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Ｖ형 트렌치 적용 나노선 센서

  • 기술번호 : KST2014052164
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본원은 V형 트렌치 구조를 포함하는 센서 플랫폼; 및, 상기 V형 트렌치 구조 내에 형성된 나노선의 네트워크를 포함하는, V형 트렌치 나노선 센서에 관한 것이다.
Int. CL H01L 29/78 (2006.01) G01N 27/407 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01) B82Y 15/00 (2011.01)
CPC H01L 29/4236(2013.01) H01L 29/4236(2013.01) H01L 29/4236(2013.01) H01L 29/4236(2013.01) H01L 29/4236(2013.01) H01L 29/4236(2013.01) H01L 29/4236(2013.01) H01L 29/4236(2013.01)
출원번호/일자 1020110092905 (2011.09.15)
출원인 인하대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1299079-0000 (2013.08.16)
공개번호/일자 10-2013-0029569 (2013.03.25) 문서열기
공고번호/일자 (20130827) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.09.15)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 인하대학교 산학협력단 대한민국 인천광역시 미추홀구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김상섭 대한민국 경기도 부천시 원미구
2 정성현 대한민국 인천광역시 남구
3 최선우 대한민국 경상북도 김천시 평

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인엠에이피에스 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 **, *층 (역삼동, 한동빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 인하대학교 산학협력단 인천광역시 미추홀구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.09.15 수리 (Accepted) 1-1-2011-0717004-72
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.08.31 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.09.28 수리 (Accepted) 9-1-2012-0075147-09
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.02.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0122223-91
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.04.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0353512-96
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.04.22 수리 (Accepted) 1-1-2013-0353511-40
7 등록결정서
Decision to grant		 2013.08.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0557377-93
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.07.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5098802-16
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.09.05 수리 (Accepted) 4-1-2016-5127132-49
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5036549-31
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266647-91
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
V형 트렌치 구조를 포함하는 센서 플랫폼; 및,상기 V형 트렌치 구조 내측면 및 그 주변부에 금속산화물을 포함하여 형성된 나노선의 네트워크를 포함하는, V형 트렌치 나노선 센서
2 2
삭제
3 3
제 1 항에 있어서,상기 나노선은 상기 금속산화물에 담지된 금속 나노입자를 추가 포함하여 형성된 것인, V형 트렌치 나노선 센서
4 4
제 1 항에 있어서,상기 센서 플랫폼은 상기 V형 트렌치 구조 상에 형성된 절연층을 추가 포함하는 것인, V형 트렌치 나노선 센서
5 5
V형 트렌치 구조를 포함하는 센서 플랫폼을 형성하는 단계; 및,상기 V형 트렌치 구조 내에 나노선의 네트워크를 형성하는 단계를 포함하며,상기 V형 트렌치 구조 내에 나노선의 네트워크를 형성하는 단계는, 상기 V형 트렌치 구조 상에 상기 나노선 성장용 촉매층을 형성하고, 상기 촉매층 상에 상기 나노선을 성장시켜 상기 나노선의 네트워크를 형성하는 것을 포함하는 것인, V형 트렌치 나노선 센서의 제조 방법
6 6
제 5 항에 있어서,상기 나노선은 금속산화물을 포함하여 형성된 것인, V형 트렌치 나노선 센서의 제조 방법
7 7
제 5 항에 있어서,상기 V형 트렌치 구조를 포함하는 센서 플랫폼을 형성하는 단계는, 기재 상에 V형 트렌치 구조를 형성하고, 상기 V형 트렌치 구조의 내측면 및 외면에 전극층을 형성하는 것을 포함하는 것인, V형 트렌치 나노선 센서의 제조 방법
8 8
삭제
9 9
제 5 항에 있어서,상기 트렌치 구조 내에 나노선의 네트워크를 형성하는 단계는, 상기 형성된 나노선 상에 금속 나노입자를 담지하는 것을 추가 포함하는 것인, V형 트렌치 나노선 센서의 제조 방법
10 10
제 5 항에 있어서,상기 촉매층은 PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition), 열 화학기상증착법(Thermal Chemical Vapor Deposition), MOCVD(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition), 스퍼터(sputter), 솔-젤(sol-gel) 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 방법에 의해 형성되는 것인, V형 트렌치 나노선 센서의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 인하대학교 산학협력단 방사선융합기술 Radiolysis와 system-on-ship 공정을 결합한 VOCs 선택검지 시스템 개발