요약 | 본 발명은 교번된 태양전지 단위 셀의 배열의 구조(W형 모듈구조)를 가지는 염료감응 태양전지 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 태양전지 단위 셀 중에 입자 크기 및 형성 위치를 적절히 조절한 광산란층을 도입함으로써, 태양광 조사시 모든 단위 셀에서 광 산란에 의한 전류 값이 증가하며, 높은 광전 변환 효율을 나타낼 수 있는 염료감응 태양전지 및 그 제조방법을 제공한다. |
---|---|
Int. CL | H01L 31/04 (2014.01) |
CPC | H01G 9/2081(2013.01) H01G 9/2081(2013.01) H01G 9/2081(2013.01) H01G 9/2081(2013.01) H01G 9/2081(2013.01) |
출원번호/일자 | 1020100006537 (2010.01.25) |
출원인 | 한국과학기술연구원 |
등록번호/일자 | 10-1140784-0000 (2012.04.20) |
공개번호/일자 | 10-2011-0087077 (2011.08.02) 문서열기 |
공고번호/일자 | (20120503) 문서열기 |
국제출원번호/일자 | |
국제공개번호/일자 | |
우선권정보 | |
법적상태 | 소멸 |
심사진행상태 | 수리 |
심판사항 | |
구분 | 신규 |
원출원번호/일자 | |
관련 출원번호 | |
심사청구여부/일자 | Y (2010.01.25) |
심사청구항수 | 18 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 한국과학기술연구원 | 대한민국 | 서울특별시 성북구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 고민재 | 대한민국 | 서울특별시 성북구 |
2 | 김경곤 | 대한민국 | 서울특별시 성북구 |
3 | 이도권 | 대한민국 | 서울특별시 성북구 |
4 | 유기천 | 대한민국 | 서울특별시 마포구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 유미특허법인 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 서림빌딩 **층 (역삼동) |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 한국과학기술연구원 | 서울특별시 성북구 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2010.01.25 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0049437-57 |
2 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2011.03.17 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0149690-96 |
3 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2011.05.02 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0324727-56 |
4 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2011.05.02 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2011-0324728-02 |
5 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2011.11.04 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0648719-47 |
6 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2011.12.01 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2011-0956156-97 |
7 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2011.12.01 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0956155-41 |
8 | 등록결정서 Decision to grant |
2012.04.18 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0225847-63 |
