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다공성 나노구조를 갖는 그래핀막의 제조방법

  • 기술번호 : KST2014053922
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 환원 전위차를 이용한 그래핀의 선택적 식각방법으로 다공성 나노구조를 갖는 그래핀막을 제조하는 방법에 관한 것으로서, 더욱 구체적으로는 그래핀 상에 금속 박막을 증착시켜 막 형태의 금속층을 형성하는 제 1 단계; 상기 막 형태의 금속층이 형성된 그래핀을 진공 하에서 열 처리하여 그래핀 상에 입자 형태의 금속층을 형성하는 제 2 단계; 및 상기 입자 형태의 금속층이 형성된 그래핀을 대기 분위기 하에서 열 처리하여 입자 형태의 금속과 접촉된 그래핀 부분을 식각하는 제 3 단계;를 포함하는 다공성 나노구조를 갖는 그래핀막을 제조하는 방법에 관한 것이다.
Int. CL C01B 31/02 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01) C23C 16/06 (2006.01)
CPC C01B 32/184(2013.01) C01B 32/184(2013.01) C01B 32/184(2013.01) C01B 32/184(2013.01)
출원번호/일자 1020110145045 (2011.12.28)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1325575-0000 (2013.10.30)
공개번호/일자 10-2012-0081935 (2012.07.20) 문서열기
공고번호/일자 (20131105) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020100136493   |   2010.12.28
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.12.28)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김상우 대한민국 경기도 수원시 장안구
2 유지범 대한민국 경기도 성남시 분당구
3 이강혁 대한민국 경기도 수원시 장안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인다나 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 *길 **, 신관 *층~*층, **층(역삼동, 광성빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 경기도 수원시 장안구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.12.28 수리 (Accepted) 1-1-2011-1046233-94
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090770-53
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.20 수리 (Accepted) 4-1-2012-5131828-19
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.27 수리 (Accepted) 4-1-2012-5137236-29
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.02.28 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.04.09 수리 (Accepted) 9-1-2013-0026685-47
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.07.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0489584-19
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.07.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0671913-61
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.07.25 수리 (Accepted) 1-1-2013-0671912-15
10 등록결정서
Decision to grant		 2013.10.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0718660-97
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
그래핀 상에 금속 박막을 증착시켜 막 형태의 금속층을 형성하는 제 1 단계;상기 막 형태의 금속층이 형성된 그래핀을 진공 하에서 열 처리하여 그래핀 상에 입자 형태의 금속층을 형성하는 제 2 단계; 및상기 입자 형태의 금속층이 형성된 그래핀을 대기 분위기 하에서 열 처리하여 입자 형태의 금속과 접촉된 그래핀 부분을 식각하는 제 3 단계;를 포함하는 다공성 나노구조를 갖는 그래핀막의 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 제 1 단계에서 금속은 그래핀 보다 표준환원전위가 높은 금속인 다공성 나노구조를 갖는 그래핀막의 제조방법
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 제 1 단계에서 금속은 Ag 또는 Au인 다공성 나노구조를 갖는 그래핀막의 제조방법
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 제 1 단계의 금속 박막은 3 내지 30 nm 인 다공성 나노구조를 갖는 그래핀막의 제조방법
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 제 2 단계의 진공은 10-9 내지 10-3 torr 인 다공성 나노구조를 갖는 그래핀막의 제조방법
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 제 2 단계의 열 처리는 500 내지 1000 ℃에서 0
7 7
제 1 항에 있어서, 상기 제 2 단계의 입자는 다각형 또는 구형의 단면을 가지는 다공성 나노구조를 갖는 그래핀막의 제조방법
8 8
제 1 항에 있어서, 상기 제 3 단계의 열 처리는 300 내지 450 ℃에서 1 내지 4시간 동안 실시하는 다공성 나노구조를 갖는 그래핀막의 제조방법
9 9
제 1 항에 있어서, 상기 제 3 단계 후 세척 단체를 거쳐 입자 형태의 금속을 제거하는 단계를 추가로 포함하는 다공성 나노구조를 갖는 그래핀막의 제조방법
10 10
제 1 항에 있어서,상기 다공성 나노구조를 갖는 그래핀막은 기공 평균 직경이 10 내지 500 nm인 다공성 나노구조를 갖는 그래핀막의 제조방법
11 11
삭제
12 12
제 1 항 내지 제 10 항 중에서 선택된 어느 한 항에 따른 방법으로 제조되고, 기공 평균 직경이 10 내지 500 nm인 다공성 나노구조를 갖는 그래핀막
13 13
제 12 항에 있어서,기공 간 간격 10 내지 200 nm인 다공성 나노구조를 갖는 그래핀막
14 14
환원전위 값이 알려진 금속물질이 증착된 그래핀의 열처리 후 라만 스펙트로스코피 측정을 이용하여 그래핀의 표준환원전위를 측정하는 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.