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표면이 패턴화된 분리막, 그 제조방법 및 이를 이용한 수처리 공정

  • 기술번호 : KST2014053062
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 피처리 유체와 접하는 표면에 요철 부분으로 이루어진 반복적인 패턴이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 분리막을 제공한다.또한 본 발명은 (i) 한 쪽 표면에 요철 부분으로 이루어진 반복적인 패턴을 갖는 몰드에 고분자 용액을 함침시켜서, 상기 몰드의 패턴 위에 상기 패턴과 역상인 표면 패턴을 갖는 고분자층이 배치된 몰드-고분자층의 적층체를 형성하는 단계; 및 (ii) 상기 몰드-고분자층의 적층체로부터 상기 몰드를 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 분리막의 제조방법을 제공한다.본 발명의 분리막은 표면에 형성된 패턴으로 인하여 피처리수와 접촉되는 여과 면적이 증가되며 막오염의 원인이 되는 케이크/층이 분리막에 들러붙는 것이 방지되므로 수처리 공정에 적용하는 경우 투과 성능이 현저히 향상된다.
Int. CL B01D 61/12 (2006.01.01) B01D 39/00 (2006.01.01) B01D 69/10 (2006.01.01) B01D 69/02 (2006.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020117013397 (2009.11.11)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1275909-0000 (2013.06.11)
공개번호/일자 10-2011-0096039 (2011.08.26) 문서열기
공고번호/일자 (20130617) 문서열기
국제출원번호/일자 PCT/KR2009/006608 (2009.11.11)
국제공개번호/일자 WO2010056034 (2010.05.20)
우선권정보 대한민국  |   1020080111880   |   2008.11.11
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국제출원
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.06.10)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이정학 대한민국 서울특별시 관악구
2 이홍희 대한민국 서울특별시 관악구
3 원영준 대한민국 강원도 원주시
4 김태일 대한민국 서울특별시 관악구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인태평양 대한민국 서울특별시 중구 청계천로 **, *층(다동, 예금보험공사빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 서울특별시 관악구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허법 제203조에 따른 서면
[Patent Application] Document according to the Article 203 of Patent Act		 2011.06.10 수리 (Accepted) 1-1-2011-0439108-78
2 보정요구서
Request for Amendment		 2011.07.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2011-0059668-04
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2011.07.25 수리 (Accepted) 1-1-2011-0574334-68
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.27 수리 (Accepted) 4-1-2011-5195109-43
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.09.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0587146-66
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2012.11.29 수리 (Accepted) 1-1-2012-0990216-60
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2012.12.28 수리 (Accepted) 1-1-2012-1090667-06
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-5007213-54
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.01.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0084404-20
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.01.29 수리 (Accepted) 1-1-2013-0084405-76
11 등록결정서
Decision to grant		 2013.05.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0371960-95
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
다공성의 지지층(support layer), 및그 지지층 위에 배치되고 상기 지지층보다 치밀한 조직을 갖는 고분자 스킨층(skin layer)을 포함하는 비대칭성 구조의 분리막으로서,피처리 유체와 접하는 고분자 스킨층 표면에 요철 부분으로 이루어진 반복적인 리소그래피 패턴이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 수처리용 분리막
2 2
청구항 1에 있어서,한외여과막 또는 나노여과막인 것을 특징으로 하는 수처리용 분리막
3 3
청구항 1에 있어서,상기 고분자 스킨층과 상기 지지층 사이에 중간층(middle layer)을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 수처리용 분리막
4 4
청구항 1에 있어서,상기 반복적인 리소그래피 패턴은 피라미드 패턴, 엠보싱 패턴 및 프리즘 패턴으로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 수처리용 분리막
5 5
청구항 1에 있어서,상기 고분자 스킨층은 열가소성 불소계 수지로 이루어진 것을 특징으로 하는 수처리용 분리막
6 6
청구항 1에 있어서,상기 반복적인 리소그래피 패턴은 표면 조도(surface roughness)가 1
7 7
(a) 한 쪽 표면에 요철 부분으로 이루어진 반복적인 리소그래피 패턴을 갖는 몰드에 고분자 용액을 함침시켜서, 상기 몰드의 패턴 위에 상기 패턴과 역상인 표면 패턴을 갖는 고분자 스킨층이 배치된 몰드-스킨층의 적층체를 형성하는 단계;(b) 상기 몰드-스킨층의 적층체의 스킨층 쪽에 다공성의 지지층을 배치하는 단계; 및(c) 상기 몰드-스킨층의 적층체로부터 상기 몰드를 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 비대칭성 분리막의 제조방법
8 8
청구항 7에 있어서,상기 (b) 단계에서의 상기 지지층은 중간층을 통하여 상기 몰드-스킨층의 적층체의 스킨층 쪽에 배치되는 것을 특징으로 하는 비대칭성 분리막의 제조방법
9 9
청구항 7에 있어서,상기 리소그래피 패턴은 피라미드 패턴, 엠보싱 패턴 및 프리즘 패턴으로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 비대칭성 분리막의 제조방법
10 10
청구항 7에 있어서,상기 분리막은 한외여과막 또는 나노여과막인 것을 특징으로 하는 비대칭성 분리막의 제조방법
11 11
분리막을 이용하여 피처리수를 여과하는 수처리 공정으로서, 상기 분리막은 청구항 1 내지 6 중의 어느 한 항에 기재된 분리막인 것을 특징으로 하는 수처리 공정
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1 EP02366449 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
2 WO2010056034 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY
3 WO2010056034 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY
4 WO2010056034 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 EP2366449 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
2 EP2366449 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
3 WO2010056034 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
4 WO2010056034 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
5 WO2010056034 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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