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ＩｎＰ／ＧａＰ／ＺｎＳ 양자점과 이를 이용한 백색 ＬＥＤ

  • 기술번호 : KST2014059759
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 InP/GaP/ZnS 양자점과 이를 이용한 백색 LED에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 InP 코아에 GaP와 ZnS가 차례로 쉘 구조를 이루는 나노 결정상의 양자점으로서 양자수율이 높고, 높은 형광을 내며 광학적 안정성과 열 안정성, 수중 분산성 및 좁은 방출 밴드를 가짐으로써 백색 LED에 이용하는 경우 우수한 발광효과를 나타내는 InP/GaP/ZnS 나노 결정과 이를 이용한 백색 LED에 관한 것이다.
Int. CL H01L 33/00 (2014.01)
CPC C09K 11/70(2013.01) C09K 11/70(2013.01) C09K 11/70(2013.01) C09K 11/70(2013.01) C09K 11/70(2013.01) C09K 11/70(2013.01)
출원번호/일자 1020120001181 (2012.01.04)
출원인 아주대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1355120-0000 (2014.01.17)
공개번호/일자 10-2013-0080333 (2013.07.12) 문서열기
공고번호/일자 (20140127) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.01.04)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 아주대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 영통구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김상욱 대한민국 서울 송파구
2 김성우 대한민국 경기 성남시 분당구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 한라특허법인(유한) 대한민국 서울시 서초구 강남대로 ***(서초동, 남강빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 아주대학교산학협력단 경기도 수원시 영통구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.01.04 수리 (Accepted) 1-1-2012-0010338-13
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.07.25 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.08.21 수리 (Accepted) 9-1-2012-0065437-55
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.05.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0316566-85
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2013.07.08 수리 (Accepted) 1-1-2013-0612088-81
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.08.08 수리 (Accepted) 1-1-2013-0718329-42
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.08.08 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0718330-99
8 등록결정서
Decision to grant		 2013.12.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0875729-31
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.01.02 수리 (Accepted) 4-1-2014-5000672-13
10 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2014.06.17 수리 (Accepted) 1-1-2014-0564809-78
11 대리인선임신고서
Report on Appointment of Agent		 2015.12.23 수리 (Accepted) 1-1-2015-5033520-42
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번호 청구항
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인듐 전구체 및 아연 전구체와 팔미트산 및 옥타데센(ODE)을 반응시켜 ZnInP 코어 용액을 제조하는 단계; 갈륨 전구체, 올레산 및 옥타데센(ODE)의 혼합용액에 상기 ZnInP 코어 용액을 넣고 반응시켜 InP/GaP의 코어/쉘 구조를 형성하는 단계; 및 InP/GaP의 코어/쉘 구조가 형성된 용액에 아연 전구체와 도데칸사이올을 넣고 반응시키는 단계;를 포함하는 InP/GaP/ZnS 양자점의 제조방법
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청구항 5에 있어서, 인듐 전구체는 In(OAc)3 인 것을 특징으로 하는 제조방법
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청구항 5에 있어서, 아연 전구체는 Zn(OAc)2 인 것을 특징으로 하는 제조방법
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청구항 5에 있어서, 갈륨 전구체는 GaCl3 인 것을 특징으로 하는 제조방법
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청구항 5에 있어서, ZnInP 코어 용액의 제조 단계에서는 인듐 전구체 및 아연 전구체와 팔미트산 및 옥타데센(ODE)을 혼합한 다음, 100-120℃로 가열하고 트리스(트리메틸실릴)포스핀을 옥타데센에 넣고, 이를 200-350℃에서 1-3시간 반응시켜 제조하는 것을 특징으로 하는 제조방법
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청구항 5에 있어서, InP/GaP의 코어/쉘 구조를 형성하는 단계의 반응은 180-230℃를 유지하는 것을 특징으로 하는 제조방법
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청구항 5에 있어서, InP/GaP의 코어/쉘 구조가 형성된 용액에 아연 전구체와 도데칸사이올을 넣고 반응시키는 단계에서의 반응은 200-250℃에서 1-4시간 반응시키는 것을 특징으로 하는 제조방법
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청구항 5에 있어서, 각 단계의 반응은 불활성 기체 하에 진행되는 것을 특징으로 하는 제조방법
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지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 아주대 산업원천사업 고효율 친환경 양자점 대량합성기술
2 교육과학기술부 아주대 일반연구자 사업 밴드갭 조절을 통한 새로운 양자점 개발
3 교육부 아주대학교 산학협력단 이공분야 중점연구소지원사업 신개념 그린융합소재 발굴 및 확보