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실리사이드 나노와이어를 갖는 전계방출소자 및 이의 제조방법
- 기술번호 : KST2014065632
- 담당센터 :
- 전화번호 :
| 요약 | 본 발명은 실리사이드 나노와이어를 갖는 전계방출소자 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 더 상세하게는 실리콘과 금속촉매를 합성하여 전기전도성이 우수한 실리사이드를 형성하고 금속의 확산을 통해 실리사이드 나노와이어를 성장시켜 디스플레이 및 고효율램프 분야에 적용가능한 전계방출소자 및 이의 제조방법에 관한 것이다.본 발명은 금속촉매를 이용하여 우수한 결정질로 성장된 고전도성의 나노소재를 이용하여 전계 방출 소자를 제조하였으며, 이는 도핑과정과 뾰족한 형상을 만들기 위한 과정을 생략하여 생산공정 단축으로 생산비를 절감시킬 수 있으며, 적은 전압으로 방출전류를 증대시킬 수 있어 성능의 향상을 도모하였고, 물리적증착과 화학적증착방법 모두를 적용하여 실리사이드 나노와이어를 성장시킬 수 있으므로 적용범위를 확장시킬수 있다. 나노와이어 성장의 기저층을 형성하는 니켈 실리사이드층은 전기적으로 전도가 우수함으로 이를 전도성 전극으로 사용할 수 있으므로, 회로구성에 용이성을 제공할 수 있으며, 절연기판을 사용할 시에도 부가적인 전극의 형성이 필요없이 실리사이드층을 사용하면 전계방출특성을 확보할 수 있어 디스플레이 및 고효율램프 분야에 적용가능한 유용한 제품 및 제조방법을 제공할 수 있다.실리사이드, 나노와이어, 금속촉매, 전계방출소자 |
|---|---|
| Int. CL | B82Y 40/00 (2011.01) H01J 9/02 (2011.01) H01J 1/304 (2011.01) |
| CPC | H01J 1/304(2013.01) H01J 1/304(2013.01) H01J 1/304(2013.01) H01J 1/304(2013.01) H01J 1/304(2013.01) H01J 1/304(2013.01) |
| 출원번호/일자 | 1020070107471 (2007.10.24) |
| 출원인 | 한국기계연구원 |
| 등록번호/일자 | 10-0883531-0000 (2009.02.06) |
| 공개번호/일자 | |
| 공고번호/일자 | (20090212) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 등록 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2007.10.24) |
| 심사청구항수 | 7 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 한국기계연구원 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 김준동 | 대한민국 | 대전 유성구 |
| 2 | 한창수 | 대한민국 | 대전 유성구 |
| 3 | 이응숙 | 대한민국 | 경남 마산시 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 특허법인 웰 | 대한민국 | 서울특별시 서초구 방배로**길*, *~*층(방배동) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 인천대학교 산학협력단 | 인천광역시 연수구 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2007.10.24 | 수리 (Accepted) | 1-1-2007-0762950-55 |
| 2 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2008.05.07 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 3 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2008.06.13 | 수리 (Accepted) | 9-1-2008-0037907-84 |
| 4 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2008.07.31 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2008-0402488-00 |
| 5 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2008.09.26 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0678697-38 |
| 6 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2008.09.26 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2008-0678681-19 |
| 7 | 등록결정서 Decision to grant |
2009.01.28 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2009-0035383-30 |
| 8 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2011.04.08 | 수리 (Accepted) | 4-1-2011-5069914-14 |
