맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

범용원소 이용 초저가 태양전지

  • 기술번호 : KST2014054241
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 태양전지용 CZTSe계 박막의 제조방법 및 그 방법에 의해 제조된 CZTSe계 박막이 개시된다. 본 발명의 CZTSe계 박막의 제조방법은, (S1) Cu, Zn, Sn 및 Se을 동시진공증발법에 따라 기판에 증착하는 단계; 및 (S2) 감소된 기판 온도에서 Sn과 Se을 동시진공증발법에 따라 추가로 증착시키는 단계를 포함한다. 본 발명에 따르면, 고온의 기판 온도에서 Cu, In, Sn, Se를 동시진공증발법을 이용하여 증착한 후 그보다 낮은 기판 온도에서 Sn과 Se을 추가로 증착함으로써 높은 기판 온도에서의 열처리에 의한 Sn 손실을 최소화하고, 박막 내 원소 분포를 균일하게 하여 궁극적으로 에너지 변환효율이 높은 태양전지용 CZTSe계 박막을 제조할 수 있다.
Int. CL H01L 31/18 (2006.01) H01L 31/06 (2006.01) H01L 31/042 (2006.01)
CPC H01L 31/0328(2013.01) H01L 31/0328(2013.01)
출원번호/일자 1020110140283 (2011.12.22)
출원인 한국에너지기술연구원
등록번호/일자 10-1279370-0000 (2013.06.21)
공개번호/일자 10-2013-0072738 (2013.07.02) 문서열기
공고번호/일자 (20130704) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.12.22)
심사청구항수 5

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국에너지기술연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 곽지혜 대한민국 대전광역시 서구
2 윤재호 대한민국 대전광역시 서구
3 안세진 대한민국 대전광역시 유성구
4 윤경훈 대한민국 대전광역시 유성구
5 정성훈 대한민국 경기도 화성시 봉담 임
6 신기식 대한민국 대전광역시 유성구
7 안승규 대한민국 대전광역시 유성구
8 조아라 대한민국 서울특별시 관악구
9 박상현 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 특허법인다울 대한민국 서울 강남구 봉은사로 ***, ***호(역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국에너지기술연구원 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.12.22 수리 (Accepted) 1-1-2011-1023581-84
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.01.04 수리 (Accepted) 4-1-2012-5001923-88
3 등록결정서
Decision to grant		 2013.06.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0418322-11
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.01.07 수리 (Accepted) 4-1-2014-5003356-15
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.10 수리 (Accepted) 4-1-2015-0013224-83
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.01.19 수리 (Accepted) 4-1-2017-5010650-13
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.01.08 수리 (Accepted) 4-1-2019-5004978-55
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5166803-39
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5166801-48
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.09.01 수리 (Accepted) 4-1-2020-5197654-62
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(S1) Cu, Zn, Sn 및 Se을 동시진공증발법에 따라 기판에 증착하는 단계; 및(S2) 감소된 기판 온도에서 Sn과 Se을 동시진공증발법에 따라 추가로 증착시키는 단계를 포함하는 태양전지용 CZTSe계 박막의 제조방법
2 2
청구항 1에 있어서, 상기 S1 단계의 증착은 450∼600℃의 기판 온도에서 수행하는 것을 특징으로 하는 태양전지용 CZTSe계 박막의 제조방법
3 3
청구항 1에 있어서, 상기 S2 단계의 증착은 250∼400℃의 기판 온도에서 수행하는 것을 특징으로 하는 태양전지용 CZTSe계 박막의 제조방법
4 4
Cu, Zn, Sn 및 Se을 동시진공증발법에 따라 기판에 증착하고, 상기 기판의 온도를 감소시킨 후 감소된 기판 온도에서 Sn과 Se을 동시진공증발법에 따라 추가로 증착시켜 제조한 태양전지용 CZTSe계 박막
5 5
Cu, Zn, Sn 및 Se을 동시진공증발법에 따라 기판에 증착하고, 상기 기판의 온도를 감소시킨 후 감소된 기판 온도에서 Sn과 Se을 동시진공증발법에 따라 추가로 증착시켜 제조한 태양전지용 CZTSe계 박막을 포함하는 태양전지
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 한국에너지기술연구원 신재생에너지기술개발사업 범용 소재를 이용한 Se, S계　저가 화합물 박막 태양전지 원천기술 개발