방법이 제공된다. 반도체 소자의 제조방법에 따르면, 바디, 상기 바디 상의 매몰 절연층 및 상기 매몰 절연층 상의 반도체층의 적층 구조를 갖는 복합 기판을 제공한다. 상기 매몰 절연층 및 상기 반도체층을 식각하여 적어도 하나의 트렌치를 형성한다. 상기 적어도 하나의 트렌치 내의 상기 바디 상에 인버젼 방지층을 형성한다. 상기 적어도 하나의 트렌치를 채우도록 상기 인버젼 방지층 상에 매립 보호층을 형성한다. 상기 적어도 하나의 트렌치 밖의 상기 반도체층 상의 상기 인버젼 방지층의 제 1 부분은 제거되고, 상기 적어도 하나의 트렌치 내의 상기 인버젼 방지층의 제 2 부분은 상기 매립 보호층에 의해서 보호되도록, 상기 매립 보호층 및 상기 인버젼 방지층을 평탄화한다.
개발상태	기술개발완료
기술의 우수성
응용분야	반도체 소자
시장규모 및 동향
희망거래유형	기술매매,라이센스,
사업화적용실적
도입시고려사항

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