[1020170183339] |
커널 하드웨어 장치 |
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[1020170155424] |
인공신경망 프로세서용 활성화 소자 |
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[1020170147298] |
커패시턴스-기반의 다층 시냅스 소자 및 그의 제조 방법 |
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[1020170049709] |
다중 레벨 저장용 반도체 소자 |
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[1020160155948] |
뉴로모픽 시스템 응용을 위한 시냅스 장치, 이의 제조방법 및 이를 포함한 시냅스 회로 소자(SYNAPSE DEVICE FOR APPLICATION ON NEUROMORPHIC SYSTEM, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SYNAPSE CIRCUIT COMPONENT INCLUDING THE SAME) |
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[1020160124525] |
가중치 소자 및 이의 방법(Weighting Device and Method of the same) |
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[1020160124492] |
불휘발성 강유전체 인버터 및 작동방법(Non-volatile Ferroelectric Inverter and Method of the same) |
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[1020150179836] |
부도체-도체 전이현상을 이용한 뉴런 소자를 포함한 고집적 뉴로모픽 시스템 및 고집적 뉴로모픽 회로(Using Insulator-metal transition electronic neuron High density neuromorphic system and High density neuromorphic system curcuit) |
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[1020140167796] |
뉴로모픽 시스템 응용을 위한 시냅스 장치(Synapse Apparatus for neuromorphic system applications) |
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[1020140104669] |
멤리스터 소자 및 그 제조방법(Memristor element and method for manufacturing the same) |
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[1020140104279] |
시냅스 모방 소자 및 이의 제조방법(Device imitating synaptic and method of manufacturing thereof) |
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[1020140098158] |
메모리 소자용 유기 도핑 재료, 이를 포함하는 비휘발성 메모리 소자 및 이의 제조방법(Organic doping material for memory device, nonvolatile memory device including the same and method of manufacturing the same) |
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[1020140066930] |
나노 전극층 생성 방법(METHOD FOR MANUFACTURING NANO ELECTRODE LAYER) |
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[1020130149989] |
학습을 통한 음성신호 인식방법과 시냅스 특성을 가지는 전자 소자의 응용 방법 |
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[1020130149988] |
가변저항층을 가지는 RRAM과 이를 포함하며 향상된 시냅스 특성을 가지는 전자 소자 |
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[1020130028170] |
RRAM과 이를 포함하며 향상된 시냅스 특성을 가지는 전자 소자 |
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[1020130017017] |
정렬된 산화물 반도체 나노와이어를 포함하는 전계효과 트랜지스터 어레이 및 그의 제조방법 |
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[1020130016681] |
시냅스 특성을 가지는 RRAM을 이용한 전자소자 |
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[1020120153484] |
정렬된 발광성 유기 나노섬유를 포함하는 색변환 형광층 및 그의 제조 방법 |
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[1020120153483] |
정렬된 발광성 유기 나노섬유를 포함하는 레이저 소자 및 그의 제조 방법 |
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