요약 | 캐소드; 상기 캐소드 상에 형성되며 제1전자수송물질과 n형 도펀트를 포함하는 제1전자수송층; 상기 제1전자수송층 상에 형성되며 제2전자수송물질을 포함하는 제2전자수송층; 상기 제2전자수송층 상에 형성된 발광층; 상기 발광층 상에 형성된 정공수송층; 및 상기 정공수송층 상에 형성된 애노드;를 포함하고, 상기 제2전자수송층의 최저 비점유 분자 궤도(Lowest unoccupied molecular orbial: LUMO)의 절대값과 상기 제1전자수송층의 최저 비점유 분자 궤도(LUMO)의 절대값의 차이가 0 내지 0.2eV인 인버티드 유기 발광 소자가 제공된다. |
---|---|
Int. CL | H01L 51/52 (2006.01.01) H05B 33/18 (2006.01.01) H01L 51/54 (2006.01.01) |
CPC | H01L 51/5004(2013.01) H01L 51/5004(2013.01) H01L 51/5004(2013.01) H01L 51/5004(2013.01) |
출원번호/일자 | 1020100140552 (2010.12.31) |
출원인 | 서울대학교산학협력단 |
등록번호/일자 | 10-1223615-0000 (2013.01.11) |
공개번호/일자 | 10-2012-0078294 (2012.07.10) 문서열기 |
공고번호/일자 | (20130117) 문서열기 |
국제출원번호/일자 | |
국제공개번호/일자 | |
우선권정보 | |
법적상태 | 소멸 |
심사진행상태 | 수리 |
심판사항 | |
구분 | 신규 |
원출원번호/일자 | |
관련 출원번호 | |
심사청구여부/일자 | Y (2011.02.11) |
심사청구항수 | 18 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 서울대학교산학협력단 | 대한민국 | 서울특별시 관악구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 김장주 | 대한민국 | 서울특별시 종로구 |
2 | 이정환 | 대한민국 | 경상남도 창원시 성산구 |
3 | 박형돌 | 대한민국 | 서울특별시 동대문구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 리앤목특허법인 | 대한민국 | 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔) |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 서울대학교 산학협력단 | 서울특별시 관악구 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2010.12.31 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0880970-96 |
2 | [심사청구]심사청구(우선심사신청)서 [Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination) |
2011.02.11 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0097379-01 |
3 | [출원서등 보정]보정서 [Amendment to Patent Application, etc.] Amendment |
2011.02.14 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0103913-70 |
4 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2011.09.27 | 수리 (Accepted) | 4-1-2011-5195109-43 |
5 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2012.06.12 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0338816-75 |
6 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2012.07.10 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0550866-18 |
7 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2012.07.10 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2012-0550867-64 |
8 | 등록결정서 Decision to grant |
2012.12.14 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0762585-02 |
9 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2013.01.14 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5007213-54 |
10 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.03.17 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5033829-92 |
11 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.05.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5062924-01 |
12 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.05.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5093546-10 |
13 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.05.23 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5101798-31 |
14 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.08.02 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5154561-59 |
번호 | 청구항 |
---|---|
1 |
