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(i) 금속 나노입자 전구체 용액을 제조하는 단계;(ii) 상기 금속 나노입자 전구체 용액을 기재 표면 위에 코팅하는 단계;(iii) 상기 금속 나노입자 전구체 용액이 코팅된 기재의 표면을 0 내지 100℃의 온도에서 0
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제1항에 있어서, 상기 금속 나노입자 전구체는 테트라클로로플라티네이트, 포타슘 헥사클로로플라티네이트, 포타슘 테트라클로로플라티네이트, 테트라클로로금(Ⅲ)산 4수화물, 염화팔라듐염산, 질산은, 염화백금산, 헥사클로로백금(IV)산, 염화 백금산 6수화물, 염화 백금산 수화물, 염화금, 염화금 3수화물, 염화팔라듐(II), 테트라민팔라듐(II)니트레이트 및 이들의 혼합물의 군으로부터 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 기재 표면 위에 분산 부착된 금속 나노입자의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 (i) 단계에서의 금속 나노입자 전구체 용액의 농도는 0
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제1항에 있어서,상기 (ii) 단계에서의 기재는 금속, 세라믹, 폴리머, 탄소소재(Carbon materials)의 군으로부터 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상의 복합체인 것을 특징으로 하는 기재 표면 위에 분산 부착된 금속 나노입자의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 (ii) 단계에서의 코팅은 독터 블레이드법(doctor blade), 바 코팅(bar coating), 침지 코팅(dip coating), 스프레이 코팅(spray coating) 또는 스핀 코팅(spin coating)의 군으로부터 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 기재 표면 위에 분산 부착된 금속 나노입자의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 (iv) 단계에서의 플라즈마는 교류 라디오파 또는 마이크로웨이브 플라즈마인 것을 특징으로 하는 기재 표면 위에 분산 부착된 금속 나노입자의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 (iv) 단계에서의 플라즈마의 전력은 1 내지 1000 W, 플라즈마 처리 시간은 0
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제1항에 있어서,상기 (iv) 단계에서의 플라즈마의 운반가스는 헬륨, 네온, 아르곤, 크립톤 및 제논의 불활성 기체 또는 상기 운반가스에 수소, 산소, 질소, 이산화탄소 및 암모니아를 10 용적 퍼센트 이내로 혼합한 기체인 것을 특징으로 하는 기재 표면 위에 분산 부착된 금속 나노입자의 제조방법
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제10항에 있어서,상기 플라즈마 운반가스의 유량속은 0
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제1항에 있어서,상기 (iv) 단계에서의 전후 왕복운동의 선속도는 0
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