요약 | 본원은 금속 칼코게나이드 박막의 제조 방법, 상기 제조 방법에 의하여 제조되는 금속 칼코게나이드 박막 및 금속 칼코게나이드 박막의 전사 방법에 관한 것이다. |
---|---|
Int. CL | C23C 16/06 (2006.01) C23C 16/44 (2006.01) |
CPC | C23C 16/305(2013.01) C23C 16/305(2013.01) C23C 16/305(2013.01) C23C 16/305(2013.01) C23C 16/305(2013.01) C23C 16/305(2013.01) C23C 16/305(2013.01) C23C 16/305(2013.01) C23C 16/305(2013.01) C23C 16/305(2013.01) |
출원번호/일자 | 1020120024922 (2012.03.12) |
출원인 | 성균관대학교산학협력단 |
등록번호/일자 | 10-1360997-0000 (2014.02.04) |
공개번호/일자 | 10-2013-0103913 (2013.09.25) 문서열기 |
공고번호/일자 | (20140211) 문서열기 |
국제출원번호/일자 | |
국제공개번호/일자 | |
우선권정보 | |
법적상태 | 소멸 |
심사진행상태 | 수리 |
심판사항 | |
구분 | 신규 |
원출원번호/일자 | |
관련 출원번호 | |
심사청구여부/일자 | Y (2012.03.12) |
심사청구항수 | 12 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 성균관대학교산학협력단 | 대한민국 | 경기도 수원시 장안구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 이창구 | 대한민국 | 서울 성동구 |
2 | 안종현 | 대한민국 | 경기 수원시 장안구 |
3 | 이진환 | 대한민국 | 경기 성남시 중원구 |
4 | 이영빈 | 대한민국 | 경기 평택시 세교공원로 **, |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 특허법인엠에이피에스 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 테헤란로*길 **, *층 (역삼동, 한동빌딩) |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 성균관대학교산학협력단 | 경기도 수원시 장안구 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2012.03.12 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0196579-15 |
2 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2012.04.26 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5090770-53 |
3 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2012.06.20 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5131828-19 |
4 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2012.06.27 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5137236-29 |
5 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2013.02.25 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
6 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2013.04.03 | 수리 (Accepted) | 9-1-2013-0021950-81 |
7 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2013.07.12 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0482944-34 |
8 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2013.09.12 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0835698-30 |
9 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2013.09.12 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2013-0835699-86 |
10 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2013.10.29 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0742075-05 |
11 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2013.12.27 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-1196452-84 |
12 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2013.12.27 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2013-1196453-29 |
13 | 등록결정서 Decision to grant |
2014.01.29 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2014-0074638-09 |
14 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2017.02.23 | 수리 (Accepted) | 4-1-2017-5028829-43 |
번호 | 청구항 |
---|---|
1 |
