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기판;상기 기판 상에 형성된 양극층;상기 양극층 상에 형성되고, 양자점과 제1 정공수송성 물질을 포함하는 색변환용 고분자층;상기 색변환용 고분자층 상에 형성되고, 제2 정공수송성 물질을 포함하는 스페이서층;상기 스페이서층 상에 형성된 발광층; 및상기 발광층 상에 형성된 음극층을 포함하는 유기발광소자
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제1항에 있어서, 상기 양자점은 Ⅱ-Ⅵ족, Ⅲ-Ⅵ족 및 Ⅳ족 물질로 구성되는 군에서 선택되는 어느 하나의 물질인 것을 특징으로 하는 유기발광소자
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제1항에 있어서, 상기 양자점은 코어/쉘 구조인 것을 특징으로 하는 유기발광소자
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제1항에 있어서, 상기 제1 정공수송성 물질은 NPB, β-NPB, TPD, Spiro-TPD, Spiro-NPB, DMFL-TPD, DMFL-NPB, DPFL-TPD, DPFL-NPB, α-NPD, Spiro-TAD, BPAPF, NPAPF, NPBAPF, Spiro-2NPB, PAPB, 2,2'-Spiro-DBP, Spiro-BPA, TAPC, Spiro-TTB, β-TNB, HMTPD, α,β-TNB, α-TNB, β- NPP, PEDOT: PSS, PVK, WO3, NiO2, Mo 및 MoO3으로 구성되는 군에서 선택되는 어느 하나 이상의 물질인 것을 특징으로 하는 유기발광소자
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제1항에 있어서, 상기 색변환용 고분자층은 상기 제1 정공수송성 물질과 상기 양자점의 혼합물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기발광소자
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제1항에 있어서, 상기 제2 정공수송성 물질은 NPB, β-NPB, TPD, Spiro-TPD, Spiro-NPB, DMFL-TPD, DMFL-NPB, DPFL-TPD, DPFL-NPB, α-NPD, Spiro-TAD, BPAPF, NPAPF, NPBAPF, Spiro-2NPB, PAPB, 2,2'-Spiro-DBP, Spiro-BPA, TAPC, Spiro-TTB, β-TNB, HMTPD, α,β-TNB, α-TNB, β- NPP, PEDOT: PSS, PVK, WO3, NiO2, Mo 및 MoO3으로 구성되는 군에서 선택되는 어느 하나 이상의 물질인 것을 특징으로 하는 유기발광소자
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7
제1항에 있어서, 상기 스페이서층은 두께가 10㎚ 내지 100㎚인 것을 특징으로 하는 유기발광소자
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제1항 내지 제 7항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 유기발광소자는 상기 발광층과 상기 음극층 사이에 전자수송층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자
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9
제8항에 있어서, 상기 유기발광소자는 상기 전자수송층과 상기 음극층 사이에 전자주입층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자
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