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CHEMICAL-BATH-DEPOSITION법과염화-카드뮴열처리에의한황화-카드뮴박막의제조
- 기술번호 : KST2015003051
- 담당센터 : 대전기술혁신센터
- 전화번호 : 042-610-2279
| 요약 | 본 발명은 황화-카드뮴(CdS) 박막의 제조 방법에 관한 것으로서, CBD법으로 제조한 황화-카드뮴(CdS) 박막을 염화-카드뮴(CdCl2) 열처리함으로서 결정의 크기가 크고 치밀하며, 표면 또한 평탄한 황화-카드뮴(CdS) 박막을 제조할 수 있는 방법에 관한 것으로 기판을 세척하고 CBD법을 사용하여 황화-카드뮴(CdS) 박막을 제조하고 제조된 황화-카드뮴(CdS) 박막을 염화-카드뮴(CdCl2) 용액이나 염화-카드뮴(CdCl2) 분말 그리고 황화-카드뮴(CdS) 분말과 함께 특별히 제작한 카본 보트(carbon boat) 속에 넣고 아르곤 또는 질소 등의 비활성 가스 분위기에서 고온으로 3분 내지 10분간 열처리하여 황화-카드뮴(CdS) 결정 크기가 크고 치밀하며 표면이 평탄한 황화-카드뮴(CdS) 박막을 제조하고 고효율의 태양전지를 제조하는 것을 특징으로 하는 CBD(Chemical-bath-deposition)법과 염화-카드뮴(CdCl2) 열처리에 의한 황화-카드뮴(CdS) 박막의 제조 방법과 CdS 박막. |
|---|---|
| Int. CL | H01L 31/0445 (2014.01.01) H01L 31/18 (2006.01.01) |
| CPC | |
| 출원번호/일자 | 1019960028492 (1996.07.15) |
| 출원인 | 한국에너지기술연구원 |
| 등록번호/일자 | 10-0220371-0000 (1999.06.21) |
| 공개번호/일자 | 10-1998-0012650 (1998.04.30) 문서열기 |
| 공고번호/일자 | (19990915) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 소멸 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | 신규 |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (1996.07.15) |
| 심사청구항수 | 5 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 한국에너지기술연구원 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 송진수 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
| 2 | 안병태 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
| 3 | 박성찬 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 김경식 | 대한민국 | 서울특별시 서초구 서초대로 ***, *층 (서초동, 모인터빌딩) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 한국에너지기술연구소 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 특허출원서 Patent Application |
1996.07.15 | 수리 (Accepted) | 1-1-1996-0103230-73 |
| 2 | 대리인선임신고서 Notification of assignment of agent |
1996.07.15 | 수리 (Accepted) | 1-1-1996-0103231-18 |
| 3 | 출원심사청구서 Request for Examination |
1996.07.15 | 수리 (Accepted) | 1-1-1996-0103232-64 |
| 4 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
1998.12.31 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-1996-0464692-57 |
| 5 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
1999.02.11 | 수리 (Accepted) | 4-1-1999-0032983-31 |
| 6 | 지정기간연장신청서 Request for Extension of Designated Period |
1999.02.26 | 수리 (Accepted) | 1-1-1999-5090339-98 |
| 7 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
1999.03.12 | 수리 (Accepted) | 4-1-1999-0045776-91 |
| 8 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
1999.03.17 | 수리 (Accepted) | 4-1-1999-0048039-85 |
| 9 | 지정기간연장신청서 Request for Extension of Designated Period |
1999.03.22 | 수리 (Accepted) | 1-1-1999-5121524-55 |
| 10 | 지정기간연장승인서 Acceptance of Extension of Designated Period |
1999.03.31 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-1999-0112699-22 |
| 11 | 의견서 Written Opinion |
1999.04.27 | 수리 (Accepted) | 1-1-1999-5165457-14 |
| 12 | 명세서등보정서 Amendment to Description, etc. |
1999.04.27 | 보정승인 (Acceptance of amendment) | 1-1-1999-5165458-59 |
| 13 | 등록사정서 Decision to grant |
1999.05.27 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-1999-0165106-12 |
| 14 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
1999.05.29 | 수리 (Accepted) | 4-1-1999-0076759-30 |
| 15 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2000.05.25 | 수리 (Accepted) | 4-1-2000-0069673-86 |
| 16 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2001.01.15 | 수리 (Accepted) | 4-1-2001-0004982-67 |
| 17 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2002.09.27 | 수리 (Accepted) | 4-1-2002-0076226-24 |
| 18 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2004.12.22 | 수리 (Accepted) | 4-1-2004-5107350-13 |
| 19 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2012.01.04 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5001923-88 |
| 20 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.01.07 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5003356-15 |
| 21 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.03.10 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-0013224-83 |
| 22 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2017.01.19 | 수리 (Accepted) | 4-1-2017-5010650-13 |
| 23 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.01.08 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5004978-55 |
| 24 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.08.21 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5166803-39 |
| 25 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.08.21 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5166801-48 |
| 26 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2020.09.01 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5197654-62 |
| 번호 | 청구항 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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| 1 |
1 트리클로로에틸렌, 아세톤, 메탄올의 순서로 초음파 세척된 기판에 CBD법을 이용하여 CdS(황화-카드뮴) 박막을 형성시키고, 상기 CBD법에 의해 CdS(황화-카드뮴) 박막이 형성된 기판과 CdCl 제1항에 있어서, 상기 기판으로는 주석(tin), 인듐(indium), 캐드뮴(cadmium), 아연(zinc)의 산화물중 1종 이상이 첨가된 투명 전극을 사용하는 것을 특징으로 하는 CdCl |
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| 3 |
3 제1항에 있어서, 상기 기판으로는 태양전지의 광흡수층으로 사용되는 I-III-VI 족 원소중 1종 이상을 함유하는 CuInSe |
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| 4 |
4 제1항에 있어서, 상기 비활성 가스로는 아르곤 또는 질소를 사용하는 것을 특징으로 하는 CdCl |
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| 5 |
5 세척한 ITO/glass 등이 기판에 CBD법을 이용하여 CdS 박막을 형성시키고, 이를 CdCl |