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나노와이어의 제조방법

  • 기술번호 : KST2014059280
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 나노와이어의 제조방법에 관한 것으로, 반도체기판으로부터 성장된 나노와이어를 표면 데미지나 크랙 없이 단시간 내에 쉽게 분리할 수 있어 고품질의 나노와이어를 제조할 수 있는 나노와이어의 제조방법에 관한 것으로서, 반도체기판 상에 용적방울을 형성하는 단계와; 상기 용적방울 상에 나노와이어를 성장시키는 단계와; 상기 용적방울을 선택적으로 에칭하여 상기 나노와이어를 분리하는 단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) B82B 3/00 (2006.01)
CPC H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01)
출원번호/일자 1020110019165 (2011.03.03)
출원인 전북대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1349000-0000 (2014.01.02)
공개번호/일자 10-2012-0100337 (2012.09.12) 문서열기
공고번호/일자 (20140109) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.03.03)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 전북대학교산학협력단 대한민국 전라북도 전주시 덕진구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이철로 대한민국 전라북도 전주시 덕진구
2 라용호 대한민국 전라북도 전주시 덕진구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이승현 대한민국 전라북도 전주시 덕진구 기린대로 ***, 삼전빌딩 *층 이승현국제특허법률사무소 (덕진동*가)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 전북대학교산학협력단 전라북도 전주시 덕진구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.03.03 수리 (Accepted) 1-1-2011-0155644-45
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.10.04 수리 (Accepted) 4-1-2012-5206243-46
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.10.17 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.11.22 수리 (Accepted) 9-1-2012-0087744-72
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.02.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0093625-61
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2013.04.08 수리 (Accepted) 1-1-2013-0305196-91
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2013.05.08 수리 (Accepted) 1-1-2013-0408312-39
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2013.06.10 수리 (Accepted) 1-1-2013-0509056-36
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.06.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0551954-41
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.06.20 수리 (Accepted) 1-1-2013-0551924-82
11 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2013.10.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0751486-67
12 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2013.11.07 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2013-1014113-09
13 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.11.07 수리 (Accepted) 1-1-2013-1014114-44
14 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2013.11.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0833280-60
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2016-5013206-34
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.02.27 수리 (Accepted) 4-1-2019-5038917-11
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5146985-61
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5146986-17
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5219602-91
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.07.06 수리 (Accepted) 4-1-2020-5149086-79
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번호 청구항
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3 3
(a) 반도체기판 위에 금속 촉매층을 형성하는 단계;(b) 상기 금속 촉매층이 형성된 반도체 기판을 MOCVD 챔버 내에 넣고, 물질 H2를 캐리어가스로 사용하여 Ga,In,Si 및 Al중에서 어느 하나의 제 1소스를 포함하는 가스를 공급하면서 600℃ 온도 및 30초 동안 유지하고, 그 이후 650℃ 온도에서 10분동안 유지하여 상기 소스중의 하나와 금속에 의한 용적방울을 형성하는 단계;(c) 상기 물질 H2를 캐리어가스로 사용하여 상기 제 1 소스를 포함하는 가스 및 NH3, O2, SiH4 중 선택된 어느 하나로 이루어진 제 2 소스를 포함하는 가스를 각각 0
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8 8
제3항에 있어서,상기 c)단계는 MOCVD법을 이용하여 상기 용적방울 상에 나노와이어를 성장시키는 것을 특징으로 하는 나노와이어의 제조방법
9 9
제 3항 또는 8항에 있어서,상기 c)단계는 MOCVD법으로 캐리어가스, 제1소스가 포함된 가스 및 제2소스가 포함된 가스를 공급하여 상기 용적방울상에 제1소스-제2소스 나노와이어를 성장시키는 것을 특징으로 하는 나노와이어의 제조방법
10 10
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지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.