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이종 기판 위에 유전체층을 형성하는 유전체층 형성 단계;상기 유전체층 위에 Al2O3의 나노입자를 함유한 혼합액을 도포하여 다층의 나노입자층을 형성하는 나노입자층 형성 단계;상기 나노입자층 위에 질화물계 반도체층을 형성하는 질화물계 반도체층 형성 단계;상기 질화물계 반도체층 위에 지지기판을 접합하는 접합 단계;상기 나노입자층 아래의 상기 유전체층이 형성된 상기 이종 기판을 분리하는 분리 단계;상기 나노입자층을 제거하여 상기 지지기판 위에 상기 질화물계 반도체층이 형성된 질화물계 반도체 소자를 획득하는 획득 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 입자를 이용한 질화물계 반도체 소자의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 유전체층 형성 단계에서,상기 이종 기판은 사파이어(Al2O3), 실리콘(Si), 징크 옥사이드(zinc oxide, ZnO), 갈륨 나이트라이드(gallium nitride, GaN), 갈륨 비소(GaAs), 실리콘 카바이드(silicon carbide, SiC), 알루미늄 나이트라이드(AlN) 또는 산화 마그네슘(MgO) 소재의 기판이 사용되고,상기 유전체층은 상기 이종 기판 위에 100 내지 200nm의 두께로 형성된 실리콘산화막(SiO2) 또는 실리콘질화막(SiN) 중에 하나인 것을 특징으로 하는 나노 입자를 이용한 질화물계 반도체 소자의 제조 방법
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제2항에 있어서, 상기 나노입자층 형성 단계에서,상기 혼합액을 도포하여 1㎛ 이하의 두께를 갖는 다중층으로 상기 나노입자층을 형성하는 것을 특징으로 하는 나노 입자를 이용한 질화물계 반도체 소자의 제조 방법
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제2항에 있어서, 상기 나노입자층 형성 단계는스핀 코팅, 스프레인 또는 딥인 방법으로 수행하는 것을 특징으로 하는 나노 입자를 이용한 질화물계 반도체 소자의 제조 방법
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제3항에 있어서, 상기 질화물계 반도체층 형성 단계는,상기 나노입자층 위에 질화물계 반도체층을 성장시키는 단계;상기 질화물계 반도체층을 제조될 질화물계 반도체 소자에 대응되게 분할하는 분할 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 입자를 이용한 질화물계 반도체 소자의 제조 방법
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제5항에서, 상기 분할 단계에서,건식 식각으로 상기 나노입자층이 노출되게 상기 질화물계 반도체층을 분할하는 것을 특징으로 하는 나노 입자를 이용한 질화물계 반도체 소자의 제조 방법
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제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 분리 단계에서,상기 유전체층이 형성된 상기 이종 기판을 습식 식각이나 초음파 세척기를 이용하여 상기 나노입자층에서 분리하는 것을 특징으로 하는 나노 입자를 이용한 질화물계 반도체 소자의 제조 방법
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