맞춤기술찾기

이전대상기술

반도체 메모리 수리 기술

  • 기술번호 : KST2014047392
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 메모리 장치 수리 방법은 고장 메모리 셀들을 기하학적 형태로 분류하는 단계; 그리고 상기 기하학적 형태로 분류한 고장 메모리 셀들을 스패어 메모리 블록으로 교체하는 단계를 포함한다. 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 메모리 수리 방법에 의하면 반도체 메모리 장치의 고장 수리 시간을 단축할 수 있다. 또한, 반도체 메모리 장치의 생산 비용을 절감할 수 있다.
Int. CL G11C 29/00 (2006.01)
CPC G11C 29/70(2013.01) G11C 29/70(2013.01) G11C 29/70(2013.01)
출원번호/일자 1020110048149 (2011.05.20)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1269557-0000 (2013.05.24)
공개번호/일자 10-2012-0129700 (2012.11.28) 문서열기
공고번호/일자 (20130604) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.05.20)
심사청구항수 17

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 강성호 대한민국 서울특별시 종로구
2 강우헌 대한민국 서울특별시 광진구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 오세준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)(특허법인 고려)
2 권혁수 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(삼일빌딩, 역삼동)(KS고려국제특허법률사무소)
3 송윤호 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 *** (역삼동) *층(삼일빌딩)(케이에스고려국제특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 서울특별시 서대문구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.05.20 수리 (Accepted) 1-1-2011-0379463-75
2 직권정정안내서
Notification of Ex officio Correction
2011.05.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2011-0045202-70
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5252006-10
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2012.05.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2012.06.19 수리 (Accepted) 9-1-2012-0047105-91
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.10.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0645271-15
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.12.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-1092277-49
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.12.28 수리 (Accepted) 1-1-2012-1092279-30
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5062749-37
10 등록결정서
Decision to grant
2013.05.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0340393-91
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.06.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5088566-87
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
고장 메모리 셀 들을 기하학적 형태로 분류하는 단계; 그리고상기 기하학적 형태로 분류한 고장 메모리 셀 들을 스패어 메모리 블록으로 교체하는 단계를 포함하는 반도체 메모리 장치 수리 방법
2 2
제1 항에 있어서,상기 고장 메모리 셀 들을 셀 주소에 따라 마스터 고장 셀 또는 슬레이브 고장 셀로 분류하는 단계를 더 포함하는 반도체 메모리 장치 수리 방법
3 3
제2 항에 있어서,상기 마스터 고장 셀은 고장 메모리 셀 들 중 서로 행 주소 및 열 주소가 다른 고장 메모리 셀이며, 상기 슬레이브 고장 셀은 상기 마스터 고장 셀과 행 주소 또는 열 주소가 같은 고장 메모리 셀 인 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치 수리 방법
4 4
제1 항 내지 제3 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 기하학적 형태로 분류하는 단계는, 상기 고장 메모리 셀 들을 삼각형 형태, 사각형 형태, 직선 형태 또는 상기 기하학적 형태들 중 둘 이상의 형태로 분류하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치 수리 방법
5 5
제2 항에 있어서,상기 기하학적 형태는 삼각형 형태를 포함하고,상기 삼각형 형태의 고장 메모리 셀 들은 3개의 고장 메모리 셀을 포함하며,상기 3개의 고장 메모리 셀 중 1개 또는 2개의 고장 메모리 셀은 상기 마스터 고장 셀 인 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치 수리 방법
6 6
제2 항에 있어서,상기 기하학적 형태는 사각형 형태를 포함하고,상기 사각형 형태의 고장 메모리 셀 들은 4개의 고장 메모리 셀을 포함하며,상기 4개의 고장 메모리 셀 중 1개 또는 2개의 고장 메모리 셀은 상기 마스터 고장 셀 인 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치 수리 방법
7 7
제1 항에 있어서,상기 스패어 메모리 블록으로 교체하는 단계는, 이진 트리 탐색 방법을 사용하되, 상기 기하학적 형태들 사이에 우선 순위를 선정하여 이진 트리를 탐색하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치 수리 방법
8 8
제7 항에 있어서,상기 기하학적 형태들 사이의 우선 순위는 직선 형태의 고장 메모리 셀, 사각형 형태의 고장 메모리 셀, 삼각형 형태의 고장 메모리 셀의 순서인 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치 수리 방법
9 9
제8 항에 있어서,상기 사각형 형태의 고장 메모리 셀 들은 상기 이진 트리의 하나의 노드 탐색으로 4개의 고장 메모리 셀 들을 상기 스패어 메모리 블록으로 교체하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치 수리 방법
10 10
제8 항에 있어서,상기 삼각형 형태의 고장 메모리 셀 들은 상기 이진 트리의 하나의 노드 탐색으로 2개의 고장 메모리 셀 들을 상기 스패어 메모리 블록으로 교체하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치 수리 방법
11 11
제1 항에 있어서,상기 스패어 메모리 블록으로 교체하는 단계는, 상기 고장 메모리 셀들을 행 방향 또는 열 방향으로 상기 스패어 메모리 블록으로 교체하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치 수리 방법
12 12
제2 항에 있어서,상기 마스터 고장 셀의 개수와 상기 스패어 메모리 블록의 개수를 비교하여 상기 마스터 고장 셀의 개수가 상기 스패어 메모리 블록의 개수보다 많은 경우, 수리 동작을 종료하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치 수리 방법
13 13
고장 메모리 셀들을 기하학적 형태로 분류하는 분류부; 그리고상기 기하학적 형태로 분류한 고장 메모리 셀 들을 스패어 메모리 블록으로 교체하는 교체부를 포함하는 반도체 메모리 수리 장치
14 14
제13 항에 있어서,상기 고장 메모리 셀 들을 셀 주소에 따라 마스터 고장 셀 또는 슬레이브 고장 셀로 분류하는 판별부를 더 포함하는 반도체 메모리 수리 장치
15 15
제13 항에 있어서,상기 분류부는 상기 고장 메모리 셀 들을 사각형 형태, 삼각형 형태, 직선 형태 또는 상기 기하학적 형태들 중 둘 이상의 형태로 분류하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 수리 장치
16 16
자체 수리 기능을 포함하는 반도체 메모리 장치에 있어서,메모리 셀 중 고장 메모리 셀 들을 검출하는 테스트부; 상기 고장 메모리 셀 들을 기하학적 형태로 분류하는 분류부; 그리고상기 기하학적 형태로 분류한 고장 메모리 셀 들을 스패어 메모리 블록으로 교체하는 교체부;를 포함하는 반도체 메모리 장치
17 17
제1항 내지 제3항, 제5항 내지 제12항 중 어느 한 항의 방법을 수행하기 위한 프로그램을 기록한 컴퓨터로 판독 가능한 기록 매체
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.