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결정질 실리콘 태양전지 제조 기술

  • 기술번호 : KST2014054201
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 선택적 에미터층 제조방법, 이에 의하여 제조된 선택적 에미터층 및 이를 포함하는 실리콘 태양전지가 제공된다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 방법은 제 1 도전형 불순물이 도핑된 실리콘 기판상에 제 2 도전형 불순물이 함유된 제 1 불순물 소스를 접촉시키는 단계; 상기 기판을 제 1 열처리하여, 상기 제 1 불순물 소스에 함유된 제 2 도전형 불순물을 상기 기판으로 제 1 확산시키는 단계; 상기 제 2 도전형 불순물이 함유된 제 2 불순물 소스를 제 2 열처리하여, 상기 제 1 확산된 기판 전체 영역에 상기 제 2 불순물 소스에 함유된 제 2 도전형 불순물을 제 2 확산시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하며, 본 발명은 동일챔버 내에서 진행되는 연속된 단일 공정에서, 열처리 온도 및 기체 분위기 조건을 조절하여 선택적 에미터층을 경제적인 방식으로 제조할 수 있는 방법을 제공한다. 더 나아가, 농도 확산에 영향을 주는 열처리 조건을 달리 구성함으로써 선택적 에미터층에서의 불순물 확산 정도를 선택적으로 제어할 수 있다.
Int. CL H01L 31/18 (2006.01) H01L 31/04 (2014.01)
CPC H01L 31/1804(2013.01) H01L 31/1804(2013.01)
출원번호/일자 1020110073761 (2011.07.25)
출원인 한국에너지기술연구원
등록번호/일자 10-1406339-0000 (2014.06.03)
공개번호/일자 10-2013-0012494 (2013.02.04) 문서열기
공고번호/일자 (20140616) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.03.12)
심사청구항수 14

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국에너지기술연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 송희은 대한민국 인천광역시 중구
2 정경택 대한민국 강원도 강릉시 주문진읍
3 최성진 대한민국 충청남도 당진군
4 이정철 대한민국 대전광역시 유성구
5 강기환 대한민국 대전광역시 유성구
6 유권종 대한민국 서울특별시 서초구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 다해 대한민국 서울특별시 강남구 삼성로***, *층(삼성동,고운빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국에너지기술연구원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.07.25 수리 (Accepted) 1-1-2011-0574587-02
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.01.04 수리 (Accepted) 4-1-2012-5001923-88
3 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2013.03.12 수리 (Accepted) 1-1-2013-0213154-04
4 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2013.03.12 수리 (Accepted) 1-1-2013-0214397-59
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.12.24 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.01.07 수리 (Accepted) 4-1-2014-5003356-15
7 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2014.02.11 수리 (Accepted) 9-1-2014-0011463-13
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.03.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0203689-10
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.05.23 수리 (Accepted) 1-1-2014-0486190-07
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.05.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0486191-42
11 등록결정서
Decision to grant		 2014.05.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0370953-31
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.10 수리 (Accepted) 4-1-2015-0013224-83
