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나노 갭을 갖는 센서

  • 기술번호 : KST2015002522
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 일 실시예에 따른 나노 갭 센서는 보다 용이하게 제조할 수 있도록 소스 전극과, 드레인 전극과, 상기 소스 전극과 상기 드레인 전극을 연결하는 채널, 및 상기 채널과 이격되어 인접하게 배치된 게이트 전극을 포함하고, 상기 소스 전극, 상기 드레인 전극, 상기 채널, 및 상기 게이트 전극은 동일한 타입의 물질로 도핑된 실리콘층으로 이루어진다. 본 발명의 일 실시예에 따른 나노 갭 바이오 센서의 제조 방법은 기판 상에 실리콘층을 도포하는 실리콘층 형성 단계와, 상기 실리콘층 상에 레지스트층을 도포하는 레지스트층 형성 단계와, 상기 레지스트층에 패턴을 형성하는 레지스트층 패터닝 단계와, 상기 실리콘층을 에칭하여 나노 갭을 형성하는 실리콘층 패터닝 단계와, 상기 레지스트층을 제거하는 레지스트층 제거 단계와, 상기 실리콘에 전체적으로 불순물을 도핑하는 불순물 도핑 단계, 및 검출 대상 물질과 반응하는 수용기를 상기 나노 갭에 위치시키는 수용기 부착 단계를 포함한다. 나노 갭, 센서, 도핑, 전극
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) H01L 21/336 (2006.01)
CPC G01N 33/54373(2013.01) G01N 33/54373(2013.01) G01N 33/54373(2013.01) G01N 33/54373(2013.01)
출원번호/일자 1020090011089 (2009.02.11)
출원인 한국기계연구원
등록번호/일자 10-1061554-0000 (2011.08.26)
공개번호/일자 10-2010-0091751 (2010.08.19) 문서열기
공고번호/일자 (20110901) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.02.11)
심사청구항수 20

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이지혜 대한민국 대전 유성구
2 정준호 대한민국 대전 유성구
3 김기돈 대한민국 서울 중구
4 최대근 대한민국 대전 유성구
5 최준혁 대한민국 대전광역시 유성구
6 이응숙 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 팬코리아특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, 역삼***빌딩 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.02.11 수리 (Accepted) 1-1-2009-0084876-28
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2010.11.16 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2010.12.16 수리 (Accepted) 9-1-2010-0076990-60
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.12.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0580471-13
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.02.18 수리 (Accepted) 1-1-2011-0119615-98
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.02.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0119616-33
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.04.08 수리 (Accepted) 4-1-2011-5069914-14
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.04.08 수리 (Accepted) 4-1-2011-5069919-31
9 등록결정서
Decision to grant		 2011.08.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0474532-25
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.11.28 수리 (Accepted) 4-1-2017-5193093-72
