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기판의 일면 상에 CIGS 전구체층이 형성된 CIGS 전구체를 열처리하여 셀렌화하는 단계;를 포함하며,상기 CIGS 전구체층은 상기 기판의 일면 상에 형성된, Cu, Ga 및 In을 포함하는 제 1 금속층;상기 제 1 금속층 상부에 형성된 제 1 Se층; 및상기 제 1 Se층 상부에 형성된, Cu, Ga 및 In을 포함하는 제 2 금속층;을 포함하고,상기 셀렌화하는 단계는 제1 Se층에 포함된 Se가 상기 제1 금속층으로 하측 방향으로 확산되고, 상기 제2 금속층으로 상측 방향으로 확산되어 수행되고, 이에 따라 상기 Ga는 상기 CIGS 전구체층의 중간 영역에 비하여 상부 영역 및 하부 영역에서 높은 농도를 가지는, CIGS 태양전지 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 제 1 금속층 및 제 2 금속층 중 어느 하나 이상은 CuInGa 합금으로 이루어진, CIGS 태양전지 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 제 1 금속층 및 제 2 금속층 중 어느 하나 이상은 CuCa합금층 및 In층이 연속적으로 적층된 이중층으로 이루어지고,상기 In층은 상기 제 1 Se층에 인접되어 있는, CIGS 태양전지 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 제 1 금속층 및 제 2 금속층 중 어느 하나 이상은 Cu층, Ga층 및 In층이 연속적으로 적층된 삼중층으로 이루어지고,상기 In층은 상기 제 1 Se층에 인접되어 있는, CIGS 태양전지 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 제 2 금속층의 두께는 상기 제 1 금속층의 두께의 0
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제1항에 있어서, 상기 CIGS 전구체층은 상기 제 2 금속층 상부에 형성된 제 2 Se층을 더 포함하는, CIGS 태양전지 제조방법
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7 |
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제1항에 있어서, 상기 셀렌화하는 단계는 상기 전구체층의 상부에 덮개를 덮은 후 수행하는, CIGS 태양전지 제조방법
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