요약 | 본 발명은 유연한 기판과 그 위에 형성되는 나노구조와의 격자 불일치 때문에 생기는 계면접합 불량 문제를 해결하기 위하여 플라즈마 처리에 의해 유연한 기판의 표면거칠기를 제어함으로써 유연한 기판-산화아연(시드층) 간의 계면접합 특성을 향상시키는 기술을 사용하여 상기 유연한 기판 위에 100℃ 이하의 저온 용액 공정으로 촉매를 사용하지 않고 산화아연 나노필라 어레이(array)을 선택적으로 정렬 성장시키는 방법에 관한 것이다. |
---|---|
Int. CL | H01L 21/20 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01) |
CPC | H01L 21/02554(2013.01) H01L 21/02554(2013.01) H01L 21/02554(2013.01) H01L 21/02554(2013.01) H01L 21/02554(2013.01) H01L 21/02554(2013.01) |
출원번호/일자 | 1020110043092 (2011.05.06) |
출원인 | 전북대학교산학협력단 |
등록번호/일자 | 10-1210515-0000 (2012.12.04) |
공개번호/일자 | 10-2012-0125047 (2012.11.14) 문서열기 |
공고번호/일자 | (20121218) 문서열기 |
국제출원번호/일자 | |
국제공개번호/일자 | |
우선권정보 | |
법적상태 | 소멸 |
심사진행상태 | 수리 |
심판사항 | |
구분 | 신규 |
원출원번호/일자 | |
관련 출원번호 | |
심사청구여부/일자 | Y (2011.05.06) |
심사청구항수 | 15 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 전북대학교산학협력단 | 대한민국 | 전라북도 전주시 덕진구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 한윤봉 | 대한민국 | 전라북도 전주시 덕진구 |
2 | 박용규 | 대한민국 | 전라북도 전주시 완산구 |
3 | 최한석 | 대한민국 | 전라북도 전주시 덕진구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 황이남 | 대한민국 | 서울시 송파구 법원로 ***, ****호 (문정동, 대명벨리온지식산업센터)(아시아나국제특허법률사무소) |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 전북대학교산학협력단 | 전라북도 전주시 덕진구 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2011.05.06 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0338216-10 |
2 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2012.01.13 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
3 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2012.02.15 | 수리 (Accepted) | 9-1-2012-0009759-49 |
4 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2012.04.30 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0251845-26 |
5 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 [Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief) |
2012.07.02 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0526009-10 |
6 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 [Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief) |
2012.07.30 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0606865-19 |
7 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2012.08.29 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0694486-15 |
8 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2012.08.29 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2012-0694487-50 |
9 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2012.10.04 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5206243-46 |
10 | 등록결정서 Decision to grant |
2012.11.21 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0703888-14 |
11 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2016.01.29 | 수리 (Accepted) | 4-1-2016-5013206-34 |
12 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.02.27 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5038917-11 |
13 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.07.23 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5146986-17 |
14 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.07.23 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5146985-61 |
15 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.10.22 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5219602-91 |
16 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2020.07.06 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5149086-79 |
번호 | 청구항 |
