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나노입자로 이루어지는 지지체;물리기상증착 공정을 통해 기화된 후 지지체 입자 표면에서 응축되는 제1상 나노입자;를 포함하고,상기 지지체는 탄소 입자로 이루어지고, 상기 제1상 소재는 탄화 텅스텐 소재로 이루어지며, WC/C 구조의 CMP 공정용 연마상을 형성하는 것을 특징으로 하는 복합 나노입자
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나노입자로 이루어지는 지지체;물리기상증착 공정을 통해 기화된 후 지지체 입자 표면에서 응축되는 제1상 나노입자;를 포함하고,상기 지지체는 탄소 입자로 이루어지고, 상기 제1상 소재는 텅스텐 소재로 이루어지며, 기화된 텅스텐이 탄소 입자 표면에서 나노 입자로 응축되어 W/C 구조를 형성하고, 환원분위기에서 열처리를 통해서 상기 W/C 입자를 침탄시켜서 WC/C 구조의 CMP 공정용 연마상을 형성하는 것을 특징으로 하는 복합 나노입자
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제1상 소재를 물리기상증착 공정을 통해 기화시키는 단계;나노입자로 이루어지는 지지체 표면에서 기화된 제1상 소재가 나노 입자로 응축되는 단계;를 포함하고,상기 지지체는 탄소 입자로 이루어지고, 상기 제1상 소재는 탄화 텅스텐 소재로 이루어지며, 기화된 탄화 텅스텐이 탄소 입자 표면에서 나노입자로 응축되어 WC/C 구조의 CMP 공정용 연마상을 형성하는 것을 특징으로 하는 복합 나노입자 제조방법
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제1상 소재를 물리기상증착 공정을 통해 기화시키는 단계;나노입자로 이루어지는 지지체 표면에서 기화된 제1상 소재가 나노 입자로 응축되는 단계;를 포함하고,상기 지지체는 탄소 입자로 이루어지고, 상기 제1상 소재는 텅스텐 소재로 이루어지며, 기화된 텅스텐이 탄소 입자 표면에서 나노입자로 응축되어 W/C 구조를 형성하며, 환원분위기에서 열처리를 통해서 상기 W/C 입자를 침탄시켜서 WC/C 구조의 CMP 공정용 연마상을 형성하는 것을 특징으로 하는 복합 나노입자 제조방법
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나노입자로 이루어지는 지지체;물리기상증착 공정을 통해 기화된 후 지지체 입자 표면에서 응축되는 제1상 나노입자;를 포함하고,상기 지지체는 산화텅스텐 입자로 이루어지고, 상기 제1상 소재는 희토류 금속 소재로 이루어지며, 희토류/산화텅스텐 구조의 희토류 형광물질을 형성하는 것을 특징으로 하는 복합 나노입자
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나노입자로 이루어지는 지지체;물리기상증착 공정을 통해 기화된 후 지지체 입자 표면에서 응축되는 제1상 나노입자;를 포함하고,상기 지지체는 NdFeB 분말 입자로 이루어지고,상기 제1상 소재는 Dy 소재로 이루어지며, Dy/NdFeB 구조의 희토자석용 분말을 형성하는 것을 특징으로 하는 복합 나노입자
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