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씨아이예스계 화합물 박막 태양 전지의 후면 전극

  • 기술번호 : KST2015003166
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 박막 태양 전지의 후면 전극에 관한 것으로, 태양전지의 효율을 증가시키기 위하여, CIGS를 비롯한 CIS계 화합물 박막 태양전지의 금속 전극에 있어서, 5~15 mtorr 아르곤 분압에서 증착된 나트륨이 첨가된 몰디브덴으로 형성된 제1전극층 및 1~4 mtorr 아르곤 분압에서 증착된 몰디브덴으로 형성된 제2전극층을 포함하는 것을 특징으로 한다.CIGS 태양 전지, 후면 전극, 나트륨, 증착, 몰디브덴, 이중층
Int. CL H01L 31/0224 (2006.01.01) H01L 31/032 (2006.01.01) H01L 31/0445 (2014.01.01)
CPC H01L 31/022441(2013.01) H01L 31/022441(2013.01) H01L 31/022441(2013.01) H01L 31/022441(2013.01)
출원번호/일자 1020060012093 (2006.02.08)
출원인 한국에너지기술연구원
등록번호/일자 10-0743923-0000 (2007.07.24)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20070730) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.02.08)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국에너지기술연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 윤재호 대한민국 대전 유성구
2 윤경훈 대한민국 대전 유성구
3 김기환 대한민국 대전 유성구
4 안병태 대한민국 대전 유성구
5 김민식 대한민국 인천 남동구
6 안세진 대한민국 대전 유성구
7 이정철 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 유동옥 대한민국 서울특별시 서초구 서초대로**길 **, 유유국제특허법률사무소 *층 (서초동, 동인빌딩)
2 임영섭 대한민국 서울 서초구 서초*동****-*동인빌딩*층(유유국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국에너지기술연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.02.08 수리 (Accepted) 1-1-2006-0092914-05
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2007.01.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0031573-46
3 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2007.03.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0216325-22
4 의견서
Written Opinion		 2007.03.19 수리 (Accepted) 1-1-2007-0216320-05
5 등록결정서
Decision to grant		 2007.07.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0384828-73
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.01.04 수리 (Accepted) 4-1-2012-5001923-88
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.01.07 수리 (Accepted) 4-1-2014-5003356-15
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.10 수리 (Accepted) 4-1-2015-0013224-83
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.01.19 수리 (Accepted) 4-1-2017-5010650-13
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.01.08 수리 (Accepted) 4-1-2019-5004978-55
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5166801-48
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5166803-39
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.09.01 수리 (Accepted) 4-1-2020-5197654-62
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
CIGS를 비롯한 CIS계 화합물 박막 태양전지의 금속 전극에 있어서,5~15 mtorr 아르곤 분압에서 증착된 나트륨이 첨가된 몰디브덴으로 형성된 제1전극층; 및1~4 mtorr 아르곤 분압에서 증착된 몰디브덴으로 형성된 제2전극층을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 태양 전지의 후면 전극
2 2
제1항에 있어서, 상기 제1전극층의 하부 기판은,유리기판 및 알루미나층을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 태양 전지의 후면 전극
3 3
제1항에 있어서, 상기 금속전극은,스테인리스 스틸, 티타늄 또는 폴리머 유연기판층을 기판층으로 사용하는 태양 전지에 사용되는 것을 특징으로 하는 박막 태양 전지의 후면 전극
4 4
제1항에 있어서, 상기 제1전극층과 제2전극층의 두께비는,1:10 내지 6:5인 것을 특징으로 하는 박막 태양 전지의 후면 전극
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.