1 캐소드; 상기 캐소드 상에 형성되며 제1전자수송물질과 n형 도펀트를 포함하는 제1전자수송층; 상기 제1전자수송층 상에 형성되며 제2전자수송물질을 포함하는 제2전자수송층; 상기 제2전자수송층 상에 형성된 발광층; 상기 발광층 상에 형성된 정공수송층; 및 상기 정공수송층 상에 형성된 애노드;를 포함하고,상기 제2전자수송층의 최저 비점유 분자 궤도(Lowest unoccupied molecular orbial: LUMO)의 절대값과 상기 제1전자수송층의 최저 비점유 분자 궤도(LUMO)의 절대값의 차이가 0 내지 0 |
2 |
2 삭제 |
3 |
3 제1항에 있어서,상기 제1전자수송물질이 하기 화합물 1 내지 3 중 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 인버티드 유기 발광 소자:003c#화합물 1003e#003c#화합물 2003e#003c#화합물 3003e# |
4 |
4 제1항에 있어서,상기 n형 도펀트가 리튬(Li), 나트륨(Na), 칼륨(K), 루비듐(Rb), 세슘(Cs), 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 스트론튬(Sr), 바륨(Ba), 란타늄(La), 세륨(Ce), 네오디뮴(Nd), 사마륨(Sm), 유로퓸(Eu), 테르븀(Tb), 디스프로슘(Dy) 및 이테르븀(Yb) 중 하나 이상의 금속; 상기 금속의 질화물; 상기 금속의 탄산염(carbonate); 및 상기 금속의 착물; 중 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 인버티드 유기 발광 소자 |
5 |
5 제1항에 있어서,상기 n형 도펀트가 Li2CO3, Na2CO3, K2CO3, Cs2CO3, Rb2CO3 및 Ba2CO3 중 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 인버티드 유기 발광 소자 |
6 |
6 제1항에 있어서,상기 n형 도펀트의 함량이 상기 제1전자수송층 재료의 총중량을 기준으로 0 |
7 |
7 삭제 |
8 |
8 제1항에 있어서,상기 제1전자수송층이 상기 n형 도펀트를 함유하는 제1층 및 상기 제1층 상에 형성되며 상기 제1전자수송물질을 함유하는 제2층을 포함하는 이중층(bilayer)인 것을 특징으로 하는 인버티드 유기 발광 소자 |
9 |
9 제1항에 있어서,상기 제1전자수송층과 상기 제2전자수송층의 두께의 합이 200 내지 1500Å인 것을 특징으로 하는 인버티드 유기 발광 소자 |
10 |
10 제1항에 있어서,상기 제1전자수송층이 상기 캐소드와 접하는 것을 특징으로 하는 인버티드 유기 발광 소자 |
11 |
11 제1항에 있어서,상기 캐소드와 상기 제1전자수송층 간의 에너지 장벽이 0 |
12 |
12 제1항에 있어서,상기 캐소드가 인듐주석산화물(ITO), 인듐아연산화물 (IZO), 아연 산화물 (ZnO), Ag 및 Al 중 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 인버티드 유기 발광 소자 |
13 |
13 제1항에 있어서,상기 캐소드가 투명한 물질이고, 배면 발광형인 것을 특징으로 하는 인버티드 유기 발광 소자 |
14 |
14 제1항에 있어서,상기 애노드가 투명한 물질이고, 전면 발광형인 것을 특징으로 하는 인버티드 유기 발광 소자 |
15 |
15 제1항에 있어서,상기 정공수송층 상에 형성된 정공주입층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 인버티드 유기 발광 소자 |
16 |
16 제15항에 있어서,상기 정공주입층이 상기 정공주입층 재료의 총중량을 기준으로 MoO3, MoO2, WO3, V2O5, ReO3, NiO, 테트라플루오로-테트라시아노-퀴노디메탄(F4-TCNQ), 및 트리스[1,2-비스(트리플루오로메틸)에탄-1,2-디티올렌[Mo(tfd)3] 중 하나 이상을 0 |
17 |
17 제1항에 있어서,상기 발광층이 형광 호스트 또는 인광 호스트를 포함하는 것을 특징으로 하는 인버티드 유기 발광 소자 |
18 |
18 제1항에 있어서,상기 발광층과 상기 제2전자수송층 사이에 개재되는 정공저지층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 인버티드 유기 발광 소자 |
19 |
19 기판 상에 캐소드를 형성하는 단계; 상기 캐소드 상에 2-메틸피리미딘계 화합물과 Rb2CO3를 포함하는 제1전자수송층을 형성하는 단계;상기 제1전자수송층 상에 상기 2-메틸피리미딘계 화합물을 포함하는 제2전자수송층을 형성하는 단계;상기 제2전자수송층 상에 발광층을 형성하는 단계; 상기 발광층 상에 정공수송층을 형성하는 단계; 및상기 정공수송층 상에 애노드를 형성하는 단계;를 포함하는 인버티드 유기 발광 소자의 제조 방법 |
20 |
20 기판, 상기 기판 상에 형성되며 소스 전극 및 드레인 전극, 산화물 반도체층, 게이트 전극, 및 게이트 절연층을 포함하는 n형 박막 트랜지스터; 상기 n형 박막 트랜지스터 상에 형성된 제1절연층; 및 상기 제1절연층 상에 형성되는 제1항, 제3항 내지 제6항, 및 제8항 내지 제18항 중 어느 한 항의 인버티드 유기 발광 소자를 구비하고, 상기 인버티드 유기 발광 소자의 캐소드가 상기 소스 전극 및 드레인 전극 중 하나와 전기적으로 연결된 평판 표시 장치 |
지정국 정보가 없습니다 |
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패밀리정보가 없습니다 |
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순번 | 연구부처 | 주관기관 | 연구사업 | 연구과제 |
---|---|---|---|---|
1 | 지식경제부 | 서울대학교 산학 협력단 | 산업원천기술개발사업 | 고품위 plastic AMOLED 원천 기술 개발 |
특허 등록번호 | 10-1223615-0000 |
---|
표시번호 | 사항 |
---|---|
1 |
출원 연월일 : 20101231 출원 번호 : 1020100140552 공고 연월일 : 20130117 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20121214 청구범위의 항수 : 18 유별 : H01L 51/52 발명의 명칭 : 인버티드 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 평판 표시 장치 존속기간(예정)만료일 : 20190112 |
순위번호 | 사항 |
---|---|
1 |
