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기재;상기 기재 상에 형성된 제 1 금속 산화물을 포함하는 코어, 및 상기 코어 상에 형성된 제 2 금속 산화물 나노입자를 포함하는 쉘을 함유하는 코어-쉘 나노 구조체를 포함하는 센싱부; 및상기 센싱부 상에 서로 이격되어 형성된 2 개의 전극층을 포함하는, 코어-쉘 나노 구조체를 포함하는 센서로서,상기 제 1 금속 산화물 및 상기 제 2 금속 산화물은 각각 독립적으로 Ti, Sn, Zn, Mn, Mg, Ni, W, Co, Fe, Ba, In, Zr, Cu, Al, Bi, Pb, Ag, Cd, Y, Mo, Rh, Pd, Sb, Cs, La, 및 이들의 조합들로 이루어지는 군으로부터 선택되는 금속의 산화물을 포함하고,상기 제 2 금속 산화물 나노입자들 사이에 채널이 형성되어 있고, 상기 채널이 전자의 이동 통로로서 작용하며,상기 코어는 지름이 20 nm 내지 200 nm 이고, 길이가 2 ㎛ 이상인 나노 섬유 형태이며,상기 코어-쉘 나노 구조체는 p-n 타입의 코어-쉘 나노 구조체, 또는 n-n 타입의 코어-쉘 나노 구조체를 포함하며,상기 쉘은 디바이 길이(Debye length) 이하의 두께를 가짐으로써 상기 쉘 전체에 완전 공핍층이 형성되고, 상기 완전 공핍층은 환원성 기체를 감지함으로써 불완전 공핍층으로 전환되었다가, 상기 환원성 기체를 제거하면 자기 완전 공핍층으로 회복되는 것인,코어-쉘 나노 구조체를 포함하는 센서
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기재;상기 기재 상에 서로 이격되어 형성된 2 개의 전극층; 및상기 전극층 상에 형성된 제 1 금속 산화물을 포함하는 코어, 및 상기 코어 상에 형성된 제 2 금속 산화물 나노입자를 포함하는 쉘을 함유하는 코어-쉘 나노 구조체를 포함하는 센싱부을 포함하는, 코어-쉘 나노 구조체를 포함하는 센서로서,상기 제 1 금속 산화물 및 상기 제 2 금속 산화물은 각각 독립적으로 Ti, Sn, Zn, Mn, Mg, Ni, W, Co, Fe, Ba, In, Zr, Cu, Al, Bi, Pb, Ag, Cd, Y, Mo, Rh, Pd, Sb, Cs, La, 및 이들의 조합들로 이루어지는 군으로부터 선택되는 금속의 산화물을 포함하고,상기 제 2 금속 산화물 나노입자들 사이에 채널이 형성되어 있고, 상기 채널이 전자의 이동 통로로서 작용하며,상기 코어는 지름이 20 nm 내지 200 nm 이고, 길이가 2 ㎛ 이상인 나노 섬유 형태이며,상기 코어-쉘 나노 구조체는 p-n 타입의 코어-쉘 나노 구조체, 또는 n-n 타입의 코어-쉘 나노 구조체를 포함하며,상기 쉘은 디바이 길이(Debye length) 이하의 두께를 가짐으로써 상기 쉘 전체에 완전 공핍층이 형성되고, 상기 완전 공핍층은 환원성 기체를 감지함으로써 불완전 공핍층으로 전환되었다가, 상기 환원성 기체를 제거하면 자기 완전 공핍층으로 회복되는 것인,코어-쉘 나노 구조체를 포함하는 센서
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 코어-쉘 나노 구조체를 포함하는 센서는 100 ppm 이하의 환원성 기체를 감지하는 것인, 코어-쉘 나노 구조체를 포함하는 센서
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 코어-쉘 나노 구조체를 포함하는 센서는, H2, CO, CH4, NH3, CH3OH, C2H5OH, C3H8, H2S, 디메틸아민(dimethylamine), 트리에틸아민(triethylamine), 벤젠(benzene), 톨루엔(toluene), 자일렌(xylene), 및 이들의 조합들로 이루어지는 군으로부터 선택되는 기체를 감지하는 것인, 코어-쉘 나노 구조체를 포함하는 센서
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 제 1 금속 산화물 및 상기 제 2 금속 산화물은 서로 상이한 금속의 산화물인, 코어-쉘 나노 구조체를 포함하는 센서
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 전극층은 Au, Pt, Cu, 및 이들의 조합들로 이루어지는 군으로부터 선택되는 금속을 함유하는 단층의 전극층, 또는 상기 단층의 전극층에 Ti, Ni, Cr, 및 이들의 조합들로 이루어지는 군으로부터 선택되는 금속의 층을 추가적으로 함유하는 다층의 전극층을 포함하는 것인, 코어-쉘 나노 구조체를 포함하는 센서
