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제1 전극;상기 제1 전극 상에 위치하고, 금속-절연체 전이 특성을 가지며, 산소 공공을 포함하는 제1 티타늄 산화물층, 및 금속-절연체 전이 특성을 가지며, 산소 공공을 포함하되, 상기 제1 티타늄 산화물층과 산소의 조성이 다른 티타늄 산화물을 포함하는 제2 티타늄 산화물층이 순차적으로 적층된 티타늄 산화물층; 및상기 티타늄 산화물층 상에 위치하는 제2 전극을 포함하는 금속-절연체 전이 특성을 이용한 선택 소자
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제1항에 있어서,상기 제1 티타늄 산화물층 또는 상기 제2 티타늄 산화물층은, TiO2-y(0≤y003c#2), Ti2-xO3-y(0≤x003c#2, 0≤y003c#3), Ti3-xO5-y(0≤x003c#3, 0≤y003c#5), 및 Ti4-xO7-y(0≤x003c#4, 0≤y003c#7)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속-절연체 전이 특성을 이용한 선택 소자
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3
제1항에 있어서,상기 제2 티타늄 산화물층과 상기 제2 전극 사이에 반응성 금속층을 더 포함하는 금속-절연체 전이 특성을 이용한 선택 소자
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4
제3항에 있어서,상기 반응성 금속층은 Mo, Ta, Ti 또는 Al을 포함하는 것을 특징으로 하는 금속-절연체 전이 특성을 이용한 선택 소자
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5
삭제
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6
삭제
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7
절연물질층 및 제1 전극이 교대로 반복적으로 적층된 적층체;상기 적층체를 관통하여 위치하는 비아홀;상기 비아홀 내측면 상에 위치하고,금속-절연체 전이 특성을 가지며, 산소 공공을 포함하는 제1 티타늄 산화물층, 및 금속-절연체 전이 특성을 가지며, 산소 공공을 포함하되, 상기 제1 티타늄 산화물층과 산소의 조성이 다른 티타늄 산화물을 포함하는 제2 티타늄 산화물층이 순차적으로 적층된 티타늄 산화물층; 및상기 비아홀 내부에 충진된 제2 전극을 포함하는 금속-절연체 전이 특성을 이용한 선택 소자
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8
제7항에 있어서,상기 제1 티타늄 산화물층 또는 상기 제2 티타늄 산화물층은, TiO2-y(0≤y003c#2), Ti2-xO3-y(0≤x003c#2, 0≤y003c#3), Ti3-xO5-y(0≤x003c#3, 0≤y003c#5), 및 Ti4-xO7-y(0≤x003c#4, 0≤y003c#7)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속-절연체 전이 특성을 이용한 선택 소자
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9
제7항에 있어서,상기 제2 티타늄 산화물층 및 상기 제2 전극 사이에 위치하는 반응성 금속층을 더 포함하는 금속-절연체 전이 특성을 이용한 선택 소자
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10
제9항에 있어서,상기 반응성 금속층은 Mo, Ta, Ti 또는 Al을 포함하는 것을 특징으로 하는 금속-절연체 전이 특성을 이용한 선택 소자
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11
삭제
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12
삭제
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제7항에 있어서,상기 제1 전극의 두께는 0
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14
제7항에 있어서,상기 제1 전극 또는 상기 제2 전극은 TiN을 포함하는 금속-절연체 전이 특성을 이용한 선택 소자
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저항 변화층을 포함하는 저항 변화 메모리 소자; 및상기 저항 변화 메모리 소자와 전기적으로 연결되는, 제1항 내지 제4항, 제7항 내지 제10항, 제13항, 및 제14항 중 어느 하나의 금속-절연체 전이 특성을 이용한 선택 소자를 포함하는 단위 메모리 셀
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