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고분자/금속 혼성박막의 표면주름 현상을 이용한 계층 구조를 갖는 초소수성 표면의 형성 방법

  • 기술번호 : KST2014059685
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본원은 기재 상에 형성되며 굴곡된 표면을 가지는 고분자 전해질 층, 및 상기 고분자 전해질 층의 굴곡된 표면에 형성된 무기물 나노 구조체를 포함하는, 유무기-하이브리드 계층적 구조체, 및 상기 유무기-하이브리드 계층적 구조체를 이용한 초소수성 또는 초친수성 표면의 제조방법을 제공한다.
Int. CL B82B 1/00 (2006.01) B32B 9/00 (2006.01) B32B 3/28 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020110124116 (2011.11.25)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1364019-0000 (2014.02.11)
공개번호/일자 10-2012-0057539 (2012.06.05) 문서열기
공고번호/일자 (20140218) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020100118898   |   2010.11.26
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.11.25)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 유필진 대한민국 서울특별시 강남구
2 김영훈 대한민국 경기도 수원시 장안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인엠에이피에스 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 **, *층 (역삼동, 한동빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 경기도 수원시 장안구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.11.25 수리 (Accepted) 1-1-2011-0935538-98
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090770-53
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.20 수리 (Accepted) 4-1-2012-5131828-19
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.27 수리 (Accepted) 4-1-2012-5137236-29
5 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2012.08.28 수리 (Accepted) 1-1-2012-0692778-95
6 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.11.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
7 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.12.17 수리 (Accepted) 9-1-2012-0092911-18
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.06.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0385765-60
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.07.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0647648-58
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.07.18 수리 (Accepted) 1-1-2013-0647645-11
11 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2013.12.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0897857-82
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.01.16 수리 (Accepted) 1-1-2014-0044816-35
13 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2014.01.16 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2014-0044818-26
14 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2014.02.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0094842-75
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
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번호 청구항
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기재 상에 고분자 전해질 층을 형성하는 단계;상기 고분자 전해질 층에 무기물 나노입자를 형성함으로써 표면 굴곡을 가지는 고분자 전해질/무기물 나노입자 복합층을 형성하는 단계; 및상기 복합층으로부터 상기 고분자 전해질을 제거함으로써 표면 굴곡을 따라 무기물 나노 구조체를 형성하여 유무기-하이브리드 계층적 구조체를 형성하는 단계를 포함하는, 초소수성 또는 초친수성 표면의 제조방법
10 10
제 9 항에 있어서, 상기 계층적 구조체 상에 표면 에너지 증감 물질층을 형성하여 초소수성 또는 초친수성을 부여하는 단계를 추가 포함하는, 초소수성 또는 초친수성 표면의 제조방법
11 11
제 10 항에 있어서, 상기 표면 에너지 증감 물질층은 불소기를 함유하며 친수성 또는 소수성 말단기를 가지는 물질을 이용하여 형성된 자기조립단분자층을 포함하여 형성되는 것인, 초소수성 또는 초친수성 표면의 제조방법
12 12
제 9 항에 있어서, 상기 고분자 전해질 층은 그의 고분자 사슬에 이온성 작용기를 가지는 것이고, 상기 무기물 나노입자는 이온성 무기물 전구체를 이용하여 형성되는 것인, 초소수성 또는 초친수성 표면의 제조방법
13 13
제 12 항에 있어서, 상기 표면 굴곡을 가지는 고분자 전해질/무기물 나노입자 복합층을 형성하는 단계에서 상기 무기물 나노입자를 형성하는 것은, 상기 고분자 전해질 층의 표면으로부터 상기 이온성 무기물 전구체를 주입하여 상기 고분자 전해질에 포함된 이온성 작용기와 상기 이온성 무기물 전구체에 포함된 무기물 양이온과의 이온교환반응을 통한 확산을 통하여 상기 고분자 전해질 층에 상기 무기물 양이온을 주입하고, 상기 고분자 전해질 층의 표면으로부터 환원제를 주입하여 상기 고분자 전해질 층에 주입한 무기물 양이온을 환원시켜 무기물 나노입자를 형성하는 것을 포함하는 것인, 초소수성 또는 초친수성 표면의 제조방법
14 14
제 9 항에 있어서, 상기 무기물 나노입자는 상기 고분자 전해질 층의 표면으로부터 일정 두께 내부에 형성되어 상기 복합층을 형성하며, 상기 형성된 무기물 나노입자의 증가에 따라 상기 복합층의 표면 굴곡이 증가되는 것인, 초소수성 또는 초친수성 표면의 제조방법
15 15
제 9 항에 있어서, 상기 무기물 나노입자를 형성하는 과정을 1회 이상 수행하여 상기 무기물 나노입자의 형성된 양 및 두께를 조절함으로써 상기 복합층의 표면 굴곡을 조절하는 것인, 초소수성 또는 초친수성 표면의 제조방법
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제 9 항에 있어서, 상기 고분자 전해질 층은 교대로 형성된 양이온 고분자 전해질 층과 음이온 고분자 전해질 층을 포함하는 것인, 초소수성 또는 초친수성 표면의 제조방법
17 17
제 9 항에 있어서, 상기 유무기-하이브리드 계층적 구조체를 형성하는 단계는, 상기 표면 굴곡을 가지는 고분자 전해질/무기물 나노입자 복합체 층에 포함된 상기 무기물 나노입자를 마스크로서 이용하여 상기 고분자 전해질을 선택적으로 제거함으로써 상기 표면 굴곡을 따라 무기물 나노 구조체를 형성하는 것을 포함하는 것인, 초소수성 또는 초친수성 표면의 제조방법
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제 17 항에 있어서, 상기 고분자 전해질의 제거는, 반응성 이온 에칭(reactive ion etching, RIE) 또는 플라즈마 에싱(plasma ashing)에 의해 수행되는 것인, 초소수성 또는 초친수성 표면의 제조방법
19 19
제 9 항에 있어서, 상기 표면 굴곡은 1 μm 내지 1,000 μm의 크기를 가지는 것인, 초소수성 또는 초친수성 표면의 제조방법
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3 WO2012070908 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 성균관대학교 산학협력단 국가플랫폼 기술개발사업 유무기 복합 나노구조체 제작기술
2 교육과학기술부 성균관대학교 산학협력단 기후변화대응 기초 원천 기술 개발사업 생체재료 템플레이트 기반 자기구조 제어형 산화물 전극 소재기술 개발