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패시베이션용 산화알루미늄 박막 제조 방법에 있어서,실리콘 기판에 패시베이션 공정으로 산화알루미늄(Al2O3) 박막을 형성하는 단계 및 상기 산화알루미늄 박막 사이의 중간층으로서 산화아연(ZnO) 박막을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 산화아연 박막의 두께를 조절함으로써 상기 산화알루미늄 박막안의 음의 고정전하 밀도를 제어하는 것을 특징으로 하는 음의 고정전하 밀도 제어가 가능한 패시베이션용 산화알루미늄 박막 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 산화알루미늄 박막 사이의 중간층으로서 산화아연 박막을 형성하는 단계는,상기 산화알루미늄 박막의 상부에 원자층 증착법에 의해 산화아연 박막을 형성하는 단계 및상기 산화아연 박막의 상부에 산화알루미늄 박막을 형성하는 단계를 포함하여 산화알루미늄과 산화아연의 화학적 결합에 의해 산화알루미늄 박막안의 음의 고정전하 밀도가 증가되는 것을 특징으로 하는 음의 고정전하 밀도 제어가 가능한 패시베이션용 산화알루미늄 박막 제조 방법
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제2항에 있어서,상기 산화아연 박막의 상부에 산화알루미늄 박막을 형성하는 단계 이후에,FGA(forming gas annealing) 처리 단계를 더 포함하고, FGA 처리 공정 조건을 조절하여 상기 산화알루미늄 박막 내 음의 고정전하 밀도를 제어하는 것을 특징으로 하는 음의 고정전하 밀도 제어가 가능한 패시베이션용 산화알루미늄 박막 제조 방법
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표면 패시베이션층으로서 산화알루미늄 박막이 형성된 태양전지에 있어서,실리콘 기판의 상부에 형성된 하부 산화알루미늄 박막(BL);상기 하부 산화알루미늄 박막의 상부에 형성된 산화아연 박막(ML) 및상기 산화아연 박막의 상부에 형성된 상부 산화알루미늄 박막(HL)을 포함하는 것을 특징으로 하는 음의 고정전하 밀도 제어가 가능한 산화알루미늄 박막 패시베이션층이 형성된 태양전지
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제4항에 있어서,상기 산화아연 박막의 두께는, 0
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제4항에 있어서,상기 하부 산화알루미늄 박막의 두께는 2
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제1항 내지 제3항 중 어느 한 항의 박막 제조 방법에 의해 제조된 산화알루미늄 박막으로 형성된 표면 패시베이션층을 포함하는 것을 특징으로 하는 전계 효과 트랜지스터
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