맞춤기술찾기

이전대상기술

미세유체 칩 채널의 선택적 표면 개질 방법 및 이를 이용한 멀티플 이멀전 제조용 미세유체칩의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014057191
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 (A) 미세유체 칩의 채널에 하기 화학식 1의 트리알콕시실릴알킬 메타아크릴레이트 용액을 채우고 가열하여 1차 표 개질하는 단계; (B) 상기 1차 표면개질된 미세유체 칩의 채널에 벤조페논 (Benzophenone), DEAP (2,2-Diethoxyacetophenone), CQ (camphoroquinone), EDMAB (ethyl (4-dimethyl amino) benzoate), DBMP (6-Di-tert-butyl-4-methyl pyridine), DMAEMA (2-(N,N-dimethylamino)ethyl methacrylate), DPIHP (diphenyliodonium hexafluorophosphate) 및 DMPA ( N-(2,3-dimercaptopropyl)-phthalamidic acid)로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 광개시제가 포함된 용액을 채워서 미세유체 칩 채널의 공극에 상기 광개시제를 흡수시키는 단계; (C) 상기 광개시제가 공극에 흡수된 미세유체 칩의 채널에 아크릴릭 산 용액을 채우고 표면개질을 원하는 영역에 자외선을 조사하여 2차 표면개질하는 단계; 및 (D) 상기 2차 표면개질된 미세유체 칩의 채널에 광개시제가 포함된 아크릴릭 액시드 용액을 채우고 표면개질을 원하는 영역에 자외선을 조사하여 3차 표면개질하는 단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 미세유체 칩 채널의 표면개질 방법 및 이에 의한 멀티플 이멀전 제조용 미세유체 칩의 제조방법에 관한 것이다.
Int. CL B01F 5/00 (2006.01) B01F 3/08 (2006.01) C08J 7/16 (2006.01) C08J 7/18 (2006.01)
CPC C08J 7/18(2013.01) C08J 7/18(2013.01) C08J 7/18(2013.01) C08J 7/18(2013.01)
출원번호/일자 1020110022823 (2011.03.15)
출원인 충남대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1243147-0000 (2013.03.07)
공개번호/일자 10-2012-0105173 (2012.09.25) 문서열기
공고번호/일자 (20130313) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.03.15)
심사청구항수 8