(권리자) 서울대학교 산학협력단 서울특별시 관악구... |
제 1 - 3 년분 | 금 액 | 373,500 원 | 2013년 01월 14일 | 납입 |
제 4 년분 | 금 액 | 305,200 원 | 2015년 12월 24일 | 납입 |
제 5 년분 | 금 액 | 305,200 원 | 2016년 12월 27일 | 납입 |
제 6 년분 | 금 액 | 305,200 원 | 2017년 12월 21일 | 납입 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 | 2010.12.31 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0880970-96 |
2 | [심사청구]심사청구(우선심사신청)서 | 2011.02.11 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0097379-01 |
3 | [출원서등 보정]보정서 | 2011.02.14 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0103913-70 |
4 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2011.09.27 | 수리 (Accepted) | 4-1-2011-5195109-43 |
5 | 의견제출통지서 | 2012.06.12 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0338816-75 |
6 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2012.07.10 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0550866-18 |
7 | [명세서등 보정]보정서 | 2012.07.10 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2012-0550867-64 |
8 | 등록결정서 | 2012.12.14 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0762585-02 |
9 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2013.01.14 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5007213-54 |
10 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.03.17 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5033829-92 |
11 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.05.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5062924-01 |
12 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.05.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5093546-10 |
13 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.05.23 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5101798-31 |
14 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.08.02 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5154561-59 |
기술번호 | KST2014050434 |
---|---|
자료제공기관 | NTB |
기술공급기관 | 서울대학교 |
기술명 | 인버티드 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 평판 표시 장치 |
기술개요 |
캐소드; 상기 캐소드 상에 형성되며 제1전자수송물질과 n형 도펀트를 포함하는 제1전자수송층; 상기 제1전자수송층 상에 형성되며 제2전자수송물질을 포함하는 제2전자수송층; 상기 제2전자수송층 상에 형성된 발광층; 상기 발광층 상에 형성된 정공수송층; 및 상기 정공수송층 상에 형성된 애노드;를 포함하고, 상기 제2전자수송층의 최저 비점유 분자 궤도(Lowest unoccupied molecular orbial: LUMO)의 절대값과 상기 제1전자수송층의 최저 비점유 분자 궤도(LUMO)의 절대값의 차이가 0 내지 0.2eV인 인버티드 유기 발광 소자가 제공된다. |
개발상태 | 기술개발진행중 |
기술의 우수성 | |
응용분야 | |
시장규모 및 동향 | |
희망거래유형 | 라이센스 |
사업화적용실적 | |
도입시고려사항 |
과제고유번호 | 1415107885 |
---|---|
세부과제번호 | 10035225 |
연구과제명 | 고품위 plastic AMOLED 원천 기술 개발 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 지식경제부 |
연구관리전문기관명 | 한국산업기술평가관리원 |
연구주관기관명 | 서울대학교산학협력단 |
성과제출연도 | 2010 |
연구기간 | 201003~201502 |
기여율 | 1 |
연구개발단계명 | 기초연구 |
6T분류명 | IT(정보기술) |
과제고유번호 | 1345212251 |
---|---|
세부과제번호 | R31-2012-000-10075-0 |
연구과제명 | 지속가능성을 위한 하이브리드 재료 |
성과구분 | 등록 |
부처명 | 교육부 |
연구관리전문기관명 | |
연구주관기관명 | |
성과제출연도 | 2013 |
연구기간 | 200812~201308 |
기여율 | 0.5 |
연구개발단계명 | 응용연구 |
6T분류명 | NT(나노기술) |
과제고유번호 | 1415131581 |
---|---|
세부과제번호 | 10035225 |
연구과제명 | 고품위 plastic AMOLED 원천 기술 개발 |
성과구분 | 등록 |
부처명 | 미래창조과학부 |
연구관리전문기관명 | |
연구주관기관명 | |
성과제출연도 | 2013 |
연구기간 | 201003~201502 |
기여율 | 0.5 |
연구개발단계명 | 기초연구 |
6T분류명 | IT(정보기술) |
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