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기판 상부에 금속층을 형성하는 단계와, 상기 금속층을 실리사이드화하여 실리사이드층을 형성하는 단계와,상기 실리사이드층을 모체로 지속적인 실리콘 공급을 통해 실리사이드층을 적층 성장시켜 결정질 박막 실리콘층을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 금속 촉매 성장을 이용한 박막 실리콘 형성 방법
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제 1항에 있어서,상기 기판과 금속층 사이에 기판의 영향을 제거하기 위한 절연층을 더 형성시키는 것을 특징으로 하는 금속 촉매 성장을 이용한 박막 실리콘 형성 방법
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제 1항에 있어서,상기 실리사이드층을 형성하는 단계는;200~900℃ 온도 하에서 실시함을 특징으로 하는 금속 촉매 성장을 이용한 박막 실리콘 형성 방법
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제 1항에 있어서,상기 박막 실리콘층은 100㎚~200㎛로 형성함을 특징으로 하는 금속 촉매 성장을 이용한 박막 실리콘 형성 방법
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제 1항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 박막 실리콘층을 형성하는 단계는;액상, 기상 혹은 고상 형태 중 어느 하나의 상태의 실리콘을 이용하여 실시함을 특징으로 하는 금속 촉매 성장을 이용한 박막 실리콘 형성 방법
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기판;상기 기판 상에 금속과 실리콘의 반응에 의해 형성된 실리사이드층;상기 실리사이드층을 모체로 지속적인 실리콘 공급에 의해 상기 실리사이드층 상에 적층 성장으로 형성된 박막 실리콘층을 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 박막 실리콘을 이용한 전자소자
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제 6항에 있어서,상기 기판과 실리사이드층 사이에는 기판의 영향을 제거하기 위한 절연층을 더 구비됨을 특징으로 하는 박막 실리콘을 이용한 전자소자
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제 6항에 있어서,상기 박막 실리콘층은 100㎚~200㎛인 것을 특징으로 하는 박막 실리콘을 이용한 전자소자
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제 6항 내지 제 8항 중 어느 한 항에 있어서,상기 박막 실리콘층 상에 쇼트키 금속층을 더 구비하여 광전 효과를 검출하는 것을 특징으로 하는 박막 실리콘을 이용한 전자소자
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10
제 6항 내지 제 8항 중 어느 한 항에 있어서,상기 박막 실리콘층과 상기 실리사이드층 사이에 전극을 연결하여 전극 사이에서 광전 효과를 검출하는 것을 특징으로 하는 박막 실리콘을 이용한 전자 소자
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