---|---|
1 |
1 표면이 플라즈마 처리된 기판;상기 기판상에 형성된 전극층;상기 전극층상에 형성된 시드층; 및상기 시드층상에 형성된 나노필라를 포함하며,상기 기판의 표면의 상기 플라즈마 처리는 ICP의 공급전력 400W, chuck power 50W, 수소 가스량 30 sccm, 플라즈마(2) 처리시간 10초의 조건 하에서 이루어지는 나노필라 어레이 반도체 |
2 |
2 제 1 항에 있어서,상기 기판상에 포토레지스트층을 형성하고, 상기 포토레지스트층에 네거티브 패턴을 형성하고, 상기 네거티브 패턴 위에 상기 나노필라를 형성하는 것을 특징으로 하는 나노필라 어레이 반도체 |
3 |
3 제 1항 또는 제 2항에 있어서,상기 플라즈마는 수소(H2), 아르곤(Ar), 질소(N2), 헬륨(He), 산소(O2), 수소/알곤(H2/Ar), 질소/알곤(N2/Ar), 산소/알곤(O2/Ar),헬륨/알곤(He/Ar), 테트라프롤로메탄(CF4), 메탄(CH4), 에탄(C2H6), 테트라프롤로메탄/알곤(CF4/Ar), 메탄/알곤(CH4/Ar), 메탄/수소(CH4/H2), 에탄/수소(C2H6/H2) 중의 어느 한 가지 단일 기체 또는 한 가지 이상의 혼합기체인 것을 특징으로 하는 나노필라 어레이 반도체 |
4 |
4 제 1항 또는 제 2항에 있어서,상기 기판은 폴리이미드(polyimide), 폴리에테르이미드(polyetherimide), 폴리에스터(PET), 폴리카보네이트(polycarbonate), 폴리에틸렌 프탈레이트(polyethylene phthalate)를 포함하는 폴리머 기판 중 중의 어느 하나인 것을 특징으로 하는 나노필라 어레이 반도체 |
5 |
5 제 1항 또는 제 2항에 있어서,상기 기판은 유리, 실리콘(Si), 사파이어(Al2O3), 산화티타늄(TiO2), Si/SiO2, ITO, GaN, GaAs, Si/GaN, Si/GaAS, Si/ZnO, Si/TiO2, Si/SiO2,, Si/SnO2 중 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 나노필라 어레이 반도체 |
6 |
6 제 1항 또는 제 2항에 있어서,상기 나노필라는 ZnO, GaN, Si, SnO2, TiO2, CuO, NiO 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 나노필라 어레이 반도체 |
7 |
7 제 1항 또는 제 2항에 있어서,상기 나노필라는 Li, Mg, Be, Mn, Fe, Cr, Cu, Al, V, Ga, In, S, Sn, Se, As, B, Sb, Te 중에서 선택된 적어도 하나 이상의 물질로 도핑된 것을 특징으로 하는 나노필라 어레이 반도체 |
8 |
8 제 1항 또는 제 2항에 있어서,상기 나노필라는 화학 반응에 의한 액상법에 의해 성장되는 것을 특징으로 하는 나노필라 어레이 반도체 |
9 |
9 삭제 |
10 |
10 기판에 플라즈마 처리를 하는 1단계;상기 플라즈마 처리된 기판상에 포토레지스트를 도포하는 2단계;상기 포토레지스트층을 선택적으로 노광 및 현상하여 네거티브 포토레지스트층을 형성하는 3단계;상기 네거티브 포토레지스트층이 형성된 기판상에 전극층을 형성하는 4단계;상기 전극층 상에 시드층을 형성하는 5단계;상기 네거티브 포토레지스트층을 제거하는 6단계; 및상기 시드층 상에 나노필라를 형성하는 7단계를 포함하며,상기 기판의 표면의 상기 플라즈마 처리는 ICP의 공급전력 400W, chuck power 50W, 수소 가스량 30 sccm, 플라즈마(2) 처리시간 10초의 조건 하에서 이루어지는 나노필라 어레이 성장방법 |
11 |
11 제 10항에 있어서,상기 플라즈마는 수소(H2), 아르곤(Ar), 헬륨(He), 산소(O2), 테트라프롤로메탄(CF4), 메테인(CH4) 중에 어느 하나인 것을 특징으로 하는 나노필라 어레이 성장방법 |
12 |
12 제 10항에 있어서,상기 기판은 (폴리이미드)polyimide, (폴리에터이미드)polyetherimide, (폴리카보네이트)polycarbonate, (폴리에틸레나프탈레이트)polyethyleneapthalate, (폴리에스터)polyester 중의 어느 하나인 것을 특징으로 하는 나노필라 어레이 성장방법 |
13 |
13 제 10항에 있어서,상기 기판은 유리, 실리콘(Si), Al2O3, ITO 중 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 나노필라 어레이 성장방법 |
14 |
14 제 10항에 있어서,상기 나노필라는 ZnO, GaN, Si, SnO2, TiO2, CuO, NiO 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 나노필라 어레이 성장방법 |
15 |
15 제 10항에 있어서,상기 6단계 이후에 상기 나노필라를 Li, Mg, Be, Mn, Fe, Cr, Cu, Al, V, Ga, In, S, Sn, Se, As, B, Sb, Te 중에서 선택된 적어도 하나 이상의 물질로 도핑하는 8단계를 포함하는 나노필라 어레이 성장방법 |
16 |
16 제 10항에 있어서,상기 나노필라는 화학 반응에 의한 액상법에 의해 성장되는 것을 특징으로 하는 나노필라 어레이 성장방법 |
지정국 정보가 없습니다 |
---|
패밀리정보가 없습니다 |
---|
국가 R&D 정보가 없습니다. |
---|
특허 등록번호 | 10-1210515-0000 |
---|
표시번호 | 사항 |
---|---|
1 |
출원 연월일 : 20110506 출원 번호 : 1020110043092 공고 연월일 : 20121218 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20121121 청구범위의 항수 : 15 유별 : H01L 21/20 발명의 명칭 : 유연한 기판의 계면 접착력 향상 및 산화아연 나노필라 어레이의 선택적 정렬 성장방법 존속기간(예정)만료일 : 20191205 |
순위번호 | 사항 |
---|---|
1 |
(권리자) 전북대학교산학협력단 전라북도 전주시 덕진구... |
제 1 - 3 년분 | 금 액 | 315,000 원 | 2012년 12월 05일 | 납입 |
제 4 년분 | 금 액 | 259,000 원 | 2015년 11월 24일 | 납입 |
제 5 년분 | 금 액 | 259,000 원 | 2016년 10월 31일 | 납입 |
제 6 년분 | 금 액 | 259,000 원 | 2017년 11월 28일 | 납입 |
제 7 년분 | 금 액 | 335,000 원 | 2018년 11월 21일 | 납입 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 | 2011.05.06 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0338216-10 |