9 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.02.19 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5022002-69 |
번호 | 청구항 |
---|---|
1 |
1 상,하부 투명기판 사이에 각 단위셀의 양극(+)으로 배치된 제1단위셀과 음극(-)으로 배치된 제2단위셀이 교대로 배열되며, 제1 단위셀과 제2 단위셀을 전기적으로 연결하는 단위셀간 연결전극과, 제1 단위셀과 제2 단위셀을 전기적으로 절연하는 단위셀간 절연체 및 상,하부 투명기판에 각각 마련된 외부 연결용 전극을 구비하는 교번 극성의 단위 셀의 배열구조를 갖는 염료감응형 태양전지로서,상기 제1단위셀은 한쌍의 도전성 투명전극; 일측 도전성 투명전극 위에 형성된, 표면에 염료가 흡착되며 평균입경이 10nm 내지 50nm인 제1 금속산화물 나노입자를 포함하는 다공질 전극층; 평균입경이 100nm 내지 500nm인 제2 금속산화물 나노입자를 포함하는 광산란층; 전해질; 및 타측 도전성 투명전극 위에 형성된 촉매 박막전극을 포함하며, 상기 제2단위셀은 한쌍의 도전성 투명전극; 일측 도전성 투명전극 위에 형성된, 평균입경이 100nm 내지 500nm인 제2 금속산화물 나노입자를 포함하는 광산란층; 상기 광산란층 위에 형성되며, 염료가 흡착되며 평균입경이 10nm 내지 50nm인 제1 금속산화물 나노입자를 포함하는 다공질 전극층; 전해질; 및 타측 도전성 투명전극 위에 형성된 촉매 박막전극을 포함하는 것인,교번 극성의 단위 셀의 배열구조를 갖는 염료감응형 태양전지 |
2 |
2 제1항에 있어서, 상기 광산란층은 평균입경이 10nm 내지 50nm인 제1 금속산화물 나노입자를 추가로 포함하는 것인, 염료감응형 태양전지 |
3 |
3 제2항에 있어서, 상기 광산란층은 평균입경이 10nm 내지 50nm인 제1 금속산화물 나노입자와 평균입경이 10nm 내지 500nm인 제2 금속산화물 나노입자를 95:5 내지 0:100의 중량 비율로 포함하는 염료감응형 태양전지 |
4 |
4 제1항에 있어서, 상기 제1단위셀은 일측 도전성 투명전극과 다공질 전극층 사이에 차단층을 더 포함하는 염료감응형 태양전지 |
5 |
5 제1항에 있어서, 상기 제2단위셀은 일측 도전성 투명전극과 광산란층 사이에 차단층을 더 포함하는 염료감응형 태양전지 |
6 |
6 제1항에 있어서, 상기 제1 금속산화물 나노입자와 제2 금속산화물 나노입자는 각각 타이타늄(Ti)산화물, 지르코늄(Zr)산화물, 스트론튬(Sr)산화물, 징크(Zn)산화물, 인듐(In)산화물, 란타넘(La)산화물, 바나듐(V)산화물, 몰리브데넘(Mo)산화물, 텅스텐(W)산화물, 틴(Sn)산화물, 나이오븀(Nb)산화물, 마그네슘(Mg)산화물, 알루미늄(Al)산화물, 이트늄(Y)산화물, 스칸듐(Sc)산화물, 사마륨(Sm)산화물, 갈륨(Ga)산화물, 및 스트론튬타이타늄(SrTi) 산화물로 이루어진 군으로부터 1종 이상 선택되는 염료감응형 태양전지 |
7 |
7 제1항에 있어서, 상기 촉매 박막 전극은 백금, 활성탄, 흑연, 카본 나노튜브, 카본블랙, p-형 반도체, 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜))-폴리(스티렌설포네이트), 폴리아닐린-CSA, 펜타센, 폴리아세틸렌, 폴리(3-헥실티오펜, 폴리실록산 카르바졸, 폴리아닐린, 폴리에틸렌 옥사이드, (폴리(1-메톡시-4-(0-디스퍼스레드1)-2,5-페닐렌-비닐렌), 폴리인돌, 폴리카르바졸, 폴리피리디아진, 폴리이소티아나프탈렌, 폴리페닐렌 설파이드, 폴리비닐피리딘, 폴리티오펜, 폴리플루오렌, 폴리피리딘, 폴리피롤, 폴리설퍼나이트라이드, 이들의 유도체, 이들의 공중합체 또는 이들의 복합체로 이루어진 군으로부터 1종 이상 선택되는 물질을 포함하는 포함하는, 염료감응형 태양전지 |
8 |
8 제1항에 있어서, 상기 상,하부 투명기판에는 전기를 단락시킬 수 있는 에칭선이 형성된, 염료감응형 태양전지 |
9 |
9 제1항에 있어서, 상기 절연체는 열융착 고분자 필름 또는 고분자 페이스트인 염료감응형 태양전지 |
10 |
10 제1항에 있어서, 상기 상,하부 기판은 유리, 플라스틱 또는 금속기판으로 이루어진 투명 기판에 전도성 필름이 코팅된 염료감응형 태양전지 |
11 |
