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다중접합 태양전지

  • 기술번호 : KST2014064093
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 다중접합 태양전지에 관한 것으로서, GaAs기판위에 Ⅲ-Ⅴ족 화합물을 성장시켜 구성되는 다중접합 구조에서 인버티드(inverted) 구조를 통해 불필요한 역위상 경계결함 문제를 해결하고 Ge기판을 이용하는 것보다 저렴하고 얇게 에칭하여 플렉서블할 뿐만 아니라 재활용할 수 있으며 BSF(Back Surface Field)층의 삽입으로 태양전지의 성능을 향상시켜 고성능 고효율을 갖는 태양전지 및 수광소자로 휴대용, 군사용, 저가형 소자에 적용할 수 있다.
Int. CL H01L 31/0725 (2012.01)
CPC H01L 31/0725(2013.01) H01L 31/0725(2013.01)
출원번호/일자 1020120062782 (2012.06.12)
출원인 한국광기술원
등록번호/일자 10-1370611-0000 (2014.02.27)
공개번호/일자 10-2013-0139070 (2013.12.20) 문서열기
공고번호/일자 (20140402) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.06.12)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국광기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김효진 대한민국 광주 광산구
2 신재철 대한민국 광주 광산구
3 오시덕 대한민국 광주 북구
4 이세원 대한민국 경기 성남시 분당구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인아주 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, **,**층(역삼동, 동희빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국광기술원 광주광역시 북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.06.12 수리 (Accepted) 1-1-2012-0466835-10
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.08.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0584193-11
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.10.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0956780-36
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.10.23 수리 (Accepted) 1-1-2013-0956779-90
5 등록결정서
Decision to grant		 2014.02.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0128746-21
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.07.03 수리 (Accepted) 4-1-2020-5148105-81
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.07.09 수리 (Accepted) 4-1-2020-5153634-39
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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양면이 폴리싱된 n-GaAs 기판의 한면으로 n/p-InGaP층과 n/p-GaAs층이 형성되고, 다른 면으로는 n/p-Ge층이 형성된 것을 특징으로 하되, 상기 Ge층은 IBuGe(IsoButylGermane)을 이용한 화학 기상 증착법으로 형성하며, 상기 Ge층은 다중접합 태양전지에서 생성되는 캐리어의 재결합을 방지하기 위해 InGaP로 형성되는 BSF(Back Surface Field)층을 포함하는 것을 특징으로 하는 다중접합 태양전지
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양면이 폴리싱된 n-GaAs 기판의 한면으로 n/p-InGap층과 n/p-GaAs층이 형성되고, 다른 면으로는 n/p-InGaAsNSb층과 n/p-Ge층이 형성된 것을 특징으로 하되, 상기 n/p-InGaAsNSb층은 에너지 밴드갭 (Eg)이 0
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