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플라즈마의 라디칼 제어 장치 및 방법

  • 기술번호 : KST2014052444
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 플라즈마의 라디칼 제어 장치 및 제어 방법에 관한 것으로, 챔버, 상기 챔버 내부에 플라즈마를 형성시키는 플라즈마 발생부 및 상기 챔버 내부에 형성된 플라즈마 내의 전자 온도를 변화시키는 라디칼 제어부를 포함할 수 있다. 이와 같이 구성함으로써 플라즈마의 밀도는 변화시키지 않고 라디칼만 독립적으로 제어할 수 있다.
Int. CL H05H 1/46 (2006.01) H05H 1/24 (2006.01)
CPC H01J 37/32137(2013.01) H01J 37/32137(2013.01) H01J 37/32137(2013.01) H01J 37/32137(2013.01) H01J 37/32137(2013.01) H01J 37/32137(2013.01) H01J 37/32137(2013.01)
출원번호/일자 1020130034081 (2013.03.29)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1477676-0000 (2014.12.23)
공개번호/일자 10-2014-0119341 (2014.10.10) 문서열기
공고번호/일자 (20141231) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.03.29)
심사청구항수 15

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정진욱 대한민국 서울 송파구
2 이효창 대한민국 대전 서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 홍성욱 대한민국 서울시 강남구 역삼로 *** 동아빌딩 *층(에스와이피특허법률사무소)
2 유병욱 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로**길* 백년빌딩*층(세연특허법률사무소)
3 한승범 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로**길* (역삼동) 백년빌딩 *층(세연특허법률사무소)
4 심경식 대한민국 서울시 강남구 역삼로 *** 동아빌딩 *층(에스와이피특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.03.29 수리 (Accepted) 1-1-2013-0273560-12
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2014.03.05 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2014.04.09 수리 (Accepted) 9-1-2014-0030062-08
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.06.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0428205-02
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.08.25 수리 (Accepted) 1-1-2014-0803512-19
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.08.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0803513-54
8 등록결정서
Decision to grant		 2014.12.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0874194-71
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
챔버;상기 챔버 내부에 플라즈마를 형성시키는 플라즈마 발생부; 및상기 챔버 내부에 형성된 플라즈마 내의 전자를 가열하여 상기 전자의 에너지 분포 또는 전자 온도를 변화시키는 라디칼 제어부;를 포함하고,상기 라디칼 제어부는, 플라즈마의 밀도 또는 이온 에너지 플럭스에는 영향을 주지 않도록 플라즈마의 이온화(ionization)에 영향을 주지 않는 낮은 에너지를 가지는 전자를 가열하며,상기 라디칼 제어부에 의해서 조절된 라디칼 생성량 또는 라디칼 조성비는 플라즈마 공정에 필요한 라디칼 생성량 또는 라디칼 조성비가 입력되어 있는 센싱부에 의해 센싱되고,상기 센싱부는 센싱값과 라디칼 입력값을 비교하여 라디칼 제어부의 작동 여부를 결정하는 것을 특징으로 하는 플라즈마의 라디칼 제어 장치
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
챔버;상기 챔버 내부에 플라즈마를 형성시키는 플라즈마 발생부; 및상기 챔버 내부에 형성된 플라즈마 내의 전자를 유도 전기장으로 가열하여 상기 전자의 에너지 분포 또는 전자 온도를 변화시키는 라디칼 제어부;를 포함하고,상기 라디칼 제어부는, 플라즈마의 밀도 또는 이온 에너지 플럭스에는 영향을 주지 않도록 플라즈마의 이온화(ionization)에 영향을 주지 않는 낮은 에너지를 가지는 전자를 가열하며,상기 라디칼 제어부에 의해서 조절된 라디칼 생성량 또는 라디칼 조성비는 플라즈마 공정에 필요한 라디칼 생성량 또는 라디칼 조성비가 입력되어 있는 센싱부에 의해 센싱되고,상기 센싱부는 센싱값과 라디칼 입력값을 비교하여 라디칼 제어부의 작동 여부를 결정하는 것을 특징으로 하는 플라즈마의 라디칼 제어 장치
5 5
제4항에 있어서,상기 라디칼 제어부에서 생성된 유도 전기장은 표피효과 깊이로 플라즈마에 침투하는, 플라즈마의 라디칼 제어 장치
6 6
제5항에 있어서,상기 라디칼 제어부에서 생성되는 전기장의 세기는 상기 플라즈마 발생부에서 생성되는 전기장의 세기 보다 작은, 플라즈마의 라디칼 제어 장치
7 7
제1항, 제4항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,상기 라디칼 제어부는 상기 플라즈마 발생부와 일체로 형성되는, 플라즈마의 라디칼 제어 장치
8 8
제1항, 제4항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,상기 라디칼 제어부는 상기 챔버의 측면에 형성된 관측창에 구비되는, 플라즈마의 라디칼 제어 장치
9 9
제1항, 제4항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,상기 라디칼 제어부는 상기 챔버의 상면 또는 측면에 형성되는, 플라즈마의 라디칼 제어 장치
10 10
제1항, 제4항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,상기 라디칼 제어부는 상기 챔버와 이격되어 형성되는, 플라즈마의 라디칼 제어 장치
11 11
제1항, 제4항 내지 제6항 중 어느 한 항에 따른 제어 장치를 이용한 플라즈마의 라디칼 제어 방법에 있어서,상기 플라즈마 발생부에 의해 상기 챔버 내부에 플라즈마를 발생시키는 단계;상기 플라즈마의 전자 온도를 조절하는 단계;상기 플라즈마 내에 존재하는 라디칼의 생성량 또는 조성비를 조절하는 단계; 및상기 라디칼의 생성량 또는 조성비를 센싱하고 목표값과 일치하는지 여부를 확인하는 단계;를 포함하는, 플라즈마의 라디칼 제어 방법
12 12
제11항에 있어서,상기 플라즈마를 발생시키는 단계에서는 축전 결합 방식 또는 유도 결합 방식에 의해서 상기 챔버 내에 플라즈마를 발생시키는, 플라즈마의 라디칼 제어 방법
13 13
제11항에 있어서,상기 플라즈마의 전자 온도를 조절하는 단계에서는 플라즈마의 밀도와 독립적으로 전자 온도를 제어하는, 플라즈마의 라디칼 제어 방법
14 14
제11항에 있어서,상기 플라즈마의 전자 온도를 조절하는 단계에서는 플라즈마에 유도 전기장을 인가하는, 플라즈마의 라디칼 제어 방법
15 15
제14항에 있어서,상기 플라즈마의 전자 온도를 조절하는 단계에서는 표피 효과 깊이로 플라즈마에 침투할 수 있도록 유도 전기장을 플라즈마에 인가하는, 플라즈마의 라디칼 제어 방법
16 16
제11항에 있어서,상기 플라즈마의 전자 온도를 조절하는 단계에서는 낮은 에너지 영역에 있는 상기 전자의 에너지 분포를 변화시키는, 플라즈마의 라디칼 제어 방법
17 17
제11항에 있어서,상기 플라즈마의 전자 온도를 조절하는 단계에서는 연속 파장 형태의 유도 전기장 또는 펄스 형태의 유도 전기장을 플라즈마에 인가하는, 플라즈마의 라디칼 제어 방법
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패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 한양대학교 산학협력단 신기술융합형성장동력사업 우주 모사 환경 발생 및 정밀 제어 기반 신공정 기술 개발
2 교육과학기술부 한양대학교 산학협력단 우수연구센터육성사업 대기압 바이오 플라즈마의 온도 밀도 라디칼 진단 및 원천 특성 제어 연구