1 기재 상에 금속 박막을 형성하는 단계;상기 금속 박막 상에 칼코겐 원자-함유 기체를 공급하는 단계; 및상기 금속 및 상기 칼코겐 원자-함유 기체를 반응시켜 하기 화학식 1 로 표시되는 금속 칼코게나이드 박막을 형성하는 단계를 포함하는, 금속 칼코게나이드 박막의 제조방법에 있어서,상기 금속 박막은 Mo, W, Bi, Mg, Al, Si, Ca, Sc, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Ga, Ge, Sr, Y, Zr, Nb, Tc, Ru, Rh, Pd, Ag, Cd, In Sn, Sb, Ba, La, Hf, Ta, Re, Os, Ir, Pt, Au, Hg, Tl, Pb, Po, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것이며,상기 칼코겐 원자-함유 기체는 S2, Se2, Te2, H2S, H2Se, H2Te, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것인, 금속 칼코게나이드 박막의 제조방법 |
2 |
2 삭제 |
3 |
3 제 1 항에 있어서,상기 금속 박막은 스퍼터링 방법, 전자빔 증착(E-beam evaporator) 방법, 열증착(thermal evaporation) 방법, 이온클러스터빔(ion cluster beam), 펄스 레이저 증착(pulsed laser deposition; PLD) 방법 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 방법에 의해 형성되는 것인, 금속 칼코게나이드 박막의 제조방법 |
4 |
4 삭제 |
5 |
5 제 1 항에 있어서,상기 금속 칼코게나이드 박막 상에 칼코겐 원자-함유 기체를 공급하여 금속 칼코게나이드 박막을 추가 형성하는 것을 1회 이상 수행하는 것을 더 포함하는, 금속 칼코게나이드 박막의 제조방법 |
6 |
6 제 1 항에 있어서,상기 기재는 Si, SiO2, Ge, GaN, AlN, GaP, InP, GaAs, SiC, Al2O3, LiAlO3, MgO, 유리, 석영, 사파이어, 그래파이트, 그래핀 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는, 금속 칼코게나이드 박막의 제조방법 |
7 |
7 제 1 항, 제 3 항, 제 5 항, 및 제 6 항 중 어느 한 항에 따른 방법에 의하여 제조되는, 금속 칼코게나이드 박막 |
8 |
8 제 7 항에 따른 금속 칼코게나이드 박막을 포함하는 소자 |
9 |
9 기재 상에 금속 박막을 형성하는 단계;상기 금속 박막 상에 칼코겐 원자-함유 기체를 공급하는 단계;상기 금속 및 상기 칼코겐 원자-함유 기체를 반응시켜 하기 화학식 1 로 표시되는 금속 칼코게나이드 박막을 형성하는 단계;상기 금속 칼코게나이드 금속 박막을 형성한 후에 상기 금속 칼코게나이드 박막 상에 폴리머 지지층을 형성하는 단계;상기 기재 및 상기 금속 박막을 제거함으로써 상기 폴리머 지지층이 형성된 금속 칼코게나이드 박막을 분리하는 단계; 및상기 분리된 폴리머 지지층이 형성된 금속 칼코게나이드 박막을 목적 기재 상에 전사하는 단계를 포함하는, 금속 칼코게나이드 박막의 전사 방법:[화학식 1]MaXb상기 식 중, M = Mo, W, Bi, Mg, Al, Si, Ca, Sc, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Ga, Ge, Sr, Y, Zr, Nb, Tc, Ru, Rh, Pd, Ag, Cd, In Sn, Sb, Ba, La, Hf, Ta, Re, Os, Ir, Pt, Au, Hg, Tl, Pb, 또는 Po 이고, X = S, Se, 또는 Te 이고, 및, a 및 b 는 각각 독립적으로 1 내지 3 의 정수임 |
10 |
10 삭제 |
11 |
11 제 9 항에 있어서,상기 폴리머 지지층이 형성된 금속 칼코게나이드 박막을 목적 기재 상에 전사하는 단계 이후, 상기 폴리머 지지층을 제거하는 단계를 추가 포함하는, 금속 칼코게나이드 박막의 전사 방법 |
12 |
12 제 9 항에 있어서,상기 폴리머 지지층은 폴리메틸메타크릴레이트(polymethylmethacrylate; PMMA), 폴리디메틸실록산(poly-dimethylsiloxanes; PDMS), 폴리비닐알콜(polyvinylalcohol; PVA), 폴리비닐클로라이드(polyvinyl chloride; PVC), 폴리카보네이트(polycarbonate; PC), 폴리테트라플루오로에틸렌(polytetrafluoroethylene; PTFE), 벤질메타-아크릴레이트(benzylmetha-acrylate), 열박리 테이프, UV 박리 테이프 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것인, 금속 칼코게나이드 박막의 전사 방법 |
13 |
13 제 9 항에 있어서,상기 기재는 Si, SiO2, Ge, GaN, AlN, GaP, InP, GaAs, SiC, Al2O3, LiAlO3, MgO, 유리, 석영, 사파이어, 그래파이트, 그래핀 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는, 금속 칼코게나이드 박막의 전사 방법 |
14 |
14 제 9 항에 있어서,상기 목적 기재는 유리, 석영, 사파이어, SiC, MgO, 플라스틱, 세라믹, 고무 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것인, 금속 칼코게나이드 박막의 전사 방법 |
15 |
15 제 7 항에 따른 금속 칼코게나이드 박막을 단수 또는 복수의 층으로서 포함하는, 금속 칼코게나이드 박막 적층체 |
지정국 정보가 없습니다 |
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패밀리정보가 없습니다 |
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순번 | 연구부처 | 주관기관 | 연구사업 | 연구과제 |
---|---|---|---|---|
1 | 교육과학기술부 | 성균관대학교 | 기초연구사업-일반연구자지원사업-신진연구지원사업 | 박막구조재료로서의 2차원 나노소재 |
2 | 교육과학기술부 | 성균관대학교 | 특정연구개발사업 → 글로벌프론티어연구개발사업 → 나노기반 소프트 일렉트로닉스 연구 | 이차원 소프트 나노소재 |
특허 등록번호 | 10-1360997-0000 |
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표시번호 | 사항 |
---|---|
1 |
출원 연월일 : 20120312 출원 번호 : 1020120024922 공고 연월일 : 20140211 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20140129 청구범위의 항수 : 12 유별 : C23C 16/44 발명의 명칭 : 금속 칼코게나이드 박막의 제조 방법 존속기간(예정)만료일 : |
