| 1 |
1
반도체, NEMS에 구조물로 사용되는 박막 또는 와이어 시편의 기계적 물성과 전기적 특성을 동시에 측정하기 위한 시험장치에 있어서,
상기 시편(10)의 양측을 클램핑하여 액츄에이터(21)의 작동에 의해 시편(10)에 인장을 가하는 고정수단(20);과,
상기 고정수단(20)에 클램핑된 시편(10)에 다양한 세기를 갖는 전류 및 전압을 가하여 기계적 변형에 따른 전기적 특성을 측정하는 전기적 소스-측정기(70);와,
상기 시편(10)의 저면에 이격되어 시편(10)에 자유공명을 발생시킬 수 있도록 하부전극(31)을 통해 공명전압을 발진시키는 공명전압부(30);와,
상기 시편(10)의 상부에 이격되어 시편(10)의 자유공명 진폭을 상부전극(41)을 통해 검출하여 계측하는 측정제어기(40);와,
상기 고정수단(20)에 클램핑된 시편(10)에 다양한 세기를 갖는 전류 및 전압을 가하여 기계적 변형에 따른 전기적 특성을 측정하는 전기적 소스-측정기(70);를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 공명현상을 이용한 나노/마이크로 스케일의 박막의 기계 전기 물성 측정 시험장치
|
| 2 |
2
반도체, NEMS에 구조물로 사용되는 박막 또는 와이어 시편의 기계적 물성과 전기적 특성을 동시에 측정하기 위한 시험장치에 있어서,
상기 시편(10)의 양측을 클램핑하여 액츄에이터(21)의 작동에 의해 시편(10)에 인장을 가하는 고정수단(20);과,
상기 시편(10)의 저면에 이격되어 시편(10)에 자유공명을 발생시킬 수 있도록 하부전극(31)을 통해 공명전압을 발진시키는 공명전압부(30)와,
상기 시편(10)의 상부에 이격 배치되어 시편(10)의 표면에 레이져를 발진시키는 레이져발진기(50)와,
상기 시편(10)의 표면에 반사된 레이져를 수광하여 시편(10)의 자유공명에 따른 진폭을 검출하는 포토다이오드검파기(60)와,
상기 포토다이오드검파기(60)와 연결되어 시편(10)의 자유공명을 계측하는 측정제어기(40)와,
상기 고정수단(20)에 클램핑된 시편(10)에 다양한 세기를 갖는 전류 및 전압을 가하여 기계적 변형에 따른 전기적 특성을 측정하는 전기적 소스-측정기(70);를 포함하여 이루어지는 공명현상을 이용한 나노/마이크로 스케일의 박막의 기계 전기 물성 측정 시험장치
|
| 3 |
3
제 1항 또는 제 2항에 있어서,
상기 시험장치는 챔버(80) 내에 설치되며, 상기 챔버(80)는 진공상태인 것을 특징으로 하는 공명현상을 이용한 나노/마이크로 스케일의 박막의 기계 전기 물성 측정 시험장치
|
| 4 |
4
제 1항 또는 제 2항에 있어서,
상기 고정수단(20)은 액츄에이터(21)와, 상기 액츄에이터(21)에 고정되어 시편(10)의 양측을 클램핑하는 클램프(22)로 구성되는 것을 특징으로 공명현상을 이용한 나노/마이크로 스케일의 박막의 기계 전기 물성 측정 시험장치
|
| 5 |
5
제 4항에 있어서,
상기 클램프(22)에는 시편(10)을 냉각 또는 가열할 수 있도록 펠티어소자(23)가 더 부착되는 것을 특징으로 하는 공명현상을 이용한 나노/마이크로 스케일의 박막의 기계 전기 물성 측정 시험장치
|