11 (a) 전도성 기판 상에 서로간 거리를 두고, 염료가 흡착되며 평균입경이 10nm 내지 50nm인 제1 금속산화물 나노입자를 포함하는 다공질 전극층과 촉매 박막 전극을 교대로 형성하고, 상기 다공질 전극층 위에 평균입경이 100nm 내지 500nm인 제2 금속산화물 나노입자를 포함하는 광산란층을 형성하여 상부 전극 기판을 제조하는 단계와,(b) 전도성 기판 상에 서로간 거리를 두고, 촉매 박막 전극과 평균입경이 100nm 내지 500nm인 제2 금속산화물 나노입자를 포함하는 광산란층을 교대로 형성하고, 상기 광산란층 위에 평균입경이 10nm 내지 50nm인 제1 금속산화물 나노입자를 포함하는 광산란층을 형성하여 하부 전극 기판을 제조하는 단계와,(c) 상기 상부 전극 기판과 하부 전극 기판을 염료에 침지하여 다공질 전극층과 광산란층의 금속산화물 나노입자를 염료로 흡착시키는 단계와,(d) 상기 상부 전극 기판과 하부 전극 기판을 서로 마주보도록 배치하고 접착제로 접합한 후, 서로 마주보는 상,하부 기판 사이에 전해액을 주입하여 각 단위셀의 양극(+)으로 배치된 제1 단위셀과 음극(-)으로 배치된 제2 단위셀이 교대로 배열된 구조를 형성하는 단계와, 및(f) 상기 제1 단위셀과 제2 단위셀의 양극과 음극을 배선으로 연결하는 단계를 포함하는,교번 극성의 단위 셀의 배열구조를 갖는 염료감응형 태양전지의 제조 방법 |
12 |
12 제11항에 있어서, 상기 (a)단계 및 (b)단계에서 광산란층은 평균입경이 10nm 내지 50nm인 제1 금속산화물 나노입자를 추가로 포함하는 염료감응형 태양전지의 제조 방법 |
13 |
13 제11항에 있어서, 상기 염료를 흡착시키는 단계는 기판을 각각 10분 내지 24 시간 동안 염료에 침지하여 이루어지는 염료감응형 태양전지의 제조 방법 |
14 |
14 제11항에 있어서, 상기 전도성 기판은 일정한 간격을 두고 에칭선이 형성되어 있으며, 외부 연결용 전극이 마련되고 배선이 형성되어 있는, 염료감응형 태양전지의 제조 방법 |
15 |
15 제14항에 있어서, 상기 배선은 전도성의 금속 페이스트, 테이프 또는 와이어로 형성된 것인, 염료감응형 태양전지의 제조 방법 |
16 |
16 제11항에 있어서, 상기 전해액은 산화-환원계 전해질, 고분자 전해질 또는 무기입자를 포함하는 고분자 겔 전해질인, 염료감응형 태양전지의 제조 방법 |
17 |
17 제11항에 있어서, 상기 방법은 (a)단계에서 전도성 기판에 다공질 전극층을 형성하기 전에 차단층을 형성하는 단계를 더 포함하는 염료감응형 태양전지의 제조 방법 |
18 |
18 제11항에 있어서, 상기 방법은 (b)단계에서 전도성 기판에 광산란층을 형성하기 전에 차단층을 형성하는 단계를 더 포함하는 염료감응형 태양전지의 제조 방법 |
지정국 정보가 없습니다 |
---|
패밀리정보가 없습니다 |
---|
국가 R&D 정보가 없습니다. |
---|
특허 등록번호 | 10-1140784-0000 |
---|
표시번호 | 사항 |
---|---|
1 |
출원 연월일 : 20100125 출원 번호 : 1020100006537 공고 연월일 : 20120503 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20120418 청구범위의 항수 : 18 유별 : H01L 31/042 발명의 명칭 : 염료감응 태양전지 및 그 제조방법 존속기간(예정)만료일 : 20180421 |
순위번호 | 사항 |
---|---|
1 |
(권리자) 한국과학기술연구원 서울특별시 성북구... |
제 1 - 3 년분 | 금 액 | 373,500 원 | 2012년 04월 20일 | 납입 |
제 4 년분 | 금 액 | 305,200 원 | 2015년 04월 02일 | 납입 |
제 5 년분 | 금 액 | 305,200 원 | 2016년 04월 01일 | 납입 |
제 6 년분 | 금 액 | 610,400 원 | 2017년 11월 17일 | 납입 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 | 2010.01.25 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0049437-57 |
2 | 의견제출통지서 | 2011.03.17 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0149690-96 |
3 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2011.05.02 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0324727-56 |
