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격자 정합된 다중 양자우물 구조의 집적광소자용 에피박막의 제조방법에 있어서,격자 정합된 에피박막 구조의 다중 양자우물 기판에 대하여 이온주입을 실시하는 단계와, 상기 다중 양자우물 기판의 에피박막 최상층에 SiO2 박막을 증착하여 형성하는 단계와, SiO2 박막이 증착된 다중 양자우물 기판을 온도를 달리하여 1차와 2차로 2단계의 열처리를 실시하는 단계를 포함하되,상기 2단계의 열처리를 실시하는 단계는, SiO2 박막이 증착된 다중 양자우물 기판을 775℃ ~ 875℃의 온도범위에서 1분간 열처리하는 제1열처리 단계와, 이후 675℃의 온도에서 9분간 열처리하는 제2열처리 단계로 구성되는 것을 특징으로 하는 다중 양자우물 구조의 집접광소자용 에피박막의 제조방법
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격자 정합된 다중 양자우물 구조의 집적광소자용 에피박막의 제조방법에 있어서,격자 정합된 에피박막 구조의 다중 양자우물 기판에 대하여 이온주입을 실시하는 단계와, 상기 다중 양자우물 기판의 에피박막 최상층에 SiO2 박막을 증착하여 형성하는 단계와, SiO2 박막이 증착된 다중 양자우물 기판을 온도를 달리하여 1차와 2차로 2단계의 열처리를 실시하는 단계를 포함하되,상기 2단계의 열처리를 실시하는 단계는, SiO2 박막이 증착된 다중 양자우물 기판을 775℃의 온도에서 1분간 열처리하는 제1열처리 단계와, 이후 675℃의 온도에서 9분간 열처리하는 제2열처리 단계로 구성되는 것을 특징으로 하는 다중 양자우물 구조의 집접광소자용 에피박막의 제조방법
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격자 정합된 다중 양자우물 구조의 집적광소자용 에피박막의 제조방법에 있어서,격자 정합된 에피박막 구조의 다중 양자우물 기판에 대하여 이온주입을 실시하는 단계와, 상기 다중 양자우물 기판의 에피박막 최상층에 SiO2 박막을 증착하여 형성하는 단계와, SiO2 박막이 증착된 다중 양자우물 기판을 온도를 달리하여 1차와 2차로 2단계의 열처리를 실시하는 단계를 포함하되,상기 2단계의 열처리를 실시하는 단계는, SiO2 박막이 증착된 다중 양자우물 기판을 675℃의 온도에서 9분간 열처리하는 제1열처리 단계와, 이후 775℃ ~ 875℃의 온도범위에서 1분간 열처리하는 제2열처리 단계로 구성되는 것을 특징으로 하는 다중 양자우물 구조의 집적광소자용 에피박막의 제조방법
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격자 정합된 다중 양자우물 구조의 집적광소자용 에피박막의 제조방법에 있어서,격자 정합된 에피박막 구조의 다중 양자우물 기판에 대하여 이온주입을 실시하는 단계와, 상기 다중 양자우물 기판의 에피박막 최상층에 SiO2 박막을 증착하여 형성하는 단계와, SiO2 박막이 증착된 다중 양자우물 기판을 온도를 달리하여 1차와 2차로 2단계의 열처리를 실시하는 단계를 포함하되, 상기 2단계의 열처리를 실시하는 단계는, SiO2 박막이 증착된 다중 양자우물 기판을 675℃의 온도에서 9분간 열처리하는 제1열처리 단계와, 이후 875℃의 온도에서 1분간 열처리하는 제2열처리 단계로 구성되는 것을 특징으로 하는 다중 양자우물 구조의 집적광소자용 에피박막의 제조방법
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