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상면에 구비되는 반도체층의 물질과 동종의 물질로 이루어지며 하나 이상의 홈을 포함하는 기판;상기 기판 상에 순차로 적층되어 광을 생성하는 반도체층;상기 반도체층 위에 오믹접합되는 금속반사막층; 및상기 금속반사막층의 상면 및 상기 기판의 하면에 형성되어 상기 적층된 층간을 전기적으로 연결하는 전극패드를 포함하는 반도체 발광소자
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제 1항에 있어서, 상기 기판 및 상기 기판의 상면에 인접하여 적층된 반도체층은 동형의 불순물로 도핑된 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자
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제 1항에 있어서, 상기 반도체층은 아래로부터 순차로 적층된 제1클래드층, 활성층, 제2클래드층인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자
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제 3항에 있어서, 상기 제1클래드층과 제2클래드층은 서로 다른 영역의 반도체층인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자
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제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 기판 및 상기 반도체층은 질화갈륨계화합물인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자
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제 5항에 있어서, 상기 질화갈륨계화합물은 질화갈륨(GaN), 질화인듐갈륨(InGaN), 질화알루미늄갈륨(AlGaN)으로 구성된 그룹에서 선택된 1종 이상의 화합물인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자
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제 1항에 있어서, 상기 홈은 상기 기판의 하면에서부터 상면의 상기 반도체층의 인접면까지 이르는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자
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제 1항에 있어서, 상기 기판은 외부 공기와 접하는 하나 이상의 면에 요철을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자
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제 1항에 있어서, 상기 금속반사막층은 은(Ag), 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 크롬(Cr), 금(Au), 텅스텐(W), 로듐(Rh), 구리(Cu) 및 상기 금속 중 어느 하나 이상으로 이루어진 합금으로 구성된 그룹에서 선택된 어느 1종의 금속인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자
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10
제 1항 있어서, 상기 금속반사막층의 상면에 형성된 전극패드는 냉금(chill)층으로 대체되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자
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제 10항에 있어서, 상기 냉금층은 알루미늄(Al), 구리(Cu), 텅스텐(W), 구리-텅스텐합금(CuW), 실리콘카바이드(SiC)로 구성된 그룹에서 선택된 1종 이상의 냉금물질인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자
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3족-5족 반도체화합물로 이루어진 기판에 하나 이상의 홈을 형성하는 단계;상기 기판 위에 동종의 반도체화합물로 이루어진 제1클래드층, 활성층, 및 제2클래드층을 순차로 적층하는 단계;상기 제2클래드층 상면에 금속반사막층을 오믹접착하는 단계; 및상기 금속반사막층의 상면 및 상기 기판의 하면에 전극패드를 형성하는 단계를 포함하는 반도체 발광소자의 제조방법
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제 12항에 있어서, 상기 기판 및 제1클래드층은 동형의 불순물로 도핑되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자의 제조방법
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제 12항에 있어서, 상기 제1클래드층과 제2클래드층은 서로 다른 영역의 반도체층인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자의 제조방법
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제 12항에 있어서, 상기 3족-5족 반도체화합물은 질화갈륨계화합물인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자의 제조방법
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제 15항에 있어서, 상기 질화갈륨계화합물은 질화갈륨(GaN), 질화인듐갈륨(InGaN), 질화알루미늄갈륨(AlGaN)으로 구성된 그룹에서 선택된 1종 이상의 화합물인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자의 제조방법
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제 12항에 있어서, 상기 홈은 상기 기판의 하면에서부터 상면의 상기 제1클래드층의 인접면까지 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자의 제조방법
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제 12항에 있어서, 상기 홈의 깊이는 5 내지 200㎛ 인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자의 제조방법
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제 12항에 있어서, 상기 홈의 형성 단계 이후에, 기판에서 외부 공기와 접하는 하나 이상의 면에 요철을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자의 제조방법
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제 12항에 있어서, 상기 기판의 하면에 전극패드를 형성하는 단계 이전에, 기판에서 외부 공기와 접하는 하나 이상의 면에 요철을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자의 제조방법
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제 19항 또는 제 20항에 있어서, 상기 요철은 기판의 하면의 소정 부위를 제외하고 형성하고, 상기 요철이 형성되지 않은 기판 하면의 소정 부위에 전극패드를 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자의 제조방법
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제 12항에 있어서, 상기 금속반사막층은 은(Ag), 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 크롬(Cr), 금(Au), 텅스텐(W), 로듐(Rh), 구리(Cu) 및 상기 금속 중 어느 하나 이상으로 이루어진 합금으로 구성된 그룹에서 선택된 어느 1종 이상의 금속인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자의 제조방법
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23
제 12항 있어서, 상기 금속반사막층의 상면에 전극패드를 형성하는 단계는 상기 금속반사막층의 상면에 냉금(chill)층을 오믹접착하는 단계로 대체되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자의 제조방법
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제 23항에 있어서, 상기 냉금층은 알루미늄(Al), 구리(Cu), 텅스텐(W), 구리-텅스텐합금(CuW), 실리콘카바이드(SiC)로 구성된 그룹에서 선택된 1종 이상의 냉금물질인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자의 제조방법
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