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반도체 소자의 실리사이드 형성방법 및 반도체 소자용 소스/드레인

  • 기술번호 : KST2015011183
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 소자의 실리사이드 형성방법 및 반도체용 소스/드레인에 관한 것으로, 실리콘을 포함하는 실리콘 기판을 마련하는 실리콘 기판 마련단계; 상기 실리콘 기판 상에 이터븀, 내화금속 및 전이금속 질화물을 증착하여 상기 이터븀 및 상기 내화금속은 이터븀 합금 박막을 형성하고, 상기 전이금속 질화물은 캡핑 층을 형성하도록 하는 증착단계; 및 상기 실리콘 기판을 열처리하여 상기 실리콘 기판 및 상기 이터븀 합금 박막 계면에 이터븀 실리사이드가 형성되는 열처리단계를 포함하여 형성될 수 있다.본 발명의 실리사이드 형성방법에 의하면 에피택시하게 성장된 이터븀 실리사이드를 안정적으로 형성할 수 있어 낮은 쇼트키 장벽을 가진 소스 및 드레인을 구현할 수 있어 트랜지스터를 포함한 반도체 분야에 유용하게 적용할 수 있다.
Int. CL H01L 21/24 (2006.01) H01L 21/318 (2006.01) H01L 21/20 (2006.01) H01L 21/324 (2006.01)
CPC H01L 21/28052(2013.01) H01L 21/28052(2013.01) H01L 21/28052(2013.01) H01L 21/28052(2013.01) H01L 21/28052(2013.01)
출원번호/일자 1020140036232 (2014.03.27)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1480788-0000 (2015.01.05)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20150114) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.03.27)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이후정 대한민국 경기도 수원시 장안구
2 나세권 대한민국 서울특별시 강동구
3 강준구 대한민국 서울특별시 강서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 나승택 대한민국 서울특별시 서초구 양재천로**길 **, *층 (양재동, 대화빌딩)(무일국제특허법률사무소)
2 조영현 대한민국 서울특별시 강남구 논현로 ***(도곡동, 은하수빌딩) *층(특허사무소시선)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2014.03.27 수리 (Accepted) 1-1-2014-0297248-78
2 [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2014.05.02 수리 (Accepted) 1-1-2014-0420856-71
3 [우선심사신청]선행기술조사의뢰서
[Request for Preferential Examination] Request for Prior Art Search		 2014.05.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 [우선심사신청]선행기술조사보고서
[Request for Preferential Examination] Report of Prior Art Search		 2014.05.09 수리 (Accepted) 9-1-2014-0034995-63
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.06.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0432897-15
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2014.08.25 수리 (Accepted) 1-1-2014-0805516-37
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2014.09.24 수리 (Accepted) 1-1-2014-0909043-59
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.10.24 수리 (Accepted) 1-1-2014-1020757-12
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.10.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-1020780-52
10 등록결정서
Decision to grant		 2014.12.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0881807-25
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
실리콘을 포함하는 실리콘 기판을 마련하는 실리콘 기판 마련단계;상기 실리콘 기판 상에 이터븀, 내화금속 및 전이금속 질화물을 RF 마그네트론 스퍼터링(RF magnetron sputtering)에 의해 증착하여 상기 이터븀 및 상기 내화금속은 이터븀 합금 박막을 형성하고, 상기 전이금속 질화물은 캡핑 층을 형성하도록 하는 증착단계; 및상기 실리콘 기판을 열처리하여 상기 실리콘 기판 및 상기 이터븀 합금 박막 계면에 이터븀 실리사이드가 형성되는 열처리단계를 포함하고,상기 증착단계에서 상기 내화금속에 대한 RF 출력은 20 내지 100W이고,상기 열처리단계에서 상기 열처리에 의하여 상기 이터븀과 상기 실리콘 기판에 포함된 실리콘이 반응하여 이터븀 실리사이드를 형성하면서, 상기 내화금속은 상기 이터븀 합금 박막의 상부로 밀집되어 내화금속을 포함하는 내화금속층이 형성되고, 상기 내화금속층은 상기 이터븀 실리사이드 상부에 형성됨으로써, 상기 이터븀 실리사이드가 에피택시(epitaxy)하게 성장한 형태를 가지도록 하는 것인 반도체 소자의 실리사이드 형성방법
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제1항에 있어서,상기 내화금속에 대한 RF 출력이 30W인 경우, 상기 내화금속은 상기 이터븀 100중량부에 대하여 2 내지 8중량부인 반도체 소자의 실리사이드 형성방법
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제1항에 있어서, 상기 내화금속에 대한 RF 출력이 60W인 경우, 상기 내화금속은 상기 이터븀 100중량부에 대하여 10 내지 18중량부인 반도체 소자의 실리사이드 형성방법
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제1항에 있어서,상기 열처리단계는 급속 열처리(rapid thermal annealing) 방식에 의하여 300 내지 800℃의 온도 분위기 하에서 열처리하는 것인 반도체 소자의 실리사이드 형성방법
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제1항에 있어서,상기 내화금속층은 상기 내화금속, 상기 실리콘 또는 상기 이터븀 중 적어도 2 이상이 혼합된 비정질상인 반도체 소자의 실리사이드 형성방법
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지경부 성균관대학교 산학협력단 전자정보디바이스산업원천기술개발사업(반도체) [RCMS]초미세 고신뢰성 배선 기술 연구