2 | 선행기술조사의뢰서 | 2012.01.13 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
3 | 선행기술조사보고서 | 2012.02.15 | 수리 (Accepted) | 9-1-2012-0009759-49 |
4 | 의견제출통지서 | 2012.04.30 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0251845-26 |
5 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 | 2012.07.02 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0526009-10 |
6 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 | 2012.07.30 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0606865-19 |
7 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2012.08.29 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0694486-15 |
8 | [명세서등 보정]보정서 | 2012.08.29 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2012-0694487-50 |
9 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2012.10.04 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5206243-46 |
10 | 등록결정서 | 2012.11.21 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0703888-14 |
11 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2016.01.29 | 수리 (Accepted) | 4-1-2016-5013206-34 |
12 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.02.27 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5038917-11 |
13 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.07.23 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5146986-17 |
14 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.07.23 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5146985-61 |
15 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.10.22 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5219602-91 |
16 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2020.07.06 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5149086-79 |
기술번호 | KST2015002775 |
---|---|
자료제공기관 | NTB |
기술공급기관 | 전북대학교 |
기술명 | 유연한 기판의 계면 접착력 향상 및 산화아연 나노필라 어레이의 선택적 정렬 성장방법 |
기술개요 |
본 발명은 유연한 기판과 그 위에 형성되는 나노구조와의 격자 불일치 때문에 생기는 계면접합 불량 문제를 해결하기 위하여 플라즈마 처리에 의해 유연한 기판의 표면거칠기를 제어함으로써 유연한 기판-산화아연(시드층) 간의 계면접합 특성을 향상시키는 기술을 사용하여 상기 유연한 기판 위에 100℃ 이하의 저온 용액 공정으로 촉매를 사용하지 않고 산화아연 나노필라 어레이(array)을 선택적으로 정렬 성장시키는 방법에 관한 것이다. |
개발상태 | 기술개발진행중 |
기술의 우수성 | |
응용분야 | |
시장규모 및 동향 | |
희망거래유형 | |
사업화적용실적 | |
도입시고려사항 |
과제고유번호 | 1345135349 |
---|---|
세부과제번호 | 2009-0094033 |
연구과제명 | 환경·생명 응용 차세대 반도체 핵심소자 연구 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 교육과학기술부 |
연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
연구주관기관명 | 전북대학교 |
성과제출연도 | 2010 |
연구기간 | 200512~201411 |
기여율 | 0.5 |
연구개발단계명 | 기초연구 |
6T분류명 | IT(정보기술) |
과제고유번호 | 1345157195 |
---|---|
세부과제번호 | 2009-0082964 |
연구과제명 | 인공 유모세포용 압전 나노필라 소자 제조기술 개발 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 교육과학기술부 |
연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
연구주관기관명 | 전북대학교 |
성과제출연도 | 2011 |
연구기간 | 200907~201502 |
기여율 | 0.5 |
연구개발단계명 | 기초연구 |
6T분류명 | NT(나노기술) |
과제고유번호 | 1345168006 |
---|---|
세부과제번호 | 2009-0082964 |
연구과제명 | 인공 유모세포용 압전 나노소자 제조기술 개발 |
성과구분 | 등록 |
부처명 | 교육과학기술부 |
연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
연구주관기관명 | 전북대학교 |
성과제출연도 | 2012 |
연구기간 | 200907~201502 |
기여율 | 0.5 |
연구개발단계명 | 기초연구 |
6T분류명 | NT(나노기술) |
과제고유번호 | 1345168900 |
---|---|
세부과제번호 | 2011-0028899 |
연구과제명 | 하이브리드 녹색에너지 창 소재 및 핵심기술 개발 |
성과구분 | 등록 |
부처명 | 교육과학기술부 |
연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
연구주관기관명 | 전북대학교 |
성과제출연도 | 2012 |
연구기간 | 201109~201608 |
기여율 | 0.5 |
연구개발단계명 | 기초연구 |
6T분류명 | NT(나노기술) |
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