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번호 청구항
1 1
소스 전극; 드레인 전극; 상기 소스 전극과 상기 드레인 전극을 연결하는 채널; 및 상기 채널과 이격되어 인접하게 배치된 게이트 전극; 을 포함하고, 상기 소스 전극, 상기 드레인 전극, 상기 채널, 및 상기 게이트 전극은 동일한 타입의 물질로 도핑된 실리콘층으로 이루어지되, 상기 소스 전극, 상기 드레인 전극, 상기 채널, 및 상기 게이트 전극은 P형 물질로 도핑된 나노 갭 센서
2 2
삭제
3 3
제1 항에 있어서, 상기 드레인 전극에는 전원의 양극이 연결되고, 상기 소스 전극에는 전원의 음극이 연결되며, 상기 게이트 전극에는 전원의 양극이 연결된 나노 갭 센서
4 4
소스 전극; 드레인 전극; 상기 소스 전극과 상기 드레인 전극을 연결하는 채널; 및 상기 채널과 이격되어 인접하게 배치된 게이트 전극; 을 포함하고, 상기 소스 전극, 상기 드레인 전극, 상기 채널, 및 상기 게이트 전극은 동일한 타입의 물질로 도핑된 실리콘층으로 이루어지되, 상기 소스 전극, 상기 드레인 전극, 상기 채널, 및 상기 게이트 전극은 N형 물질로 도핑된 나노 갭 센서
5 5
제4 항에 있어서, 상기 드레인 전극에는 전원의 양극이 연결되고, 상기 소스 전극에는 전원의 음극이 연결되며, 상기 게이트 전극에는 전원의 음극이 연결된 나노 갭 센서
6 6
제1 항에 있어서, 상기 소스 전극, 상기 드레인 전극, 상기 채널, 및 상기 게이트 전극은 동일한 물질로 도핑된 나노 갭 센서
7 7
제1 항에 있어서, 상기 게이트 전극은 하나 또는 둘 이상으로 이루어지며 상기 채널과 나노 갭을 사이에 두고 이격되어 배치된 나노 갭 센서
8 8
제1 항에 있어서, 상기 게이트 전극과 상기 채널 사이의 나노 갭에는 검출 대상 물질과 반응하는 수용기가 부착된 나노 갭 센서
9 9
제1 항에 있어서, 상기 드레인 전극, 상기 소스 전극 및 상기 게이트 전극의 상면에는 금속단자가 부착된 나노 갭 센서
10 10
제1 항에 있어서, 상기 드레인 전극, 상기 소스 전극, 및 상기 게이트 전극에는 산화막이 형성된 나노 갭 센서
11 11
제1 항에 있어서, 상기 드레인 전극, 상기 소스 전극, 및 상기 게이트 전극은 동일한 높이로 이루어진 나노 갭 센서
12 12
제1 항에 있어서, 상기 채널은 10nm 내지 300nm의 폭을 갖는 나노 갭 센서
13 13
제1 항에 있어서, 상기 채널은 100nm 내지 50000nm의 길이를 갖는 나노 갭 센서
14 14
제1 항에 있어서, 상기 나노 갭은 10nm 내지 300nm의 폭을 갖는 나노 갭 센서
15 15
기판 상에 실리콘층을 도포하는 실리콘층 형성 단계; 상기 실리콘층 상에 레지스트층을 도포하는 레지스트층 형성 단계; 상기 레지스트층에 패턴을 형성하는 레지스트층 패터닝 단계; 상기 실리콘층을 에칭하여 나노 갭을 형성하는 실리콘층 패터닝 단계; 상기 레지스트층을 제거하는 레지스트층 제거 단계; 상기 실리콘층에 전체적으로 불순물을 도핑하는 불순물 도핑 단계; 및 검출 대상 물질과 반응하는 수용기를 상기 나노 갭에 위치시키는 수용기 부착 단계; 를 포함하는 나노 갭 센서의 제조 방법
16 16
제15 항에 있어서, 상기 불순물은 P형 물질 또는 N형 물질로 이루어진 나노 갭 센서의 제조 방법
17 17
제15 항에 있어서, 상기 실리콘층 패터닝 단계는 드레인 전극과 소스 전극, 및 상기 드레인 전극과 상기 소스 전극을 연결하는 채널 및 상기 채널과 이격되어 인접하게 배치된 게이트 전극을 형성하는 나노 갭 센서의 제조 방법
18 18
제17 항에 있어서, 상기 드레인 전극, 상기 소스 전극, 및 상기 게이트 전극의 상면에 금속 전극을 부착하는 단계를 포함하는 나노 갭 센서의 제조 방법
19 19
제15 항에 있어서, 상기 불순물 도핑 단계는 상기 레지스트층 제거 단계 이후에 실시되는 나노 갭 센서의 제조 방법
20 20
제15 항에 있어서, 상기 불순물 도핑 단계는 상기 실리콘층 형성 단계 이후에 실시되는 나노 갭 센서의 제조 방법
21 21
제15 항에 있어서, 상기 불순물 도핑 단계에서 상기 나노 갭을 G1(nm)이라 하고, 상기 불순물의 도즈량을 D1이라 하면, 0
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패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 한국기계연구원 나노메카트로닉스기술개발사업단 나노임프린트공정기술