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실리콘 기판위에 단결정 CdTe 박막을 제조하는 방법

  • 기술번호 : KST2014049455
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 실리콘 기판위에 단결정 카드늄텔루라이드 (CdTe) 박막을 성장시키는 방법에 관한 것으로, 구체적으로 본 발명에 따른 제조 방법은 1) 실리콘 기판 위에 자연산화막을 제거하는 단계; 2) 자연산화막이 제거된 상기 실리콘 기판위에 이종 화합물의 완충층을 두께를 조절하여 증착하는 단계; 3) 상기의 완충층 위에 CdTe 단결정을 성장하는 단계를 포함하는, 우수한 물성을 가지는 단결정의 CdTe 단결정 웨이퍼를 저가의 실리콘 기판위에 제조하는 방법을 제공한다.
Int. CL H01L 31/0445 (2014.01) H01L 21/205 (2014.01)
CPC H01L 21/02562(2013.01) H01L 21/02562(2013.01) H01L 21/02562(2013.01) H01L 21/02562(2013.01)
출원번호/일자 1020100036773 (2010.04.21)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-1134568-0000 (2012.04.02)
공개번호/일자 10-2011-0117362 (2011.10.27) 문서열기
공고번호/일자 (20120413) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.04.21)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김진상 대한민국 서울특별시 서초구
2 서상희 대한민국 서울특별시 마포구
3 송진동 대한민국 서울 성북구
4 윤석진 대한민국 서울특별시 노원구
5 장호원 대한민국 대구광역시 수성구
6 김광천 대한민국 경기도 안산시 단원구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 정태훈 대한민국 서울특별시 송파구 법원로 ***, A동 ****호(문정동, 엠스테이트)(특허법인 티앤아이)
2 진수정 대한민국 서울특별시 송파구 법원로 ***, A동 ****호(문정동, 엠스테이트)(특허법인 티앤아이)
3 배성호 대한민국 경상북도 경산시 박물관로*길**, ***호(사동, 태화타워팰리스)(특허법인 티앤아이(경상북도분사무소))
4 오용수 대한민국 서울특별시 송파구 법원로 ***, A동 ****호(문정동, 엠스테이트)(특허법인 티앤아이)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 서울특별시 성북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.04.21 수리 (Accepted) 1-1-2010-0254445-76
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.06.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2011.06.27 수리 (Accepted) 1-1-2011-0487691-23
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.07.19 수리 (Accepted) 9-1-2011-0062041-29
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.09.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0519005-75
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.11.09 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0883700-35
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.11.09 수리 (Accepted) 1-1-2011-0883698-20
8 등록결정서
Decision to grant		 2012.03.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0168861-21
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
1) 실리콘 기판에 존재하는 자연산화막을 제거하는 단계;2) 상기 단계 1)에서 자연산화막이 제거된 실리콘 기판위에 완충층을 형성시키는 단계;3) 상기 완충층의 두께를 제어하는 단계;4) 상기 단계 3)에서 형성된 완충층 위에 단결정 CdTe 박막을 성장시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 기판 상에 단결정 카드늄텔루라이드(CdTe) 박막을 성장시키는 방법
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삭제
3 3
제1항에 있어서, 상기 단계 1)에서 자연산화막의 제거는 800℃ 이상의 온도 및 5 x 10-8 torr 이하의 진공도에서 열처리함으로써 이루어지는 것을 특징으로 하는 실리콘 기판 상에 단결정 카드늄텔루라이드(CdTe) 박막을 성장시키는 방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 단계 2)에서 완충층은 Ga과 As으로 이루어진 것을 특징으로 하는 실리콘 기판 상에 단결정 카드늄텔루라이드(CdTe) 박막을 성장시키는 방법
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제1항에 있어서, 상기 단계 3)에서 완충층의 두께는 2nm 내지 10nm으로 제어되는 것을 특징으로 하는 실리콘 기판 상에 단결정 카드늄텔루라이드(CdTe) 박막을 성장시키는 방법
6 6
제1항에 있어서, 상기 단계 4)에서 단결정 CdTe 박막의 성장은 금속유기화합물 기상 증착법으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 실리콘 기판 상에 단결정 카드늄텔루라이드(CdTe) 박막을 성장시키는 방법
7 7
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