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입경이 10 내지 100 ㎚인 실리콘 나노 입자; 및 상기 실리콘 나노 입자의 표면에 하기 화학식 1로 표시되는 실란계 화합물에 의해 형성된 실록산층을 포함하는 음극활물질:[화학식 1](상기 화학식 1에서,R은 C1~C5의 알킬기이고,X은 C1~C5의 알콕시기로 치환되거나 또는 비치환된 C1~C5의 선형 알콕시기, C1~C5의 알콕시기로 치환되거나 또는 비치환된 C1~C5의 환형 알콕시기, 할로겐기 및 시아노기(-CN)로 이루어진 군에서 선택되며,a는 1≤a≤3임)
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제1항에 있어서, 비정질인 음극활물질
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불활성 가스 분위기하에서 글리콜 에테르계 용매에 실리콘 함유 반응물 및 실란계 화합물을 첨가하여 혼합 용액을 형성하는 단계; 및불활성 가스 분위기하에서 상기 혼합 용액에 알칼리금속을 첨가하여 교반하는 단계를 포함하는 음극활물질의 제조방법
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제3항에 있어서, 상기 글리콜 에테르계 용매는 1,2-디메톡시 에탄(1,2-dimethoxy ethane), 에틸렌글리콜 모노메틸에테르, 에틸렌글리콜 모노에틸에테르, 에틸렌글리콜 모노부틸에테르, 에틸렌글리콜 디에틸에테르, 디에틸렌 글리콜 모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜 모노에틸에테르, 디에틸렌글리콜 모노프로필에테르, 디에틸렌글리콜 모노이소프로필에테르, 디에틸렌글리콜 모노부틸에테르, 디에틸렌글리콜 모노이소부틸에테르, 디에틸렌글리콜 모노벤질에테르, 디에틸렌글리콜 디메틸에테르, 디에틸렌글리콜 디에틸에테르, 트리에틸렌글리콜 모노메틸에테르, 트리에틸렌글리콜 디메틸에테르, 폴리에틸렌글리콜 모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜 메틸에틸에테르, 트리에틸렌글리콜 에틸렌글리콜 모노메틸에테르아세테이드, 에틸렌글리콜 모노에틸에테르 아세테이트 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 것이 특징인 음극활물질의 제조방법
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제3항에 있어서, 상기 실리콘 함유 반응물은 할로겐화 실리콘, 실리카(SiO2) 및 할로겐화 실란으로 이루어진 군에서 선택되는 것이 특징인 음극활물질의 제조방법
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제3항에 있어서, 상기 실란계 화합물은 하기 화학식 1로 표시되는 것이 특징인 음극활물질의 제조방법:[화학식 1](상기 화학식 1에서,R은 C1~C5의 알킬기이고,X은 C1~C5의 알콕시기로 치환되거나 또는 비치환된 C1~C5의 선형 알콕시기, C1~C5의 알콕시기로 치환되거나 또는 비치환된 C1~C5의 환형 알콕시기, 할로겐기 및 시아노기(-CN)로 이루어진 군에서 선택되며,a는 1≤a≤3임)
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제3항에 있어서, 상기 알칼리금속은 리튬(Li), 나트륨(Na), 칼륨(K), 및 이들 원소를 포함하는 합금으로 이루어진 군에서 선택되는 것이 특징인 음극활물질의 제조방법
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제3항에 있어서, 상기 교반 단계는 상온 내지 120 ℃의 저온에서 수행되는 것이 특징인 음극활물질의 제조방법
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제1항 또는 제2항에 기재된 음극활물질을 포함하는 음극;양극;전해액; 및분리막을 구비하는 이차전지
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제9항에 있어서,상기 음극은 탄소계 음극활물질을 포함하는 나노실리콘-탄소 복합재인 것이 특징인 이차전지
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