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.01.19 수리 (Accepted) 4-1-2017-5010650-13
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.01.08 수리 (Accepted) 4-1-2019-5004978-55
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5166801-48
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5166803-39
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.09.01 수리 (Accepted) 4-1-2020-5197654-62
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
태양전지의 선택적 에미터층 제조방법으로, 상기 방법은 제 1 도전형 불순물이 도핑된 실리콘 기판의 특정 영역 상에 제 2 도전형 불순물이 함유된 제 1 불순물 소스를 접촉시키는 단계; 상기 기판을 제 1 열처리하여, 상기 제 1 불순물 소스에 함유된 제 2 도전형 불순물을 상기 기판으로 제 1 확산시켜 상기 기판 상에 고농도 도핑 영역을 형성하는 단계; 상기 제 2 도전형 불순물이 함유된 제 2 불순물 소스를 제 2 열처리하여, 상기 제 1 확산된 기판 전체 영역에 상기 제 2 불순물 소스에 함유된 제 2 도전형 불순물을 제 2 확산시켜 저농도 도핑 영역을 형성하는 단계를 포함하며,상기 제 1 열처리 및 제 2 열처리는 상기 기판이 적치된 동일 챔버 내에서의 연속 공정으로 진행되어져, 상기 고농도 도핑 영역과 상기 저농도 도핑 영역으로 구성되는 선택적 에미터층을 제조하게 하는 것을 특징으로 하는 태양전지의 선택적 에미터층 제조방법
2 2
삭제
3 3
제 1항에 있어서, 상기 제 1 열처리 온도는 상기 제 2 열처리 온도보다 높은 것을 특징으로 하는 태양전지의 선택적 에미터층 제조방법
4 4
제 1항에 있어서, 상기 방법은 상기 제 1 열처리와 제 2 열처리 단계 사이에는 상기 기판의 온도를 냉각시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지의 선택적 에미터층 제조방법
5 5
제 1항, 제 3항 및 제 4항 중 어느 한 항에 따른 방법에 의하여 제조된 태양전지의 선택적 에미터층
6 6
제 1 도전형 불순물이 도핑된 실리콘 기판의 특정 영역 상에 제 2 도전형 불순물 함유 페이스트를 적층하는 단계; 상기 기판을 제 1 열처리하여, 상기 페이스트의 제 2 도전형 불순물을 상기 페이스트 하부의 기판으로 제 1 확산시켜 상기 기판 상에 고농도 도핑 영역을 형성시키는 단계; 및제 2 도전형 불순물을 도핑하기 위한 도핑가스 분위기에서 상기 기판을 제 2 열처리하여, 상기 도핑가스의 제 2형 도전형 불순물을 상기 기판 전체 영역에 제 2 확산시켜 저농도 도핑 영역을 형성시키는 단계를 포함하며,상기 제 1 열처리 및 제 2 열처리는 상기 기판이 적치된 동일 챔버 내에서의 연속 공정으로 진행되어져, 상기 고농도 도핑 영역과 상기 저농도 도핑 영역으로 구성되는 선택적 에미터층을 제조하게 하는 것을 특징으로 하는 태양전지의 선택적 에미터층 제조방법
7 7
삭제
8 8
제 6항에 있어서, 상기 제 1 열처리 온도는 상기 제 2 열처리 온도보다 높은 것을 특징으로 하는 태양전지의 선택적 에미터층 제조방법
9 9
제 8항에 있어서, 상기 방법은상기 제 1 열처리와 제 2 열처리 단계 사이에는 상기 기판의 온도를 냉각시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지의 선택적 에미터층 제조방법
10 10
제 6항에 있어서, 상기 페이스트는 상기 기판에 구비되는 전면전극 형성 영역에 대응되는 영역상에 적층되는 것을 특징으로 하는 태양전지의 선택적 에미터층 제조방법
11 11
제 10항에 있어서, 상기 방법은상기 제 1 열처리 단계와 상기 제 2 열처리 단계를 모두 마친 후 상기 챔버 외부에서 상기 기판에 형성된 PSG 및 페이스트 잔여물을 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지의 선택적 에미터층 제조방법
12 12
제 6항에 있어서, 상기 제 1형 도전형 불순물은 p형 불순물이며, 제 2형 도전형 불순물은 n형 불순물인 것을 특징으로 하는 태양전지의 선택적 에미터층 제조방법
13 13
제 12항에 있어서, 상기 n형 불순물은 인이며, 상기 도핑가스는 POCl3를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지의 선택적 에미터층 제조방법
14 14
제 6항에 있어서, 제 2형 도전형 불순물의 제 1 확산 깊이는 제 2 확산 깊이보다 깊은 것을 특징으로 하는 태양전지의 선택적 에미터층 제조방법
15 15
제 6항 및 제 8항 내지 제 14항 중 어느 한 항에 따른 방법에 의하여 제조된 선택적 에미터층
16 16
제 15항에 따른 선택적 에미터층을 포함하는 실리콘 태양전지
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 한국에너지기술연구원 주요사업 프린터블 실리콘 태양전지 개발