순위번호 | 사항 |
---|---|
1 |
(권리자) 성균관대학교산학협력단 경기도 수원시 장안구... |
제 1 - 3 년분 | 금 액 | 256,500 원 | 2014년 02월 05일 | 납입 |
제 4 년분 | 금 액 | 212,800 원 | 2017년 01월 02일 | 납입 |
제 5 년분 | 금 액 | 212,800 원 | 2018년 02월 01일 | 납입 |
제 6 년분 | 금 액 | 152,000 원 | 2019년 01월 28일 | 납입 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 | 2012.03.12 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0196579-15 |
2 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2012.04.26 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5090770-53 |
3 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2012.06.20 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5131828-19 |
4 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2012.06.27 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5137236-29 |
5 | 선행기술조사의뢰서 | 2013.02.25 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
6 | 선행기술조사보고서 | 2013.04.03 | 수리 (Accepted) | 9-1-2013-0021950-81 |
7 | 의견제출통지서 | 2013.07.12 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0482944-34 |
8 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2013.09.12 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0835698-30 |
9 | [명세서등 보정]보정서 | 2013.09.12 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2013-0835699-86 |
10 | 의견제출통지서 | 2013.10.29 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0742075-05 |
11 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2013.12.27 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-1196452-84 |
12 | [명세서등 보정]보정서 | 2013.12.27 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2013-1196453-29 |
13 | 등록결정서 | 2014.01.29 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2014-0074638-09 |
14 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2017.02.23 | 수리 (Accepted) | 4-1-2017-5028829-43 |
기술번호 | KST2014059697 |
---|---|
자료제공기관 | NTB |
기술공급기관 | 성균관대학교 |
기술명 | 가스와 메탈을 이용한 대면적 층상 메탈 찰코제나이드들의 합성 |
기술개요 |
본원은 금속 칼코게나이드 박막의 제조 방법, 상기 제조 방법에 의하여 제조되는 금속 칼코게나이드 박막 및 금속 칼코게나이드 박막의 전사 방법에 관한 것이다. |
개발상태 | 기술개발진행중 |
기술의 우수성 | |
응용분야 | 화학 |
시장규모 및 동향 | |
희망거래유형 | 기술매매, |
사업화적용실적 | |
도입시고려사항 |
과제고유번호 | 1345166703 |
---|---|
세부과제번호 | 2011-0014209 |
연구과제명 | 박막구조재료로서의 2차원 나노소재 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 교육과학기술부 |
연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
연구주관기관명 | 성균관대학교(자연과학캠퍼스) |
성과제출연도 | 2012 |
연구기간 | 201105~201604 |
기여율 | 0.33333334 |
연구개발단계명 | 기초연구 |
6T분류명 | NT(나노기술) |
과제고유번호 | 1345170733 |
---|---|
세부과제번호 | 2011-0031629 |
연구과제명 | 이차원 소프트 나노소재 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 교육과학기술부 |
연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
연구주관기관명 | 서울대학교 |
성과제출연도 | 2012 |
연구기간 | 201109~202008 |
기여율 | 0.33333334 |
연구개발단계명 | 기초연구 |
6T분류명 | IT(정보기술) |
과제고유번호 | 1345173828 |
---|---|
세부과제번호 | 2009-0093248 |
연구과제명 | 형태변환형 소자 구현을 위한 공정 및 집적화 기술 연구 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 교육과학기술부 |
연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
연구주관기관명 | 한양대학교 |
성과제출연도 | 2012 |
연구기간 | 200909~201602 |
기여율 | 0.33333334 |
연구개발단계명 | 기초연구 |
6T분류명 | NT(나노기술) |
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심판사항 정보가 없습니다 |
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