| 9 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2011.04.08 | 수리 (Accepted) | 4-1-2011-5069919-31 |
| 10 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2017.11.28 | 수리 (Accepted) | 4-1-2017-5193093-72 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 기판(20)과 애노드(40)가 구비되어 디스플레이 분야와 고효율 램프에 사용하는 전계방출소자의 제조방법에 있어서,기판(20) 상부에 금속촉매를 코팅하는 단계와;상기 금속촉매를 실리콘과 반응시켜 금속 실리사이드층(30)을 형성하는 단계와; 상기 금속 실리사이드 층위에 금속확산으로 실리사이드 나노와이어(50)를 성장시키는 단계;를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 실리사이드 나노와이어를 갖는 전계방출소자 제조방법 |
| 2 |
2 제1항에 있어서,상기 금속 실리사이드층(30)을 형성하는 단계는 200~900℃의 온도하에서 이루어짐을 특징으로 하는 실리사이드 나노와이어를 갖는 전계방출소자 제조방법 |
| 3 |
3 제1항에 있어서,상기 금속촉매는 니켈, 코발트, 철 (Fe), 팔라듐 (Pd), 백금 (Pt)으 이루어진 군으로부터 선택사용됨을 특징으로 하는 실리사이드 나노와이어를 갖는 전계방출소자 제조방법 |
| 4 |
4 기판에 금속촉매를 코팅시키고, 이를 실리콘과 반응시켜 금속 실리사이드층을 형성하고, 이에 금속을 확산하여 실리사이드 나노와이어를 성장시킨 제조방법에 의해 제조된 기판과 애노드가 구비되는 전계방출소자에 있어서, 상기 기판(20) 상부에 형성된 금속 실리사이드층(30)과, 상기 금속 실리사이드층 상부에 형성된 실리사이드 나노와이어(50)를 갖는 전계방출소자 |
| 5 |
5 제4항에 있어서,상기 실리사이드 나노와이어(50)는 금속 실리사이드층(30)과 접하는 하단은 넓은면을 갖고, 성장된 상단부는 뾰적한 원뿔형태로 형성된 것을 특징으로 하는 실리사이드 나노와이어를 갖는 전계방출소자 |
| 6 |
6 제4항에 있어서,상기 기판(20)은 비도전체를 사용하고, 금속 실리사이드층(30)을 캐소드로 사용함을 특징으로 하는 실리사이드 나노와이어를 갖는 전계방출소자 |
| 7 |
7 제4항에 있어서,상기 기판(20)은 도전체를 사용하고, 금속 실리사이드층(30)은 도전체기판과 오믹접합이 이루어져 기판과 금속 실리사이드층을 캐소드로 사용함을 특징으로 하는 실리사이드 나노와이어를 갖는 전계방출소자 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | JP04870133 | JP | 일본 | FAMILY |
| 2 | JP21105049 | JP | 일본 | FAMILY |
DOCDB 패밀리 정보
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | JP2009105049 | JP | 일본 | DOCDBFAMILY |
| 2 | JP4870133 | JP | 일본 | DOCDBFAMILY |
| 순번 | 연구부처 | 주관기관 | 연구사업 | 연구과제 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 산업기술연구회 | 한국기계연구원 | 기관사업-기관고유 | 고효율 광부품을 위한 나노 패터닝 기술(2/3) |
| 공개전문 정보가 없습니다 |
|---|
- 본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
- 데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
- 법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.
| 특허 등록번호 | 10-0883531-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 20071024 출원 번호 : 1020070107471 공고 연월일 : 20090212 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20090128 청구범위의 항수 : 7 유별 : H01J 1/30 발명의 명칭 : 실리사이드 나노와이어를 갖는 전계방출소자 및 이의제조방법 존속기간(예정)만료일 : |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 한국기계연구원 대전광역시 유성구... |
| 2 |
(의무자) 한국기계연구원 대전광역시 유성구... |
| 2 |
(권리자) (재)연구개발특구진흥재단 대전광역시 유성구... |
| 3 |
(의무자) (재)연구개발특구진흥재단 대전광역시 유성구... |
| 3 |
(권리자) 한국기계연구원 대전광역시 유성구... |
| 4 |
(권리자) 인천대학교 산학협력단 인천광역시 연수구... |
| 4 |
(의무자) 한국기계연구원 대전광역시 유성구... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 159,000 원 | 2009년 02월 06일 | 납입 |
| 제 4 년분 | 금 액 | 194,000 원 | 2012년 02월 06일 | 납입 |
| 제 5 년분 | 금 액 | 194,000 원 | 2013년 01월 03일 | 납입 |
