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스테인리스 스틸 질화방법

  • 기술번호 : KST2014066076
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 스테인리스 스틸 질화방법에 관한 것으로, 로 내부 및 시편의 온도 균일도 및 질화 이온 밀도를 높여 높은 질화 특성 및 표면조도를 확보할 수 있도록 한 포스트 플라즈마를 이용한 스테인리스 스틸 질화방법에 관한 것이다.이를 위한 질화방법은, 노 내부의 분위기를 Ar과 H2의 혼합 기체로 유지시키고, 온도를 300~500℃로 가열한 후, 스크린망에 4~8kW의 전력을 가해 포스트 플라즈마를 생성시키는 플라즈마 생성공정과; 스테인리스 스틸 표면의 잔류가스 및 불순물을 제거하는 표면 활성화공정과; 스테인리스 스틸에 질화 반응가스를 투입하여 450℃이하의 온도에서 질화시키는 질화층 형성공정과; 노 내부의 온도를 떨어뜨려 스테인리스 스틸을 냉각시키는 냉각공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.상기한 구성에 따라, 스크린망을 통과한 반응 가스의 활성화를 통해 높은 이온 밀도를 형성하여 온도 균일도를 높여 질화 성능을 향상시키고, 낮은 온도에서 질화처리하여 CrN의 석출을 방지할 수 있어, 표면경도와 내마모성을 가일층 향상시킬 수 있는 효과도 있다.포스트 플라즈마, 스테인리스 스틸, 질화, 스크린망, 표면조도.
Int. CL C23C 8/26 (2006.01) C23C 8/24 (2006.01)
CPC C23C 8/26(2013.01) C23C 8/26(2013.01) C23C 8/26(2013.01) C23C 8/26(2013.01) C23C 8/26(2013.01)
출원번호/일자 1020060006445 (2006.01.20)
출원인 한국생산기술연구원
등록번호/일자 10-0661130-0000 (2006.12.18)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20061222) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.01.20)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 대한민국 충청남도 천안시 서북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김성완 대한민국 서울 양천구
2 김상권 대한민국 경기도 광명시 광
3 문경일 대한민국 인천 남구
4 조용기 대한민국 경기 안산시 상록구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 유종정 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 *, ***호(역삼동, 강남역센트럴푸르지오시티)(오주특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 배진범 대구광역시 달서구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2006.01.20 수리 (Accepted) 1-1-2006-0045865-64
2 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2006.03.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0204982-38
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2006.11.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2006.11.28 수리 (Accepted) 9-1-2006-0077373-50
5 등록결정서
Decision to grant
2006.12.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0745591-25
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2007.02.09 수리 (Accepted) 4-1-2007-5022520-66
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.10.20 수리 (Accepted) 4-1-2008-5164358-96
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.11.11 수리 (Accepted) 4-1-2008-5178457-80
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.01.20 수리 (Accepted) 4-1-2009-5013686-94
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.08.30 수리 (Accepted) 4-1-2010-5161401-06
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.04.02 수리 (Accepted) 4-1-2012-5068733-13
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090658-47
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2013-5017806-08
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.01.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5006834-98
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.07.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5123030-77
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
노 내부에 오스테나이트계 스테인리스 스틸을 장입 및 가열하는 경우 스테인리스 스틸 외부에서 발생된 플라즈마에 기체를 통과시켜 상기 스테인리스 스틸을 질화시키는 방법에 있어서,노(10) 내부의 분위기를 Ar과 H2의 혼합 기체로 유지시키고, 온도를 300~500℃로 가열한 후, 스크린망(20)에 4~8kW의 전력을 가해 포스트 플라즈마(PS)를 생성시키는 플라즈마 생성공정(S10)과;상기 포스트 플라즈마(PS)를 생성시킨 후, 산화 및 환원성 기체에 의해 스테인리스 스틸(P) 표면의 잔류가스 및 불순물을 제거하는 표면 활성화공정(S20)과;상기 표면 활성화공정(S20)을 거친 스테인리스 스틸(P)에 질화 반응가스를 투입하여 450℃이하의 온도에서 질화시키는 질화층 형성공정(S30)과;상기 노(10) 내부의 온도를 떨어뜨려 질화층 형성공정(S30)을 거친 스테인리스 스틸(P)을 냉각시키는 냉각공정(S40)을 포함하는 것을 특징으로 하는 포스트 플라즈마를 이용한 스테인리스 스틸 질화방법
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP04378364 JP 일본 FAMILY
2 JP19191784 JP 일본 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP2007191784 JP 일본 DOCDBFAMILY
2 JP4378364 JP 일본 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.