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실리콘 기판 기반의 Ⅲ-Ⅴ화합물 태양 전지의 제조 방법으로서,a) 표면을 에칭한 후 유기금속화학증착 반응관에서 미리 설정된 임의의 온도로 가열하여 자연 산화막을 제거한 결정성을 갖는 실리콘 기판을 제공하는 단계;b) 상기 a) 단계에서 제공된 실리콘 기판상에 Ⅲ-Ⅴ화합물의 시드층을 형성한 후 그 위에 금속재의 전극 및 유전체 층을 증착시키고, 상기 증착된 전극 및 유전체 층을 패터닝 한 후 상기 유기금속화학증착 반응관의 온도, 압력 가스량을 조절하여 상기 Ⅲ-Ⅴ화합물을 막대 형상의 태양 전지셀로 성장시키는 단계; 및c) 상기 b) 단계에서의 패터닝에 따라 수직형 막대로 선택적으로 성장한 Ⅲ-Ⅴ화합물의 태양 전지셀 외부에 투명 전극을 형성하는 단계를 포함하는 실리콘 기판 기반의 Ⅲ-Ⅴ화합물 태양 전지의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,d) 상기 c) 단계에서 형성된 상기 투명 전극 상에 Al 패드를 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 기판 기반의 나노 Ⅲ-Ⅴ화합물 태양 전지의 제조 방법
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 b) 단계에서 형성하는 Ⅲ-Ⅴ화합물의 시드층은 p형 GaAs층을 형성하는 것을 특징으로 하는 실리콘 기판 기반의 나노 Ⅲ-Ⅴ화합물 태양 전지의 제조 방법
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 b) 단계의 전극 및 유전체 증착과정은 상기 성장된 Ⅲ-Ⅴ화합물의 시드층에 선택적 패턴 작업을 수행한 후 상기 전극 및 유전체가 순차적으로 증착되도록 하는 것을 특징으로 하는 실리콘 기판 기반의 Ⅲ-Ⅴ화합물 태양 전지의 제조 방법
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 b) 단계의 Ⅲ-Ⅴ화합물에 증착되는 유전체는 비성장용 유전체인 것을 특징으로 하는 실리콘 기판 기반의 나노 Ⅲ-Ⅴ화합물 태양 전지의 제조 방법
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 b) 단계에서 성장하는 Ⅲ-Ⅴ화합물의 막대는 흡수 파장 영역에 따라 단일 접합, 이중 접합, 삼중 접합 또는 그 이상의 다중 접합 중 어느 하나의 접합으로 이루어진 적층형 구조인 것을 특징으로 하는 실리콘 기판 기반의 나노 Ⅲ-Ⅴ화합물 태양 전지의 제조 방법
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 b) 단계의 Ⅲ-Ⅴ화합물 막대를 성장시키는 단계는 고품위 버퍼층 성장 및 결함이 많은 Ⅲ-Ⅴ화합물 시드층의 열처리를 위하여 상기 Ⅲ-Ⅴ화합물의 시드층 성장을 위해 유지되는 낮은 상태의 온도를 임의의 온도가 되도록 상승시킨 후 흡수하고자하는 태양광 스펙트럼에 따라 상기 유기금속화학증착 반응관의 온도, 압력, 가스량을 조절하며 상기 Ⅲ-Ⅴ화합물의 막대가 성장되도록 하는 것을 특징으로 하는 실리콘 기판 기반의 나노 Ⅲ-Ⅴ화합물 태양 전지의 제조 방법
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 c) 단계의 투명 전극은 n형 오믹 전극으로 사용하는 것을 특징으로 하는 실리콘 기판 기반의 나노 Ⅲ-Ⅴ화합물 태양 전지의 제조 방법
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