| 제 6 - 7 년분 | 금 액 | 560,000 원 | 2013년 10월 01일 | 납입 |
| 제 8 년분 | 금 액 | 366,000 원 | 2015년 12월 08일 | 납입 |
| 제 9 년분 | 금 액 | 256,200 원 | 2017년 01월 25일 | 납입 |
| 제 10 년분 | 금 액 | 625,000 원 | 2018년 01월 29일 | 납입 |
| 제 11 년분 | 금 액 | 312,500 원 | 2019년 01월 25일 | 납입 |
| 제 12 년분 | 금 액 | 312,500 원 | 2020년 01월 28일 | 납입 |
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| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 | 2007.10.24 | 수리 (Accepted) | 1-1-2007-0762950-55 |
| 2 | 선행기술조사의뢰서 | 2008.05.07 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 3 | 선행기술조사보고서 | 2008.06.13 | 수리 (Accepted) | 9-1-2008-0037907-84 |
| 4 | 의견제출통지서 | 2008.07.31 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2008-0402488-00 |
| 5 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2008.09.26 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0678697-38 |
| 6 | [명세서등 보정]보정서 | 2008.09.26 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2008-0678681-19 |
| 7 | 등록결정서 | 2009.01.28 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2009-0035383-30 |
| 8 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2011.04.08 | 수리 (Accepted) | 4-1-2011-5069914-14 |
| 9 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2011.04.08 | 수리 (Accepted) | 4-1-2011-5069919-31 |
| 10 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2017.11.28 | 수리 (Accepted) | 4-1-2017-5193093-72 |
| 기술번호 | KST2014065632 |
|---|---|
| 자료제공기관 | 미래기술마당 |
| 기술공급기관 | 기술보증기금(신탁) |
| 기술명 | 실리사이드 나노와이어를 갖는 전계방출소자 및 이의 제조방법 |
| 기술개요 |
본 발명은 실리사이드 나노와이어를 갖는 전계방출소자 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 더 상세하게는 실리콘과 금속촉매를 합성하여 전기전도성이 우수한 실리사이드를 형성하고 금속의 확산을 통해 실리사이드 나노와이어를 성장시켜 디스플레이 및 고효율램프 분야에 적용가능한 전계방출소자 및 이의 제조방법에 관한 것이다.본 발명은 금속촉매를 이용하여 우수한 결정질로 성장된 고전도성의 나노소재를 이용하여 전계 방출 소자를 제조하였으며, 이는 도핑과정과 뾰족한 형상을 만들기 위한 과정을 생략하여 생산공정 단축으로 생산비를 절감시킬 수 있으며, 적은 전압으로 방출전류를 증대시킬 수 있어 성능의 향상을 도모하였고, 물리적증착과 화학적증착방법 모두를 적용하여 실리사이드 나노와이어를 성장시킬 수 있으므로 적용범위를 확장시킬수 있다. 나노와이어 성장의 기저층을 형성하는 니켈 실리사이드층은 전기적으로 전도가 우수함으로 이를 전도성 전극으로 사용할 수 있으므로, 회로구성에 용이성을 제공할 수 있으며, 절연기판을 사용할 시에도 부가적인 전극의 형성이 필요없이 실리사이드층을 사용하면 전계방출특성을 확보할 수 있어 디스플레이 및 고효율램프 분야에 적용가능한 유용한 제품 및 제조방법을 제공할 수 있다.실리사이드, 나노와이어, 금속촉매, 전계방출소자 |
| 개발상태 | 연구실환경 테스트 |
| 기술의 우수성 |
1) 기술의 우수성
- 본 기술은 금속촉매를 이용하여 우수한 결정질로 성장된 고전도성의 나노소재를 이용하여 전계 방출 소자를 제조하였으며, 이는 도핑과정과 뾰족한 형상을 만들기 위한 과정을 생략하여 생산공정 단축으로 생산비를 절감시킬 수 있으며, 적은 전압으로 방출전류를 증대시킬 수 있어 성능의 향상을 도모하였고, 물리적증착과 화학적증착방법 모두를 적용하여 실리사이드 나노와이어를 성장시킬 수 있으므로 적용범위를 확장시킬수 있음 - 나노와이어 성장의 기저층을 형성하는 니켈 실리사이드층은 전기적으로 전도가 우수함으로 이를 전도성 전극으로 사용할 수 있으므로, 회로구성에 용이성을 제공할 수 있으며, 절연기판을 사용할 시에도 부가적인 전극의 형성이 필요없이 실리사이드층을 사용하면 전계방출 특성을 확보할 수 있어 디스플레이 및 고효율램프 분야에 적용가능한 유용한 제품 및 제조방법을 제공할 수 있는 장점이 있음 2) 기술의 경쟁력 - 성장된 나노와이어가 실리사이드층과 접하는 하단은 넓은면을 갖고, 성장된 상단부는 뾰적한 원뿔형태로 형성함으로서, 도핑과정과 뾰족한 형상을 만들기 위한 과정을 생략하여 생산공정 단축으로 생산비를 절감 시킬 수 있으며, 적은 전압으로 방출전류를 증대시킬 수 있어 성능의 향상 나노와이어 성장의 기저층을 형성하는 니켈 실리사이드층은 전기적으로 전도가 우수함으로 이를 전도성 전극으로 사용할 수 있으므로, 회로구성에 용이성을 제공할 수 있으며, 절연기판을 사용할 시에도 부가적인 전극의 형성이 필요 없는 효과가 있음 |