4 | [명세서등 보정]보정서 | 2011.05.02 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2011-0324728-02 |
5 | 의견제출통지서 | 2011.11.04 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0648719-47 |
6 | [명세서등 보정]보정서 | 2011.12.01 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2011-0956156-97 |
7 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2011.12.01 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0956155-41 |
8 | 등록결정서 | 2012.04.18 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0225847-63 |
9 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.02.19 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5022002-69 |
기술번호 | KST2014049414 |
---|---|
자료제공기관 | NTB |
기술공급기관 | 한국과학기술연구원 |
기술명 | 염료감응 태양전지 및 그 제조방법 |
기술개요 |
본 발명은 교번된 태양전지 단위 셀의 배열의 구조(W형 모듈구조)를 가지는 염료감응 태양전지 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 태양전지 단위 셀 중에 입자 크기 및 형성 위치를 적절히 조절한 광산란층을 도입함으로써, 태양광 조사시 모든 단위 셀에서 광 산란에 의한 전류 값이 증가하며, 높은 광전 변환 효율을 나타낼 수 있는 염료감응 태양전지 및 그 제조방법을 제공한다. |
개발상태 | 특허만신청(등록) |
기술의 우수성 | |
응용분야 | |
시장규모 및 동향 | |
희망거래유형 | 라이선스 |
사업화적용실적 | 없음 |
도입시고려사항 | 없음 |
과제고유번호 | 1345097765 |
---|---|
세부과제번호 | 2E20980 |
연구과제명 | 고효율유무기박막태양전지개발 |
성과구분 | 등록 |
부처명 | 교육과학기술부 |
연구관리전문기관명 | 기초기술연구회 |
연구주관기관명 | 한국과학기술연구원 |
성과제출연도 | 2009 |
연구기간 | 200601~200912 |
기여율 | 0.5 |
연구개발단계명 | 응용연구 |
6T분류명 | BT(생명공학기술) |
과제고유번호 | 1345170922 |
---|---|
세부과제번호 | 2012-0005955 |
연구과제명 | 다중 적층 태양전지 기술개발 |
성과구분 | 등록 |
부처명 | 교육과학기술부 |
연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
연구주관기관명 | 한국과학기술연구원 |
성과제출연도 | 2012 |
연구기간 | 200807~201402 |
기여율 | 0.5 |
연구개발단계명 | 기초연구 |
6T분류명 | ET(환경기술) |
과제고유번호 | 1345097765 |
---|---|
세부과제번호 | 2E20980 |
연구과제명 | 고효율유무기박막태양전지개발 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 교육과학기술부 |
연구관리전문기관명 | 기초기술연구회 |
연구주관기관명 | 한국과학기술연구원 |
성과제출연도 | 2009 |
연구기간 | 200601~200912 |
기여율 | 0.5 |
연구개발단계명 | 응용연구 |
6T분류명 | BT(생명공학기술) |
과제고유번호 | 1345135442 |
---|---|
세부과제번호 | 2008-2000092 |
연구과제명 | 풀스펙트럼광 이용 고효율 태양전지 기술 개발 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 교육과학기술부 |
연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
연구주관기관명 | 한국과학기술연구원(KIST) |
성과제출연도 | 2010 |
연구기간 | 200807~201402 |
기여율 | 0.5 |
연구개발단계명 | 기초연구 |
6T분류명 | ET(환경기술) |
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