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멀티 레벨 셀 저항 메모리 장치 및 그의 데이터 기입 방법

  • 기술번호 : KST2014063961
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 복수개의 메모리 셀들을 구비하며, 데이터를 저장하는 메모리부; 상기 메모리부에 데이터를 기입하는 데이터 기입부; 및 상기 메모리부에 데이터를 기입하기 전에, 기입 예정인 메모리 셀에 저장되어 있는 데이터를 독출하고, 상기 독출된 데이터를 데이터 기입부로부터 받은 기입 예정인 데이터와 비교하며, 이 둘이 서로 다를 때 상기 데이터 기입부로 하여금 상기 기입 예정인 데이터를 기입하도록 제어하는 제어부를 구비하며, 상기 데이터 기입부는 외부로부터 2개의 데이터 기입 요청이 있을 때 피크 기입 파워 한계(peak write power capability)을 초과하지 않는 범위 내에서 2개의 데이터를 동시에 상기 메모리부에 기입하는 멀티 레벨 셀 저항 메모리 장치를 제공한다.
Int. CL G11C 13/00 (2006.01.01) G11C 11/56 (2006.01.01)
CPC G11C 13/0069(2013.01) G11C 13/0069(2013.01) G11C 13/0069(2013.01) G11C 13/0069(2013.01)
출원번호/일자 1020140047532 (2014.04.21)
출원인 에스케이하이닉스 주식회사, 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2015-0121537 (2015.10.29) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2018.09.04)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 에스케이하이닉스 주식회사 대한민국 경기도 이천시
2 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 유승주 대한민국 경상북도 포항시 남구
2 김영식 대한민국 경상북도 경산시 대학로*
3 우창수 대한민국 서울특별시 강서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이철희 대한민국 서울특별시 강남구 삼성로***길 *, ***호 가디언국제특허법률사무소 (삼성동, 우경빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2014.04.21 수리 (Accepted) 1-1-2014-0378048-76
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.04.27 수리 (Accepted) 4-1-2015-5055330-26
3 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2018.09.04 수리 (Accepted) 1-1-2018-0878949-20
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2019.11.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0840606-33
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2020.01.07 수리 (Accepted) 1-1-2020-0014675-43
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2020.01.07 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2020-0014676-99
10 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2020.05.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0351016-93
11 [법정기간연장]기간 연장신청서·기간 단축신청서·기간 경과 구제신청서·절차 계속신청서
2020.06.22 수리 (Accepted) 1-1-2020-0639496-14
12 법정기간연장승인서
2020.06.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2020-0092681-17
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
복수개의 메모리 셀들을 구비하며, 데이터를 저장하는 메모리부;상기 메모리부에 데이터를 기입하는 데이터 기입부; 및상기 메모리부에 데이터를 기입하기 전에, 기입 예정인 메모리 셀에 저장되어 있는 데이터를 독출하고, 상기 독출된 데이터를 데이터 기입부로부터 받은 기입 예정인 데이터와 비교하며, 이 둘이 서로 다를 때 상기 데이터 기입부로 하여금 상기 기입 예정인 데이터를 기입하도록 제어하는 제어부를 구비하며,상기 데이터 기입부는 외부로부터 2개의 데이터 기입 요청이 있을 때 피크 기입 파워 한계(peak write power capability)을 초과하지 않는 범위 내에서 2개의 데이터를 동시에 상기 메모리부에 기입하는 것을 특징으로 하는 멀티 레벨 셀 저항 메모리 장치
2 2
제1항에 있어서, 상기 메모리부는 상기 복수개의 메모리 셀들을 포함하는 복수개의 메모리 뱅크들을 구비하며, 상기 복수개의 메모리 뱅크들은 2개의 메모리 뱅크 그룹으로 구분되는 것을 특징으로 하는 것을 특징으로 하는 멀티 레벨 셀 저항 메모리 장치
3 3
제1항에 있어서,상기 데이터 기입부는 복수개의 프로그램 버퍼들을 구비하며, 상기 복수개의 프로그램 버퍼들은 상기 제어부의 지시를 받아서 상기 메모리부에 데이터를 기입하는 것을 특징으로 하는 멀티 레벨 셀 저항 메모리 장치
4 4
제1항에 있어서, 상기 제어부는,첫번째 데이터 기입이 수행되는 제1 뱅크 그룹의 파워 소모량을 검출하는 파워 소모량 검출부;상기 검출된 제1 뱅크 그룹의 파워 소모량을 기 설정된 피크 기입 파워 한계(peak write power capability)과 비교하는 파워 비교부;상기 산출된 파워 소모량이 상기 피크 기입 파워 한계를 초과하지 않는다고 판단되면, 상기 파워 소모량 검출부로부터 받은 파워 소모량에 근거하여 제2 뱅크 그룹의 파워 가용량(power budget)을 산출하는 가용량 산출부; 및상기 가용량 산출부의 출력 신호를 수신하고, 파워 가용량이 있을 경우에, 제2 프로그램 버퍼로 하여금 두번째 데이터를 제2 뱅크 그룹에 기입하도록 지시하는 지시부를 구비하는 것을 특징으로 하는 멀티 레벨 셀 저항 메모리 장치
5 5
제4항에 있어서,상기 가용량 산출부는 상기 피크 기입 파워 한계에서 상기 검출된 파워 소모량을 감산하고, 그 남는 값을 상기 파워 가용량으로 설정하는 것을 특징으로 하는 멀티 레벨 셀 저항 메모리 장치
6 6
제4항에 있어서, 상기 가용량 산출부는 상기 검출된 파워 소모량이 상기 피크 기입 파워 한계에 근접하거나 상기 피크 기입 파워 한계를 초과할 경우에는 제1 프로그램 버퍼로 하여금 데이터 기입 동작을 계속하게 하고, 제2 프로그램 버퍼는 기입 동작을 수행하지 못하게 하는 것을 특징으로 하는 멀티 레벨 셀 저항 메모리 장치
7 7
제1항에 있어서,상기 메모리부로부터 독출되는 데이터를 일시 저장하는 로우 버퍼를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 멀티 레벨 셀 저항 메모리 장치
8 8
제7항에 있어서, 상기 로우 버퍼는상기 메모리부에 구비되는 복수개의 워드라인들에 연결되며, 외부로부터 입력되는 로우 어드레스에 응답하여 상기 복수개의 워드 라인들 중 일부를 선택하여 활성화시켜서 상기 선택된 워드라인에 연결된 메모리 셀에 저장된 데이터를 독출하는 것을 특징으로 하는 멀티 레벨 셀 저항 메모리 장치
9 9
데이터가 저장되는 제1 뱅크 그룹과 제2 뱅크 그룹을 구비하고, 외부에서 복수개의 데이터를 수신하는 멀티 레벨 셀 저항 메모리 장치의 데이터 기입 방법에 있어서,(a) 첫번째 데이터를 상기 제1 뱅크 그룹에 기입하는 단계;(b) 제1 뱅크 그룹의 파워 소모량을 검출하는 단계;(c) 상기 검출된 파워 소모량을 피크 기입 파워 한계와 비교하는 단계;(d) 제2 뱅크 그룹에 대한 파워 가용량을 산출하는 단계; 및 (e) 상기 데이터 중 두번째 데이터를 제2 뱅크 그룹에 기입하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 멀티 레벨 셀 저항 메모리 장치의 데이터 기입 방법
10 10
제9항에 있어서,상기 두번째 데이터를 상기 제2 뱅크 그룹에 기입할 때 상기 산출된 파워 가용량의 범위 내에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 멀티 레벨 셀 저항 메모리 장치의 데이터 기입 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.