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양방향 스위칭 특성을 갖는 2-단자 스위칭 소자, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 저항성 메모리 소자 크로스-포인트 어레이

  • 기술번호 : KST2014058741
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 양방향 스위칭 특성을 갖는 2-단자 스위칭 소자 및 이를 포함하는 저항성 메모리 소자 크로스-포인트 어레이를 제공한다. 2-단자 스위칭 소자는 제1 전극을 구비한다. 제1 전극 상에 제1터널링 배리어막이 위치한다. 제1 터널링 배리어막 상에 산화물 반도체층이 위치한다. 산화물 반도체층 상에 제2 터널링 배리어막이 위치한다. 제2 터널링 배리어막 상에 제2 전극이 위치한다.
Int. CL H01L 21/8247 (2006.01) H01L 27/115 (2006.01)
CPC H01L 45/04(2013.01)H01L 45/04(2013.01)H01L 45/04(2013.01)H01L 45/04(2013.01)
출원번호/일자 1020130097868 (2013.08.19)
출원인 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1457812-0000 (2014.10.28)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20141105) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.08.19)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 황현상 대한민국 대구 수성구
2 우지용 대한민국 인천 계양구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 경상북도 포항시 남구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.08.19 수리 (Accepted) 1-1-2013-0748686-74
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5024386-11
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.07.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0526028-93
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.09.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0936972-72
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.09.30 수리 (Accepted) 1-1-2014-0936971-26
6 등록결정서
Decision to grant		 2014.10.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0725644-65
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제1 전극;상기 제1 전극 상에 위치하는 제1 터널링 배리어막인 TiO2막;상기 제1 터널링 배리어막 상에 위치하는 산화물 반도체층인 TaOx(0003c#x003c#2
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
제1항에 있어서,상기 제1 터널링 배리어막과 상기 제2 터널링 배리어막은 서로에 상관없이 2-10nm의 두께를 갖는 2-단자 스위칭 소자
5 5
삭제
6 6
삭제
7 7
제1항에 있어서,상기 산화물 반도체층은 상기 제2 터널링 배리어막에 접하는 계면에서의 산소 공공의 농도가 제1 터널링 배리어막에 접하는 계면에서의 산소 공공의 농도에 비해 높은 2-단자 스위칭 소자
8 8
제7항에 있어서,상기 산화물 반도체층은 산소 공공 농도의 그라데이션(gradation)을 갖는 2-단자 스위칭 소자
9 9
삭제
10 10
삭제
11 11
제1항에 있어서,상기 제1 전극과 상기 제2 전극은 이에 각각 접하는 상기 제1 터널링 배리어막과 상기 제2 터널링 배리어막과의 반응성이 없는 비활성의 금속막들인 2-단자 스위칭 소자
12 12
제11항에 있어서,상기 제1 전극과 상기 제2 전극은 Pt막 또는 Ir막들인 2-단자 스위칭 소자
13 13
제1 전극을 형성하는 단계;상기 제1 전극 상에 제1 터널링 배리어막인 TiO2막을 형성하는 단계;상기 제1 터널링 배리어막 상에 금속막인 Ta막을 형성하는 단계;상기 금속막을 산소처리하여 상기 제1 터널링 배리어막 상에 차례로 적층된 산화물 반도체층인 TaOx(0003c#x003c#2
14 14
삭제
15 15
삭제
16 16
삭제
17 17
제13항에 있어서,상기 산소 처리는 산화성 분위기에서 수행하는 열처리인 2-단자 스위칭 소자 제조방법
18 18
제1 전극;상기 제1 전극 상에 차례로 배치된 제1 터널링 배리어막인 TiO2막, 산화물 반도체층인 TaOx(0003c#x003c#2
19 19
제18항에 있어서,상기 가변 저항체층은 양극성(bipolar) 가변 저항체층인 저항성 메모리 소자 크로스-포인트 어레이
20 20
제1 전극;상기 제1 전극 상에 위치하는 제1 터널링 배리어막;상기 제1 터널링 배리어막 상에 위치하는 산화물 반도체층;상기 산화물 반도체층 상에 위치하고 상기 제1 터널링 배리어막과 서로 다른 물질막인 제2 터널링 배리어막; 및상기 제2 터널링 배리어막 상에 위치하는 제2 전극을 포함하는 2-단자 스위칭 소자
21 21
제20항에 있어서,상기 제1 터널링 배리어막은 TiO2막이고 상기 제2 터널링 베리어막은 Ta2O5막인 2-단자 스위칭 소자
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US09178023 US 미국 FAMILY
2 US20150048299 US 미국 FAMILY

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2015048299 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US9178023 US 미국 DOCDBFAMILY
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