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 충남대학교산학협력단 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 이창수 대한민국 대전광역시 서구
2 황소라 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김원준 대한민국 대전광역시 서구 둔산대로***번길 **, 골드벤처타워***호 타임국제특허법률사무소 (만년동)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 충남대학교산학협력단 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.03.15 수리 (Accepted) 1-1-2011-0187630-01
2 보정요구서
Request for Amendment
2011.03.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2011-0023700-91
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2011.03.18 수리 (Accepted) 1-1-2011-0197604-03
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.05.31 수리 (Accepted) 4-1-2011-5108981-12
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2012.01.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2012.02.20 수리 (Accepted) 9-1-2012-0014600-17
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.10.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0623170-97
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.10.26 수리 (Accepted) 1-1-2012-0874547-79
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.10.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0874539-14
10 등록결정서
Decision to grant
2013.02.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0122139-53
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.12.26 수리 (Accepted) 4-1-2013-5174286-48
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.09.01 수리 (Accepted) 4-1-2015-5116888-44
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.09.01 수리 (Accepted) 4-1-2015-5116889-90
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(A) 미세유체 칩의 채널에 하기 화학식 1의 트리알콕시실릴알킬 메타아크릴레이트 용액을 채우고 가열하여 1차 표면개질하는 단계;(B) 상기 1차 표면개질된 미세유체 칩의 채널에 벤조페논 (Benzophenone), DEAP (2,2-Diethoxyacetophenone), CQ (camphoroquinone), EDMAB (ethyl (4-dimethyl amino) benzoate), DBMP (6-Di-tert-butyl-4-methyl pyridine ), DMAEMA (2-(N,N-dimethylamino)ethyl methacrylate), DPIHP (diphenyliodonium hexafluorophosphate), DMPA ( N-(2,3-dimercaptopropyl)-phthalamidic acid)으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 광개시제가 포함된 용액을 채워서 미세유체 칩 채널의 공극에 상기 광개시제를 흡수시키는 단계;(C) 상기 광개시제가 공극에 흡수된 미세유체 칩의 채널에 아크릴릭 산 용액을 채우고 표면개질을 원하는 영역에 자외선을 조사하여 2차 표면개질하는 단계; 및(D) 상기 2차 표면개질된 미세유체 칩의 채널에 광개시제가 포함된 아크릴릭 액시드 용액을 채우고 표면개질을 원하는 영역에 자외선을 조사하여 3차 표면개질하는 단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 미세유체 칩 채널의 표면개질 방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 (A) 및 (B) 단계 이후에는 세척 단계 각각 추가로 포함되는 것을 특징으로 하는 미세유체 칩 채널의 표면개질 방법
3 3
제 1 항에 있어서,상기 (A) 단계 이전에 미세유체 칩을 플라즈마로 처리하는 것을 특징으로 하는 미세유체 칩 채널의 표면개질 방법
4 4
제 1 항에 있어서,상기 (A) 단계의 트리알콕시실릴알킬 메타아크릴레이트 용액은 촉매량의 산을 포함하는 것을 특징으로 하는 미세유체 칩 채널의 표면개질 방법
5 5
제 1 항에 있어서,상기 (A) 단계에서 가열은 100~150℃에서 1~10분간 이루어지는 것을 특징으로 하는 미세유체 칩 채널의 표면개질 방법
6 6
제 1 항에 있어서,상기 (D) 단계의 광개시제는 벤조페논 (Benzophenone), DEAP (2,2-Diethoxyacetophenone), CQ (camphoroquinone), EDMAB (ethyl (4-dimethyl amino) benzoate), DBMP (6-Di-tert-butyl-4-methyl pyridine), DMAEMA (2-(N,N-dimethylamino)ethyl methacrylate), DPIHP (diphenyliodonium hexafluorophosphate) 또는 DMPA ( N-(2,3-dimercaptopropyl)-phthalamidic acid)인 것을 특징으로 하는 미세유체 칩 채널의 표면개질 방법
7 7
제1 주입구에 연결된 미세 체널과 제2 주입구에 연결된 미세 체널이 T-자형으로 만나는 제1 T-자형 접합점(T-junction), 제 1 T-junction으로부터 연장된 미세 체널과 제3 주입구에 연결된 미세 체널이 T-자형으로 만나는 제2 T-junction 및 제2 T-junction으로부터 연장된 미세 체널의 말단에 형성된 배출구를 포함하는 멀티플 이멀전 제조용 미세유체 칩의 제조방법에 있어서,(a) 제1 T-junction ~ 제2 T-junction ~ 배출구 영역을 포함하는 미세유 체 칩 채널에 하기 화학식 1의 트리알콕시실릴알킬 메타아크릴레이트 용액을 채우고 가열하여 표면개질하는 단계;(b) 상기 (a) 단계에서 표면개질된 미세유체 칩의 채널에 벤조페논 (Benzophenone), DEAP (2,2-Diethoxyacetophenone), CQ (camphoroquinone), EDMAB (ethyl (4-dimethyl amino) benzoate), DBMP (6-Di-tert-butyl-4-methyl pyridine), DMAEMA (2-(N,N-dimethylamino)ethyl methacrylate), DPIHP (diphenyliodonium hexafluorophosphate), DMPA (N-(2,3-dimercaptopropyl)-phthalamidic acid)으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 광개시제가 포함된 용액을 처리하여 채널의 공극에 상기 광개시제를 흡수시키는 단계;(c) 상기 광개시제가 처리된 미세유체 칩의 채널에 아크릴릭 산 용액을 채우고 제1 T-junction ~ 제2 T-junction 또는 제2 T-junc tion ~ 배출구 영역에만 자외선을 조사하여 표면개질하는 단계; 및(d) 상기 (c) 단계에서 표면개질된 미세유체 칩의 채널에 광개시제가 포함된 아크릴릭 액시드 용액을 채우고 (c) 단계와 동일한 영역에 자외선을 조사하여 표면개질하는 단계;로 미세유체 칩의 표면을 표면개질하는 것을 특징으로 하는 멀티플 이멀전 제조용 미세유체 칩의 제조방법
8 8
제 7 항의 방법에 의해 제조된 멀티플 이멀전 제조용 미세유체 칩
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.