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양자점 감응형 태양전지용 광음극의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015012184
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 광음극(photoanode) 및 광음극에 대향하는 대향전극과 이들 사이에 개재된 전해질(electrolyte)을 포함하며, 상기 광음극은 투명 전도성 기판, 상기 투명 전도성 기판 상부에 형성된 다공성 이산화티탄(TiO2)층, 상기 다공성 이산화티탄층에 접하여 구비된 광감응 양자점 층 및 상기 광감응 양자점 층 상부에 형성된 ZnS 덮개층을 포함하고, 상기 광음극은 ZnS 덮개층 형성 후 열처리되는 것을 특징으로 하는 양자점 감응형(Quantum Dot-Sensitized) 태양전지용 광음극의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 ZnS 덮개층 형성 후 열처리된 양자점 감응형 태양전지는 열처리 단계에서 광감응 양자점의 크기가 커져 띠간격이 줄어들게 되어 광 흡수량이 증가되며, 이에 따라 광감응 양자점과 이산화티탄간의 연결이 좋아짐으로 인해 전자의 이동특성이 증가되고, ZnS 덮개층으로 인해 전자 정공의 재결합이 감소되는 바, 단락 전류의 상승으로 인한 우수한 광전변환 효율을 가진다.
Int. CL H01L 31/042 (2014.01) H01L 31/18 (2006.01) H01L 31/0224 (2006.01)
CPC H01G 9/2054(2013.01) H01G 9/2054(2013.01) H01G 9/2054(2013.01)
출원번호/일자 1020120014816 (2012.02.14)
출원인 영남대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1409267-0000 (2014.06.12)
공개번호/일자 10-2013-0093319 (2013.08.22) 문서열기
공고번호/일자 (20140625) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 발송
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.02.14)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 영남대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 경산시

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 안광순 대한민국 대구 수성구
2 정성우 대한민국 대구 중구
3 서명수 대한민국 대구 수성구
4 정연구 대한민국 경북 구미시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인태백 대한민국 서울 금천구 가산디지털*로 *** 이노플렉스 *차 ***호

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 영남대학교 산학협력단 경상북도 경산시
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.02.14 수리 (Accepted) 1-1-2012-0117768-52
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.03.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0184985-94
3 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.05.20 수리 (Accepted) 1-1-2013-0441293-78
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.05.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0441312-58
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.08.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0584771-02
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.10.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0963336-42
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.10.24 수리 (Accepted) 1-1-2013-0963339-89
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2014.02.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0140252-61
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.03.10 수리 (Accepted) 4-1-2014-5029868-88
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.03.26 수리 (Accepted) 4-1-2014-5037590-23
11 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2014.03.26 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2014-0292488-57
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.03.26 수리 (Accepted) 1-1-2014-0292487-12
13 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2014.04.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0260700-06
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.11.03 수리 (Accepted) 4-1-2017-5175631-14
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5220555-67
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번호 청구항
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FTO(Fluorine-doped Tin Oxide, SnO2: F) 기판 상부에 형성된 다공성 이산화티탄(TiO2)층을 CdS 광감응 양자점 전구체 용액에 침지시켜, 다공성 이산화티탄층에 CdS 광감응 양자점을 형성하는 단계; 상기 CdS 광감응 양자점이 형성된 기판을 아연 전구체 및 황 전구체를 포함하는 ZnS 전구체 용액에 침지시켜 ZnS 덮개층을 형성하는 단계; 및 300 내지 400 ℃에서 열처리하는 단계를 포함하는 양자점 감응형(Quantum Dot-Sensitized) 태양전지용 광음극(photoanode)의 제조방법
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제4항에 있어서, 상기 CdS 광감응 양자점 전구체는 카드뮴 전구체로 Cd(NO3)2, CdSO4, CdCl2 또는 이들의 혼합, 황 전구체로 Na2S, 싸이오우레아(thiourea) 또는 이들의 혼합인 것인 양자점 감응형(Quantum Dot-Sensitized) 태양전지용 광음극(photoanode)의 제조방법
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제4항에 있어서, 상기 아연 전구체는 Zn(NO3)2, Zn(CH3COO)2 또는 이들의 혼합, 황 전구체는 Na2S, 싸이오우레아(thiourea) 또는 이들의 혼합인 것인 양자점 감응형(Quantum Dot-Sensitized) 태양전지용 광음극(photoanode)의 제조방법
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패밀리정보가 없습니다
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1 지식경제부 (주)벡셀 대경광역경제권 선도산업 육성사업(기술개발) 고효율 장수명 태양전지 옥외조명시스템 및 대용량 LIPB 전용 배터리 개발