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표면 플라즈몬을 이용한 광소자

  • 기술번호 : KST2014059929
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 표면 플라즈몬 현상을 이용한 광소자가 개시된다. 금속 나노 입자에 광이 입사되면 특정 파장대에서 자유전자들은 집단적인 진동을 하고, 공명에 의해 에너지를 하부의 채널 영역에 전달한다. 따라서, 게이트 전극에서의 바이어스의 인가와 무관하게 별도의 채널이 형성된다. 이를 통해 채널 영역을 흐르는 전류의 차이는 감지된다. 즉, 빛의 입사여부에 따라 광소자의 소스와 드레인 사이를 흐르는 전류의 차이는 감지될 수 있다. 이를 통해 광 검출 및 광 반응 동작을 수행할 수 있다.
Int. CL H01L 31/0232 (2014.01.01) H01L 31/101 (2006.01.01)
CPC H01L 31/02327(2013.01) H01L 31/02327(2013.01)
출원번호/일자 1020110078021 (2011.08.05)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1293443-0000 (2013.07.30)
공개번호/일자 10-2013-0015794 (2013.02.14) 문서열기
공고번호/일자 (20130805) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.08.05)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 전형탁 대한민국 서울특별시 노원구
2 방석환 대한민국 서울특별시 동대문구
3 이승준 대한민국 서울특별시 노원구
4 박주현 대한민국 서울특별시 광진구 동일로길 -, *호 (군
5 고영빈 대한민국 서울특별시 송파구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 서울특별시 성동구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.08.05 수리 (Accepted) 1-1-2011-0605632-86
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2012.06.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2012.07.23 수리 (Accepted) 9-1-2012-0059407-00
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.12.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0770130-85
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2013.02.18 수리 (Accepted) 1-1-2013-0140072-68
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.03.18 수리 (Accepted) 1-1-2013-0229953-86
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.03.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0229974-34
8 등록결정서
Decision to grant
2013.07.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0517327-94
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 형성된 게이트 전극;상기 게이트 전극 상에 형성된 게이트 유전막;상기 게이트 유전막 상에 형성된 채널 영역;상기 채널 영역 상에 형성되고 금속 나노 입자로 구성되어 입사광에 대해 자유전자의 집단적 진동에 의한 에너지 전달현상을 발생시키고, 상기 발생된 에너지를 상기 채널 영역에 전달하는 표면 플라즈몬층;상기 표면 플라즈몬층의 일측에 형성되고, 상기 채널 영역과 전기적으로 연결된 소스 전극; 및상기 표면 플라즈몬층을 중심으로 상기 소스 전극에 대향하는 드레인 전극을 포함하고,상기 채널 영역은,상기 게이트 유전막과 인접한 상기 채널 영역의 하부에 형성되는 제1 채널; 및상기 표면 플라즈몬층에 인접하는 상기 채널 영역의 상부에 형성된 제2 채널을 포함하는 것을 특징으로 하는 광소자
2 2
제1항에 있어서, 상기 채널 영역은 IGZO를 포함하는 것을 특징으로 하는 광소자
3 3
제1항에 있어서, 상기 표면 플라즈몬층은 은 나노 입자를 포함하는 것을 특징으로 하는 광소자
4 4
삭제
5 5
제1항에 있어서, 상기 제1 채널은 상기 게이트 전극에 인가되는 바이어스에 의해 형성되며, 상기 제2 채널은 상기 입사광에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 광소자
6 6
제1항에 있어서, 상기 제2 채널은 상기 표면 플라즈몬층의 자유전자가 상기 채널 영역의 전도대로 이동하는 것에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 광소자
7 7
기판 상에 형성된 게이트 전극;상기 게이트 전극 상에 형성된 게이트 유전막;상기 게이트 유전막 상에 형성되고, 상기 게이트 전극에서 인가되는 바이어스 및 입사광에 의한 2개의 채널이 형성되는 채널 영역;상기 채널 영역 상에 형성되고 상기 입사광에 기인한 표면 플라즈몬 현상에 따른 에너지 전달현상을 발생시키고, 상기 발생된 에너지를 상기 채널 영역에 전달하는 표면 플라즈몬층;상기 표면 플라즈몬층의 일측에 형성되고, 상기 채널 영역과 전기적으로 연결된 소스 전극; 및상기 표면 플라즈몬층을 중심으로 상기 소스 전극에 대향하는 드레인 전극을 포함하는 광소자
8 8
제7항에 있어서, 상기 2개의 채널은,상기 게이트 전극에서 인가되는 바이어스에 의해 형성되는 제1 채널; 및상기 입사광에 의해 상기 표면 플라즈몬층으로부터 전달되는 에너지에 의해 형성되는 제2 채널을 포함하는 것을 특징으로 하는 광소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.