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기판(Substrate);상기 기판 상에 형성되는 시드층(Seed Layer); 상기 시드층상에, 시드층의 소정영역이 노출되도록 패터닝(patterning)되어 형성되는 SiO2/W 마스크층; 및상기 노출된 시드층상에 형성되는 적어도 하나 이상의 태양전지층;을 포함하되,상기 기판은 그 수광면에 적어도 하나 이상의 집광렌즈를 형성하는 것을 특징으로 하는 집광렌즈 기판을 구비하는 태양전지
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제 1항에 있어서, 상기 집광렌즈는 복수의 집광렌즈가 어레이(Array) 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 집광렌즈 기판을 구비하는 태양전지
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제 1항에 있어서, 상기 집광렌즈는 그 단면이 반구형, 삼각형, 사각형 또는 다각형 중에서 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 집광렌즈 기판을 구비하는 태양전지
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제 1항에 있어서, 상기 집광렌즈는 그 직경이 1μm 내지 10mm 인 것을 특징으로 하는 집광렌즈 기판을 구비하는 태양전지
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제 1항에 있어서, 상기 집광렌즈를 포함하는 기판의 두께는 1
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제 1항에 있어서, 상기 기판은 실리콘(Si)또는 게르마늄(Ge)으로 형성되는 것을 특징으로 하는 집광렌즈 기판을 구비하는 태양전지
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제 1항에 있어서, 상기 태양전지층은, AlGaAs/GaAS 구조, InGaP/GaAs/Ge 구조 또는 InGaP/InGaAs 구조 중에서 선택되는 어느 하나의 적층구조인 것을 특징으로 하는 집광렌즈 기판을 구비하는 태양전지
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제 1항에 있어서, 상기 시드층은,갈륨비소(GaAs) 또는 갈륨인(GaIn)으로 형성되는 것을 특징으로 하는 집광렌즈 기판을 구비하는 태양전지
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제 1항에 있어서, 상기 태양전지층 상에 오믹(ohmic) 전극층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 집광렌즈 기판을 구비하는 태양전지
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10
제 1항에 있어서, 상기 태양전지층의 상면 및 상기 태양전지층이 형성되지 않은 SiO2/W 마스크층 상면의 소정영역에, 덤핑 메탈층 및 솔더를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 집광렌즈 기판을 구비하는 태양전지
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제 10항에 있어서, 방열판; 및 상기 방열판 상에 라인형태로 형성되며, 상기 솔더와 플립칩 본딩되는 패턴전극;을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 집광렌즈 기판을 구비하는 태양전지
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제 1항에 있어서, 상기 기판의 수광면상에 형성되는 반사방지층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 집광렌즈 기판을 구비하는 태양전지
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기판상에 시드층을 형성하는 단계;상기 시드층 상에, 시드층의 소정영역이 노출되도록 SiO2/W 마스크층을 패터닝하여 증착하는 단계;상기 노출된 시드층 상에 적어도 하나 이상의 태양전지층을 형성하는 단계; 상기 태양전지층과 SiO2/W 마스크층 상부에 패시베이션(passivation)층을 형성하는 단계;상기 태양전지층의 상부영역의 패시베이션(passivation)층을 개방하여 오믹전극을 형성하는 단계;상기 기판의 수광면을 연마하는 단계; 상기 태양전지층의 상부면을 방열판 상에 형성된 라인형태의 패턴전극과 플립칩 본딩하는 단계; 및 상기 연마된 기판의 수광면에 집광렌즈를 형성하는 단계;를 포함하는 집광렌즈기판을 구비하는 태양전지의 제조방법
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제 13항에 있어서, 상기 집광렌즈 형성단계는, 상기 연마된 기판의 수광면에 렌즈형태를 형성하는 단계; 및 상기 렌즈형태를 가공하여 집광렌즈를 형성하는 단계;인 것을 특징으로 하는 집광렌즈기판을 구비하는 태양전지의 제조방법
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제 14항에 있어서, 상기 렌즈형태 형성단계는,습식식각법 또는 건식식각법에 의해 렌즈형태를 형성하는 것을 특징으로 하는 집광렌즈기판을 구비하는 태양전지의 제조방법
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제 14항에 있어서, 상기 집광렌즈 형성단계는,레지스트 플로우(Resist Flow)법 또는 다이렉트 라이팅(Direct Writing)법에 의해 집광렌즈를 형성하는 것을 특징으로 하는 집광렌즈기판을 구비하는 태양전지의 제조방법
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제 13항에 있어서, 상기 집광렌즈 형성단계 후에,상기 기판의 수광면상에 반사방지층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 집광렌즈기판을 구비하는 태양전지의 제조방법
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