| 응용분야 |
1) 기술의 적용 및 응용분야
- 정보통신 기술의 발달로 인해, 다양한 정보를 표현하고 시각화하는 다양한 형태의 디스플레이에 대한 수요가 증가하고 있어 최근에는 크기의 다양성과 전력소모를 감소 효과를 가지는 디스플레이 분야에 활용가능하며, 전력감소 효과가 부각된 고효율램프 분야에도 적용 가능 |
| 시장규모 및 동향 |
1) 국내·외 시장규모 및 전망 - 국내 디스플레이 부품소재 시장 중 편광판 시장의 국산화가 활발히 이뤄지고 있으며, 국내업체들의 점유율이 지속적으로 확대중에 있음 - 2011년에 크게 위축되었던 디스플레이 시장은 2012년에 성장세로 반등하면서, 주력 시장인 범용 LCD패널이 주요 수요처인 TV산업의 성장세 둔화로 불안정한 업황흐름을 지속하였으나, 수요의 견조한 성장세가 수반된 3D TV, 스마트폰, 태블릿PC 등 고부가가치 패널은 면적출하량 측면에서 차지하는 비중은 대형에 비해 크게 낮은 수준이나, 견조한 수요 증가와 타이트한 수급 상황으로 인해 단위면적당 가격프리미엄이 높게 형성되어 업황 회복에 크게 기여함 2) 시장경쟁상황 - 4분기 연속(2010년 4분기~2011년 3분기) 영업적자와 증가한 재무부담의 차이로 인한 투자여력 격차는 업체간 경쟁력 차이 확대로 이어질 전망이며, 그러나, 이에 대응하기 위한 업체들의 전략이 차별화됨에 따라 2012년 업계 경쟁구도는 단순히 현재 상위권인 업체들에만 유리한 방향으로 변화하지는 않을 수 있음 - 대형 시장에서는 소니가 TV사업부 축소, S-LCD 철수를 발표하고, 대만업체들이 대규모 영업적자로 경쟁력이 크게 저하됨에 따라 향후 LG전자(대형 1위)와 삼성전자(대형2위), 샤프(대형5위) 간의 경쟁으로 압축될 것으로 예상됨. 국내업체들과 증설경쟁을 주도했던 대만업체들은 대규모 영업적자와 재무부담 상승으로 인해 가동율 및 재고조정, 유동성 위기 등에 직면하고 있어 단기간 내 업황이 개선되더라도 경쟁력을 회복하기는 어려울 것으로 전망됨 - AUO(대형3위)는 내년 상반기까지 구조조정, 가동율 축소 등을 통한 비용절감계획을 발표했고, CMI(대형4위)의 경우 유동성 악화로 채권단과 협상 중인 것으로 알려져 있음 3) 시장진입가능성 - 현재 디스플레이 시장의 주력인 LCD시장에서의 경쟁우위 유지와 더불어 차세대 디스플레이에 대한 투자 및 개발을 동시에 추진하는 전방위 라인업 구축이 강화되어야 할 시점으로 판단됨 - 따라서 기존 LCD 시장의 경우 중국의 생산능력 증가, 기술 격차, 목표 시장의 규모 및 성장가능성 등을 고려해야 할 것이며, 차세대 디스플레이의 경우 공정기술, 양산 등의 표준화가 진행 중이므로 경쟁력 있는 차세대기술의 선점과 경쟁우위를 강화할 전자소재 개발 등 기술력 측면의 투자 방향과 규모가 향후 경쟁력 차이의 중요한 변수가 될 것으로 판단됨 |
| 희망거래유형 | |
| 사업화적용실적 | |
| 도입시고려사항 |
| 과제고유번호 | 1345098349 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 14-2008-03-001-00 |
| 연구과제명 | 나노소재조립공정원천기술개발 |
| 성과구분 | 등록 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
| 연구주관기관명 | 한국기계연구원 |
| 성과제출연도 | 2009 |
| 연구기간 | 200804~201203 |
| 기여율 | 0.5 |
| 연구개발단계명 | 응용연구 |
| 6T분류명 | NT(나노기술) |
| 과제고유번호 | 1355052523 |
|---|---|
| 세부과제번호 | NK133B |
| 연구과제명 | 고효율광부품을위한나노패터닝기술(2/3) |
| 성과구분 | 등록 |
| 부처명 | 지식경제부 |
| 연구관리전문기관명 | 과학기술부 |
| 연구주관기관명 | 한국기계연구원 |
| 성과제출연도 | 2007 |
| 연구기간 | 200701~200712 |
| 기여율 | 0.5 |
| 연구개발단계명 | 개발연구 |
| 6T분류명 | NT(나노기술) |
| 과제고유번호 | 1355052523 |
|---|---|
| 세부과제번호 | NK133B |
| 연구과제명 | 고효율광부품을위한나노패터닝기술(2/3) |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 지식경제부 |
| 연구관리전문기관명 | 과학기술부 |
| 연구주관기관명 | 한국기계연구원 |
| 성과제출연도 | 2007 |
| 연구기간 | 200701~200712 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 개발연구 |
| 6T분류명 | NT(나노기술) |
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