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기재 상에 제 1 금속 산화물을 포함하는 코어를 형성하는 것;상기 코어 상에 제 2 금속 산화물 나노입자를 포함하는 쉘을 형성함으로써 코어-쉘 나노 구조체를 포함하는 센싱부를 형성하는 것; 및상기 센싱부 상에 서로 이격된 2 개의 전극층을 형성하는 것을 포함하는, 코어-쉘 나노 구조체를 포함하는 센서의 제조 방법으로서, 상기 제 1 금속 산화물 및 상기 제 2 금속 산화물은 각각 독립적으로 Ti, Sn, Zn, Mn, Mg, Ni, W, Co, Fe, Ba, In, Zr, Cu, Al, Bi, Pb, Ag, Cd, Y, Mo, Rh, Pd, Sb, Cs, La, 및 이들의 조합들로 이루어지는 군으로부터 선택되는 금속의 산화물을 포함하고,상기 제 2 금속 산화물 나노입자들 사이에 채널이 형성되어 있고, 상기 채널이 전자의 이동 통로로서 작용하며,상기 코어는 지름이 20 nm 내지 200 nm 이고, 길이가 2 ㎛ 이상인 나노 섬유 형태이며,상기 코어-쉘 나노 구조체는 p-n 타입의 코어-쉘 나노 구조체, 또는 n-n 타입의 코어-쉘 나노 구조체를 포함하며,상기 쉘은 디바이 길이(Debye length) 이하의 두께를 가짐으로써 상기 쉘 전체에 완전 공핍층이 형성되고, 상기 완전 공핍층은 환원성 기체를 감지함으로써 불완전 공핍층으로 전환되었다가, 상기 환원성 기체를 제거하면 자기 완전 공핍층으로 회복되는 것인,코어-쉘 나노 구조체를 포함하는 센서의 제조 방법
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기재 상에 서로 이격된 2 개의 전극층을 형성하는 것; 및제 1 금속 산화물을 포함하는 코어를 형성하고, 상기 코어 상에 제 2 금속 산화물 나노입자를 포함하는 쉘을 형성함으로써 코어-쉘 나노 구조체를 제조한 후, 상기 전극층 상에 상기 코어-쉘 나노 구조체를 센싱부로서 증착하는 것을 포함하는, 코어-쉘 나노 구조체를 포함하는 센서의 제조 방법으로서, 상기 제 1 금속 산화물 및 상기 제 2 금속 산화물은 각각 독립적으로 Ti, Sn, Zn, Mn, Mg, Ni, W, Co, Fe, Ba, In, Zr, Cu, Al, Bi, Pb, Ag, Cd, Y, Mo, Rh, Pd, Sb, Cs, La, 및 이들의 조합들로 이루어지는 군으로부터 선택되는 금속의 산화물을 포함하고,상기 제 2 금속 산화물 나노입자들 사이에 채널이 형성되어 있고, 상기 채널이 전자의 이동 통로로서 작용하며,상기 코어는 지름이 20 nm 내지 200 nm 이고, 길이가 2 ㎛ 이상인 나노 섬유 형태이며,상기 코어-쉘 나노 구조체는 p-n 타입의 코어-쉘 나노 구조체, 또는 n-n 타입의 코어-쉘 나노 구조체를 포함하며,상기 쉘은 디바이 길이(Debye length) 이하의 두께를 가짐으로써 상기 쉘 전체에 완전 공핍층이 형성되고, 상기 완전 공핍층은 환원성 기체를 감지함으로써 불완전 공핍층으로 전환되었다가, 상기 환원성 기체를 제거하면 자기 완전 공핍층으로 회복되는 것인,코어-쉘 나노 구조체를 포함하는 센서의 제조 방법
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제 11 항 또는 제 12 항에 있어서, 상기 코어를 형성하는 것은, 상기 제 1 금속 산화물의 전구체 및 중합체를 포함하는 용액을 전기 방사함으로써 상기 코어를 나노 섬유 형태로 형성하는 것을 포함하는 것인, 코어-쉘 나노 구조체를 포함하는 센서의 제조 방법
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제 11 항 또는 제 12 항에 있어서, 상기 쉘은 원자층 증착법을 이용하여 형성되는 것을 포함하는 것인, 코어-쉘 나노 구조체를 포함하는 센서의 제조 방법
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제 11 항 또는 제 12 항에 있어서, 원자층 증착법의 수행 횟수를 조절함으로써 상기 쉘의 두께가 디바이 길이 이하의 값을 가지도록 조절하는 것을 포함하는 것인, 코어-쉘 나노 구조체를 포함하는 센서의 제조 방법
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제 11 항 또는 제 12 항에 있어서, 상기 코어 상에 상기 제 1 금속 산화물과 상이한 제 2 금속 산화물을 포함하는 쉘을 형성함으로써 상기 코어-쉘 나노 구조체에 포함되는 코어와 상기 쉘의 계면에 헤테로 접합(heterojunction)을 형성하는 것을 포함하는 것인, 코어-쉘 나노 구조체를 포함하는 센서의 제조 방법
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제 11 항 또는 제 12 항에 있어서, p-타입 금속 산화물을 이용하여 상기 코어를 형성하고 상기 코어 상에 n-타입 금속 산화물을 이용하여 상기 쉘을 형성함으로써, p-n 타입의 상기 코어-쉘 나노 구조체를 제조하는 것을 포함하는 것인, 코어-쉘 나노 구조체를 포함하는 센서의 제조 방법
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제 11 항 또는 제 12 항에 있어서, n-타입 금속 산화물을 이용하여 상기 코어를 형성하고, 상기 코어에 포함되는 n-타입 금속 산화물과 상이한 n-타입 금속 산화물을 이용하여 상기 코어 상에 상기 쉘을 형성함으로써, n-n 타입의 상기 코어-쉘 나노 구조체를 제조하는 것을 포함하는 것인, 코어-쉘 나노 구조체를 포함하는 센서의 제조 방법
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제 12 항에 있어서, 상기 전극층 상에 상기 코어-쉘 나노 구조체를 센싱부로서 증착하는 것은 프린팅 기법을 통하여 수행되는 것을 포함하는 것인, 코어-쉘 나노 구조체를 포함하는 센서의 제조 방법
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