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임플란트 동요도 계측 장치 및 그 방법

  • 기술번호 : KST2014053077
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 임플란트 동요도 계측 장치는 식립된 임플란트에 충격이 가해져 상기 임플란트가 진동할 때 상기 임플란트와의 거리 변화로 인한 자기장 변화를 감지하고, 상기 자기장 변화에 따른 전기적 신호를 출력하는 인덕티브 센서, 상기 인덕티브 센서로부터 입력받은 상기 전기적 신호를 디지털 신호로 변환하여 출력하는 신호 처리부 및 상기 신호 처리부가 출력하는 디지털 신호의 주파수 안정도 변화를 통해 상기 임플란트의 동요도를 분석하는 분석부를 포함한다. 이때, 상기 임플란트에 체결되어 상기 임플란트가 진동할 때 상기 임플란트 진동의 진폭을 증가시켜 상기 인덕티브 센서로 전달하는 어댑터가 더 포함된다.
Int. CL A61C 19/04 (2006.01.01) G01N 27/00 (2006.01.01) G01N 27/72 (2006.01.01) A61C 8/00 (2006.01.01)
CPC A61C 19/04(2013.01) A61C 19/04(2013.01) A61C 19/04(2013.01) A61C 19/04(2013.01) A61C 19/04(2013.01)
출원번호/일자 1020110077516 (2011.08.03)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1272253-0000 (2013.05.31)
공개번호/일자 10-2013-0015498 (2013.02.14) 문서열기
공고번호/일자 (20130613) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.08.03)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이원진 대한민국 서울특별시 성북구
2 김태일 대한민국 서울특별시 서초구
3 김대승 대한민국 경기도 고양시 덕양구
4 이우진 대한민국 서울 종로구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 유미특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 서림빌딩 **층 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 이원진 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.08.03 수리 (Accepted) 1-1-2011-0601819-23
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.09.27 수리 (Accepted) 4-1-2011-5195109-43
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.11.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0674890-25
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.12.11 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-1030530-65
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.12.11 수리 (Accepted) 1-1-2012-1030531-11
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-5007213-54
7 등록결정서
Decision to grant
2013.04.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0284978-97
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
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번호 청구항
1 1
삭제
2 2
식립된 임플란트에 충격이 가해져 상기 임플란트가 진동할 때 상기 임플란트와의 거리 변화로 인한 자기장 변화를 감지하고, 상기 자기장 변화에 따른 전기적 신호를 출력하는 인덕티브 센서;상기 인덕티브 센서로부터 입력받은 상기 전기적 신호를 디지털 신호로 변환하여 출력하는 신호 처리부;상기 신호 처리부가 출력하는 디지털 신호의 주파수 안정도 변화를 통해 상기 임플란트의 동요도를 분석하는 분석부; 및상기 임플란트에 체결되어 상기 임플란트가 진동할 때 상기 임플란트 진동의 진폭을 증가시켜 상기 인덕티브 센서로 전달하는 어댑터를 포함하는 임플란트 계측 장치
3 3
제2항에 있어서, 상기 어댑터는,상기 임플란트의 암나사 부분에 체결되는 임플란트 계측 장치
4 4
제2항에 있어서,상기 인덕티브 센서는, 상기 임플란트의 임펄스 응답 신호를 출력하고,상기 분석부는,상기 신호 처리부에 의해 디지털화된 임펄스 응답 신호로부터 스펙트럼 분석을 통해 피크 주파수를 계산하고, 계산된 피크 주파수를 임플란트 식립 환경에 따른 주파수 안정도 변화를 계측할 수 있는 파라미터로 사용하여 상기 임플란트의 동요도를 분석하는 임플란트 동요도 계측 장치
5 5
제4항에 있어서,상기 임펄스 응답 신호의 주파수 영역에서 첫번째 피크 주파수가 해당 임플란트의 동요도를 대표하는 값을 나타내는 임플란트 동요도 계측 장치
6 6
삭제
7 7
인덕티브 센서, 신호 처리부 및 분석부를 포함하는 임플란트 동요도 계측 장치의 임플란트 동요도 계측 방법으로서,임플란트에 체결된 어댑터가 상기 임플란트가 진동할 때 상기 임플란트 진동의 진폭을 증가시켜 상기 인덕티브 센서로 전달하는 단계;상기 임플란트에 체결된 상기 인덕티브 센서가 식립된 임플란트에 충격이 가해져 상기 임플란트가 진동할 때 상기 임플란트와의 거리 변화로 인한 자기장 변화에 따른 전기적 신호를 출력하는 단계;상기 인덕티브 센서와 연결된 상기 신호 처리부가 상기 인덕티브 센서로부터 입력받은 상기 전기적 신호를 디지털 신호로 변환하여 출력하는 단계; 및상기 신호 처리부와 연결된 상기 분석부가 상기 신호 처리부로부터 입력받은 디지털 신호의 주파수 안정도 변화를 통해 상기 임플란트의 동요도를 분석하는 단계를 포함하는 임플란트 동요도 계측 방법
8 8
제7항에 있어서,상기 분석하는 단계는,상기 신호 처리부에 의해 디지털화된 상기 인덕티브 센서가 출력한 임펄스 응답 신호로부터 스펙트럼 분석을 통해 피크 주파수를 계산하는 단계; 및상기 피크 주파수를 임플란트 식립 환경에 따른 주파수 안정도 변화를 계측할 수 있는 파라미터로 사용하여 상기 임플란트의 동요도를 분석하는 단계를 포함하는 임플란트 동요도 계측 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.