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이온주입에 의한 분리를 이용한 발광소자 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014049291
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 이온주입에 의한 분리를 이용한 발광소자 제조 방법이 개시된다. 이 방법은 기판, 기판 상에 적층된 제1 도전형의 하부 반도체층, 활성층 및 제2 도전형의 상부 반도체층, 활성층 보다 낮은 낮은 영역에 형성된 분리층을 포함하는 적층 구조체를 형성하는 단계와, 열 공정으로 분리층의 상부와 하부를 분리시키는 단계를 포함한다. 이 방법에 의해 발광소자 제조 과정에서 크랙이 발생되는 것을 방지하고, 고효율, 저비용, 대면적의 발광소자를 단가 상승없이 제조할 수 있다. 발광소자, 이온주입, 분리, 열공정, 하부 반도체층, 활성층, 상부 반도체층
Int. CL H01L 33/12 (2014.01)
CPC
출원번호/일자 1020090019990 (2009.03.09)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-1119009-0000 (2012.02.15)
공개번호/일자 10-2010-0101485 (2010.09.17) 문서열기
공고번호/일자 (20120314) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.03.09)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 우덕하 대한민국 서울특별시 서대문구
2 김선호 대한민국 서울특별시 종로구
3 이석 대한민국 서울특별시 서초구
4 변영태 대한민국 경기도 구리시
5 전영민 대한민국 서울특별시 강남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영철 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)
2 김 순 영 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 헤펙 서울특별시 강남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.03.09 수리 (Accepted) 1-1-2009-0143003-15
2 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2009.08.11 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0490166-98
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.11.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0525160-95
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2011.01.17 수리 (Accepted) 1-1-2011-0037224-48
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2011.02.18 수리 (Accepted) 1-1-2011-0116840-39
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2011.03.14 수리 (Accepted) 1-1-2011-0183337-34
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2011.04.19 수리 (Accepted) 1-1-2011-0287979-31
9 지정기간연장관련안내서
Notification for Extension of Designated Period		 2011.04.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2011-0034062-16
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.05.19 수리 (Accepted) 1-1-2011-0375221-40
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.05.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0375236-24
12 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2011.06.20 수리 (Accepted) 1-1-2011-0466945-99
13 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2011.11.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0662660-71
14 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2011.12.13 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2011-0048480-62
15 등록결정서
Decision to grant		 2012.02.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0079557-91
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
발광 소자 제조 방법으로서,기판, 상기 기판 상에 적층된 제1 도전형의 하부 반도체층, 활성층 및 제2 도전형의 상부 반도체층, 상기 활성층 보다 낮은 영역에 형성된 분리층을 포함하는 적층 구조체를 형성하는 단계; 및열 공정으로 상기 분리층의 상부와 하부를 분리시키는 분리층을 형성하는 단계를 포함하되, 상기 적층 구조체를 형성하는 단계는,기판을 마련하는 단계;상기 기판 내에 이온을 주입하여 상기 분리층을 형성하는 단계; 및상기 분리층이 형성된 기판 상에 상기 제1 도전형의 하부 반도체층, 활성층 및 제2 도전형의 상부 반도체층을 차례로 적층하는 단계를 포함하고,상기 분리층을 형성하는 단계는,상기 기판의 가장자리를 덮는 이온주입 마스크를 형성하는 단계; 상기 이온을 주입하여 상기 분리층을 형성하면서 이온이 주입되지 않은 영역을 마련하는 단계; 및상기 이온주입 후 상기 마스크를 제거하는 단계를 더 포함하는, 발광소자 제조 방법
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
제1항에 있어서,열 공정으로 상기 분리층의 상부와 하부를 분리시키는 단계 후,상기 분리층과 상기 이온이 주입되지 않은 영역의 경계의 연장선을 기준으로 절단공정 또는 식각 공정을 수행하는 단계를 더 포함하는, 발광소자 제조 방법
6 6
제1항 또는 제5항 중 어느 한 항에 있어서,상기 적층 구조체를 형성하는 단계 후,상기 상부 반도체층 상에 오믹 접촉층을 형성하는 단계;상기 오믹 접촉층 상에 금속층을 형성하는 단계; 및상기 금속층 상에 전도성 기판을 접합하는 단계를 더 포함하는, 발광소자 제조 방법
7 7
제6항에 있어서,상기 전도성 기판을 접합하는 단계 후, 가열공정을 실시하여 상기 분리층의 상부와 하부를 분리시키는, 발광소자 제조 방법
8 8
제6항에 있어서,상기 오믹 접촉층 형성시 수반되는 열처리 공정에서 상기 분리층의 상부와 하부를 분리시키는, 발광소자 제조 방법
9 9
제6항에 있어서,상기 금속층은 구리, 알루미늄, 금, 팔라듐, 티타늄, 인듐, 니켈 및 백금으로 이루어진 그룹에서 선택된 하나의 금속 또는 상기 그룹에서 선택된 적어도 두 금속의 합금으로 이루어지는, 발광소자 제조 방법
10 10
제1항에 있어서, 원자번호가 54 보다 크지 않은 원소 중에서 선택된 적어도 한 원자의 이온을 주입하여 상기 분리층을 형성하는, 발광소자 제조 방법
11 11
제6항에 있어서,상기 열 공정으로 상기 분리층의 상부와 하부를 분리시키는 단계 후,상기 하부 반도체층의 표면을 노출시키는 단계; 및상기 노출된 표면 상에 전기 접촉 패드를 형성하는 단계를 더 포함하는, 발광 소자 제조 방법
12 12
제11항에 있어서,상기 하부 반도체층의 표면을 노출시키는 단계는, 상기 하부 반도체층의 하부에 잔류하는 상기 기판을 제거하는 단계를 포함하는, 발광 소자 제조 방법
13 13
제11항에 있어서,상기 전도성 패드를 형성하는 단계 전,상기 노출된 표면 상에 투명 전극을 형성하는 단계를 더 포함하는, 발광소자 제조 방법
14 14
제13항에 있어서,상기 투명 전극을 형성하는 단계 전,상기 하부 반도체층 표면에 러프니스 공정을 수행하는, 발광소자 제조 방법
15 15
제1항에 있어서, 상기 기판은 사파이어 기판, SiC 기판, GaN 기판 또는 GaN층이 적층된 사파이어 기판 및 GaN층이 적층된 SiC 기판에서 선택된 기판인, 발광 소자 제조 방법
16 16
제6항에 있어서,상기 분리층의 상부와 하부를 분리시키는 단계 후, 상기 하부 반도체층, 상기 활성층, 상기 상부 반도체층의 측면을 벽개하여 발광 레이저 다이오드를 제조하는, 발광소자 제조 방법
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 WO2010104249 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 WO2010104249 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.