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CIGS 태양전지 제조방법

  • 기술번호 : KST2015011339
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 Ga 분포를 제어하여 CIGS 광흡수층이 광변환효율이 우수한 V-형 분포를 가지는 CIGS 태양전지 제조방법의 제공을 목적으로 한다. 본 발명의 일 관점에 따르면, 기판의 일면 상에 CIGS 전구체층이 형성된 CIGS 전구체를 열처리하여 셀렌화하는 단계;를 포함하며, 상기 CIGS 전구체층은 상기 기판의 일면 상에 형성된, Cu, Ga 및 In을 포함하는 제 1 금속층; 상기 제 1 금속층 상부에 형성된 제 1 Se층; 및 상기 제 1 Se층 상부에 형성된, Cu, Ga 및 In을 포함하는 제 2 금속층;을 포함하는, CIGS 태양전지 제조방법이 제공된다.
Int. CL H01L 31/042 (2014.01) H01L 31/18 (2006.01) H01L 31/0749 (2012.01)
CPC H01L 31/0749(2013.01) H01L 31/0749(2013.01) H01L 31/0749(2013.01)
출원번호/일자 1020120070403 (2012.06.29)
출원인 영남대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1384293-0000 (2014.04.04)
공개번호/일자 10-2014-0007085 (2014.01.17) 문서열기
공고번호/일자 (20140514) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.06.29)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 영남대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 경산시

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 전찬욱 대한민국 서울특별시 중랑구
2 박준성 대한민국 대구 수성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김남식 대한민국 서울특별시 서초구 남부순환로***길 *-*, *층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소)
2 한윤호 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **(삼성동) 명지빌딩, *층(선정국제특허법률사무소)
3 양기혁 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **(삼성동) 명지빌딩, *층(선정국제특허법률사무소)
4 이인행 대한민국 서울특별시 서초구 남부순환로***길 *-*, *층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 영남대학교 산학협력단 경상북도 경산시
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.06.29 수리 (Accepted) 1-1-2012-0519568-45
2 [대리인사임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Resignation of Agent] Report on Agent (Representative)
2013.07.05 수리 (Accepted) 1-1-2013-0606539-85
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.08.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0584192-76
4 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2013.10.24 수리 (Accepted) 1-1-2013-0965148-12
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.11.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-1072157-45
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.11.25 수리 (Accepted) 1-1-2013-1072155-54
7 등록결정서
Decision to grant
2014.02.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0128745-86
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.03.10 수리 (Accepted) 4-1-2014-5029868-88
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.03.26 수리 (Accepted) 4-1-2014-5037590-23
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.11.03 수리 (Accepted) 4-1-2017-5175631-14
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5220555-67
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판의 일면 상에 CIGS 전구체층이 형성된 CIGS 전구체를 열처리하여 셀렌화하는 단계;를 포함하며,상기 CIGS 전구체층은 상기 기판의 일면 상에 형성된, Cu, Ga 및 In을 포함하는 제 1 금속층;상기 제 1 금속층 상부에 형성된 제 1 Se층; 및상기 제 1 Se층 상부에 형성된, Cu, Ga 및 In을 포함하는 제 2 금속층;을 포함하고,상기 셀렌화하는 단계는 제1 Se층에 포함된 Se가 상기 제1 금속층으로 하측 방향으로 확산되고, 상기 제2 금속층으로 상측 방향으로 확산되어 수행되고, 이에 따라 상기 Ga는 상기 CIGS 전구체층의 중간 영역에 비하여 상부 영역 및 하부 영역에서 높은 농도를 가지는, CIGS 태양전지 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 제 1 금속층 및 제 2 금속층 중 어느 하나 이상은 CuInGa 합금으로 이루어진, CIGS 태양전지 제조방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 제 1 금속층 및 제 2 금속층 중 어느 하나 이상은 CuCa합금층 및 In층이 연속적으로 적층된 이중층으로 이루어지고,상기 In층은 상기 제 1 Se층에 인접되어 있는, CIGS 태양전지 제조방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 제 1 금속층 및 제 2 금속층 중 어느 하나 이상은 Cu층, Ga층 및 In층이 연속적으로 적층된 삼중층으로 이루어지고,상기 In층은 상기 제 1 Se층에 인접되어 있는, CIGS 태양전지 제조방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 제 2 금속층의 두께는 상기 제 1 금속층의 두께의 0
6 6
제1항에 있어서, 상기 CIGS 전구체층은 상기 제 2 금속층 상부에 형성된 제 2 Se층을 더 포함하는, CIGS 태양전지 제조방법
7 7
제1항에 있어서, 상기 셀렌화하는 단계는 상기 전구체층의 상부에 덮개를 덮은 후 수행하는, CIGS 태양전지 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.