| 1 |
1
십자형으로 돌출된 암(arm)을 갖는 평면 홀 저항 센서의 활성접합부(active function)의 암(arm) 길이를 조절하되, 표유자기장의 영향을 최소화시킴으로써 하기 수학식 1로 표시되는 유효자기장과 인가된 외부자기장의 세기가 최대한 같아지도록 상기 활성접합부로부터 돌출된 암 길이를 조절하는 것을 특징으로 하는 초상자성 단일 비드의 자화율 측정 방법:003c#수학식 1003e#(상기 식에서 Heff는 센서에서의 유효자기장이고, Happ는 인가된 외부자기장이고, Hstray는 자화된 자기 비드로부터 발생하는 표유자기장이다)
|
| 2 |
2
삭제
|
| 3 |
3
제1항에 있어서, 상기 활성접합부는 정방형, 원형 및 직사각형으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종의 형태인 것을 특징으로 하는 초상자성 단일 비드의 자화율 측정 방법
|
| 4 |
4
제3항에 있어서, 상기 활성접합부는 정방형인 것을 특징으로 하는 초상자성 단일 비드의 자화율 측정 방법
|
| 5 |
5
제4항에 있어서, 상기 활성접합부는 한 변의 길이가 100 ㎚ ~ 10 ㎛ 인 것을 특징으로 하는 초상자성 단일 비드의 자화율 측정 방법
|
| 6 |
6
제1항에 있어서, 상기 평면 홀 저항 센서는 스핀 밸브형 센서 박막 구조인 것을 특징으로 하는 초상자성 단일 비드의 자화율 측정 방법
|
| 7 |
7
제1항에 있어서, 상기 평면 홀 저항 센서는,기판;상기 기판 상부에 적층되는 하지층;상기 하지층 상부에 적층되는 제1강자성층;상기 제1강자성층 상부에 적층되는 스페이서층;상기 스페이서층 상부에 적층되는 제2강자성층;상기 제2강자성층 상부에 적층되는 반강자성층;상기 반강자성층 상부에 적층되는 상지층을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 초상자성 단일 비드의 자화율 측정 방법
|
| 8 |
8
제1항에 있어서, 상기 평면 홀 저항 센서는 활성접합부로부터 연장된 돌출부 각각의 말단에 외부로부터 인가된 전류를 측정하기 위한 제1전극, 제2전극; 외부자기장과 상기 제1전극 및 제2전극간의 흐르는 전류에 의해 발생하는 홀 효과에 따른 전압을 측정하기 위한 제3전극, 제4전극을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 초상자성 단일 비드의 자화율 측정 방법
|
| 9 |
9
제8항에 있어서, 상기 전극은 두께가 1 ~ 10 ㎚인 탄탈륨(Ta)층, 탄탈륨층 상부에 적층된 두께가 5 ~ 500 ㎚인 금(Au)층으로 구성되는 것을 특징으로 하는 초상자성 단일 비드의 자화율 측정 방법
|
| 10 |
10
제1항에 있어서, 상기 평면 홀 저항 센서는,기판을 세척하는 단계(단계 1);상기 기판 상부에 하지층; 제1강자성층;스페이서층;제2강자성층;반강자성층;상지층을 순서대로 적층하여 자성복합층을 형성시키는 단계(단계 2);상기 자성복합층에 패턴을 형성시키는 단계(단계 3);및상기 패턴이 형성된 자성복합층에 전극층을 형성시키는 단계(단계 4)로 제조되는 것을 특징으로 하는 초상자성 단일 비드의 자화율 측정 방법
|
